Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆

Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa. Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих т...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика и техника высоких давлений
Date:2010
Main Authors: Тягур, Ю.И., Тягур, И.Ю.
Format: Article
Language:Russian
Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2010
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69312
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862670699222532096
author Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю.
author_facet Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю.
citation_txt Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика и техника высоких давлений
description Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa. Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих температурах. Dependences of the electrical resistance R on pressure p have been investigated for crystals of Sn₂P₂S₆ under fixed temperatures near the phase transition pressure p ≈ 0.2 GPa.
first_indexed 2025-12-07T15:31:44Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69312
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0868-5924
language Russian
last_indexed 2025-12-07T15:31:44Z
publishDate 2010
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
record_format dspace
spelling Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю.
2014-10-10T19:06:27Z
2014-10-10T19:06:27Z
2010
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 62.50.+p, 74.62.Fj, 77.84.–s
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69312
Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa.
Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих температурах.
Dependences of the electrical resistance R on pressure p have been investigated for crystals of Sn₂P₂S₆ under fixed temperatures near the phase transition pressure p ≈ 0.2 GPa.
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
Тискові дослідження електричного опору сегнетоелектричних кристалів Sn₂P₂S₆ біля фазового переходу
Investigation of pressure dependences of electrical resistance near phase transition in Sn₂P₂S₆ ferroelectric crystals
Article
published earlier
spellingShingle Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю.
title Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_alt Тискові дослідження електричного опору сегнетоелектричних кристалів Sn₂P₂S₆ біля фазового переходу
Investigation of pressure dependences of electrical resistance near phase transition in Sn₂P₂S₆ ferroelectric crystals
title_full Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_fullStr Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_full_unstemmed Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_short Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
title_sort исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах sn₂p₂s₆
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69312
work_keys_str_mv AT tâgurûi issledovaniâzavisimosteiélektričeskogosoprotivleniâotdavleniâvblizifazovogoperehodavsegnetoélektričeskihkristallahsn2p2s6
AT tâguriû issledovaniâzavisimosteiélektričeskogosoprotivleniâotdavleniâvblizifazovogoperehodavsegnetoélektričeskihkristallahsn2p2s6
AT tâgurûi tiskovídoslídžennâelektričnogooporusegnetoelektričnihkristalívsn2p2s6bílâfazovogoperehodu
AT tâguriû tiskovídoslídžennâelektričnogooporusegnetoelektričnihkristalívsn2p2s6bílâfazovogoperehodu
AT tâgurûi investigationofpressuredependencesofelectricalresistancenearphasetransitioninsn2p2s6ferroelectriccrystals
AT tâguriû investigationofpressuredependencesofelectricalresistancenearphasetransitioninsn2p2s6ferroelectriccrystals