Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆

• Published in: Физика и техника высоких давлений
• Date: 2010
• Main Authors: Тягур, Ю.И., Тягур, И.Ю.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2010
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69312
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa. Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих т...