Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов

• Published in: Физика и техника высоких давлений
• Date: 2011
• Main Author: Самсоненко, С.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2011
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69434
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов / С.Н. Самсоненко // Физика и техника высоких давлений. — 2011. — Т. 21, № 2. — С. 81-86. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Определена концентрация дислокационных акцепторных центров (ДАЦ) из общего спектра электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), обусловленного дефектами с примесным азотом и ненасыщенными углеродными связями. Установлено, что концентрация ДАЦ возрастает с повышением температуры спекания поликристаллических алмазных компактов (ПАК). При температурах выше 1870 K концентрация ДАЦ убывает, а электрическая проводимость увеличивается. Предполагается, что на дислокационную проводимость ПАК накладывается иной механизм. Это может быть фрактальный механизм, обусловленный порами с проводящим графитом. Визначено концентрацію дислокаційних акцепторних центрів (ДАЦ) із спільного спектру електронного парамагнiтного резонансу (ЕПР), обумовленого дефектами з домішковим азотом і ненасиченими вуглецевими зв'язками. Встановлено, що концентрація ДАЦ збільшується із зростанням температури спiкання поликристалiчних алмазних компактів (ПАК). При температурах вище 1870 K концентрація ДАЦ убиває, а електрична провідність збільшується. Передбачається, що на дислокаційну електричну провідність ПАК накладається інший механізм. Це може бути фрактальний механізм, обумовлений порами з електропровідним графітом. The concentration of the dislocation acceptor centers (DAC) was defined from a common electron paramagnetic resonance (EPR) spectrum conditioned by defects with nitrogen impurity and by non-saturated carbon bonds. It was established that the concentration of the DAC’s increases with the growth of the sintering temperature of polycrystalline diamond compacts (PDC). At the temperature higher than 1870 K, DAC’s concentration decreases and electrical conductivity increase. It was assumed that another mechanism superimposes the dislocation conductivity of PDC. It may be the fractal mechanism conditioned by pores with conductive graphite.