Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆

Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa. Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих т...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика и техника высоких давлений
Datum:2010
Hauptverfasser: Тягур, Ю.И., Тягур, И.Ю.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2010
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69312
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69312
record_format dspace
spelling Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю.
2014-10-10T19:06:27Z
2014-10-10T19:06:27Z
2010
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 62.50.+p, 74.62.Fj, 77.84.–s
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69312
Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa.
Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих температурах.
Dependences of the electrical resistance R on pressure p have been investigated for crystals of Sn₂P₂S₆ under fixed temperatures near the phase transition pressure p ≈ 0.2 GPa.
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
Тискові дослідження електричного опору сегнетоелектричних кристалів Sn₂P₂S₆ біля фазового переходу
Investigation of pressure dependences of electrical resistance near phase transition in Sn₂P₂S₆ ferroelectric crystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
spellingShingle Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю.
title_short Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_full Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_fullStr Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_full_unstemmed Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_sort исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах sn₂p₂s₆
author Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю.
author_facet Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю.
publishDate 2010
language Russian
container_title Физика и техника высоких давлений
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
format Article
title_alt Тискові дослідження електричного опору сегнетоелектричних кристалів Sn₂P₂S₆ біля фазового переходу
Investigation of pressure dependences of electrical resistance near phase transition in Sn₂P₂S₆ ferroelectric crystals
description Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa. Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих температурах. Dependences of the electrical resistance R on pressure p have been investigated for crystals of Sn₂P₂S₆ under fixed temperatures near the phase transition pressure p ≈ 0.2 GPa.
issn 0868-5924
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69312
citation_txt Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT tâgurûi issledovaniâzavisimosteiélektričeskogosoprotivleniâotdavleniâvblizifazovogoperehodavsegnetoélektričeskihkristallahsn2p2s6
AT tâguriû issledovaniâzavisimosteiélektričeskogosoprotivleniâotdavleniâvblizifazovogoperehodavsegnetoélektričeskihkristallahsn2p2s6
AT tâgurûi tiskovídoslídžennâelektričnogooporusegnetoelektričnihkristalívsn2p2s6bílâfazovogoperehodu
AT tâguriû tiskovídoslídžennâelektričnogooporusegnetoelektričnihkristalívsn2p2s6bílâfazovogoperehodu
AT tâgurûi investigationofpressuredependencesofelectricalresistancenearphasetransitioninsn2p2s6ferroelectriccrystals
AT tâguriû investigationofpressuredependencesofelectricalresistancenearphasetransitioninsn2p2s6ferroelectriccrystals
first_indexed 2025-12-07T15:31:44Z
last_indexed 2025-12-07T15:31:44Z
_version_ 1850864047180742656