Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa. Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих т...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2010
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69312 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa.
Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих температурах.
Dependences of the electrical resistance R on pressure p have been investigated for crystals of Sn₂P₂S₆ under fixed temperatures near the phase transition pressure p ≈ 0.2 GPa.
|
|---|---|
| ISSN: | 0868-5924 |