Изменения электронной структуры BN-нанотрубки типа "зигзаг" (12, 0) при инкапсулировании ее калием

Методами теории функционала плотности выполнены расчеты зонной структуры нанотрубки (НТ) на основе гексагонального нитрида бора (12, 0) как идеальной, так и заполненной калием. Расчеты проведены с учетом оптимизации параметров нанотрубки. При этом смена характера проводимости допированной трубки с п...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика и техника высоких давлений
Datum:2010
1. Verfasser: Бутько, В.Г.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2010
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69309
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Изменения электронной структуры BN-нанотрубки типа "зигзаг" (12, 0) при инкапсулировании ее калием / В.Г. Бутько // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 32-36. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Методами теории функционала плотности выполнены расчеты зонной структуры нанотрубки (НТ) на основе гексагонального нитрида бора (12, 0) как идеальной, так и заполненной калием. Расчеты проведены с учетом оптимизации параметров нанотрубки. При этом смена характера проводимости допированной трубки с полупроводникового на металлический обусловлена сдвигом уровня Ферми. Методами теорії функціонала щільності виконано розрахунки зонної структури нанотрубки на підставі гексагонального нитріду бору (12, 0) як ідеальної, так і заповненої калієм. Розрахунки проведено з урахуванням оптмізації параметрів структури. При цьому зміна характеру провідності допійованої трубки з напівпровідникового на металевий зумовлена зсувом рівня Фермі. The band structure calculations of pure and potassium doped «zigzag» type (12, 0) boron nitride nanotubes have been performed by the density functional theory approach. The calculations have been carried out with taking into account the optimization of nanotubes parameters. And the change of conductivity type from semiconducting to metallic one for doped tubes is mainly caused by a Fermi level shift.
ISSN:0868-5924