Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов

Определена концентрация дислокационных акцепторных центров (ДАЦ) из общего спектра электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), обусловленного дефектами с примесным азотом и ненасыщенными углеродными связями. Установлено, что концентрация ДАЦ возрастает с повышением температуры спекания поликристалл...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика и техника высоких давлений
Datum:2011
1. Verfasser: Самсоненко, С.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2011
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69434
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов / С.Н. Самсоненко // Физика и техника высоких давлений. — 2011. — Т. 21, № 2. — С. 81-86. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862731804453109760
author Самсоненко, С.Н.
author_facet Самсоненко, С.Н.
citation_txt Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов / С.Н. Самсоненко // Физика и техника высоких давлений. — 2011. — Т. 21, № 2. — С. 81-86. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика и техника высоких давлений
description Определена концентрация дислокационных акцепторных центров (ДАЦ) из общего спектра электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), обусловленного дефектами с примесным азотом и ненасыщенными углеродными связями. Установлено, что концентрация ДАЦ возрастает с повышением температуры спекания поликристаллических алмазных компактов (ПАК). При температурах выше 1870 K концентрация ДАЦ убывает, а электрическая проводимость увеличивается. Предполагается, что на дислокационную проводимость ПАК накладывается иной механизм. Это может быть фрактальный механизм, обусловленный порами с проводящим графитом. Визначено концентрацію дислокаційних акцепторних центрів (ДАЦ) із спільного спектру електронного парамагнiтного резонансу (ЕПР), обумовленого дефектами з домішковим азотом і ненасиченими вуглецевими зв'язками. Встановлено, що концентрація ДАЦ збільшується із зростанням температури спiкання поликристалiчних алмазних компактів (ПАК). При температурах вище 1870 K концентрація ДАЦ убиває, а електрична провідність збільшується. Передбачається, що на дислокаційну електричну провідність ПАК накладається інший механізм. Це може бути фрактальний механізм, обумовлений порами з електропровідним графітом. The concentration of the dislocation acceptor centers (DAC) was defined from a common electron paramagnetic resonance (EPR) spectrum conditioned by defects with nitrogen impurity and by non-saturated carbon bonds. It was established that the concentration of the DAC’s increases with the growth of the sintering temperature of polycrystalline diamond compacts (PDC). At the temperature higher than 1870 K, DAC’s concentration decreases and electrical conductivity increase. It was assumed that another mechanism superimposes the dislocation conductivity of PDC. It may be the fractal mechanism conditioned by pores with conductive graphite.
first_indexed 2025-12-07T19:28:08Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69434
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0868-5924
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:28:08Z
publishDate 2011
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
record_format dspace
spelling Самсоненко, С.Н.
2014-10-13T19:47:39Z
2014-10-13T19:47:39Z
2011
Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов / С.Н. Самсоненко // Физика и техника высоких давлений. — 2011. — Т. 21, № 2. — С. 81-86. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 61.72.Hh, 61.72.Lk
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69434
Определена концентрация дислокационных акцепторных центров (ДАЦ) из общего спектра электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), обусловленного дефектами с примесным азотом и ненасыщенными углеродными связями. Установлено, что концентрация ДАЦ возрастает с повышением температуры спекания поликристаллических алмазных компактов (ПАК). При температурах выше 1870 K концентрация ДАЦ убывает, а электрическая проводимость увеличивается. Предполагается, что на дислокационную проводимость ПАК накладывается иной механизм. Это может быть фрактальный механизм, обусловленный порами с проводящим графитом.
Визначено концентрацію дислокаційних акцепторних центрів (ДАЦ) із спільного спектру електронного парамагнiтного резонансу (ЕПР), обумовленого дефектами з домішковим азотом і ненасиченими вуглецевими зв'язками. Встановлено, що концентрація ДАЦ збільшується із зростанням температури спiкання поликристалiчних алмазних компактів (ПАК). При температурах вище 1870 K концентрація ДАЦ убиває, а електрична провідність збільшується. Передбачається, що на дислокаційну електричну провідність ПАК накладається інший механізм. Це може бути фрактальний механізм, обумовлений порами з електропровідним графітом.
The concentration of the dislocation acceptor centers (DAC) was defined from a common electron paramagnetic resonance (EPR) spectrum conditioned by defects with nitrogen impurity and by non-saturated carbon bonds. It was established that the concentration of the DAC’s increases with the growth of the sintering temperature of polycrystalline diamond compacts (PDC). At the temperature higher than 1870 K, DAC’s concentration decreases and electrical conductivity increase. It was assumed that another mechanism superimposes the dislocation conductivity of PDC. It may be the fractal mechanism conditioned by pores with conductive graphite.
Автор выражает благодарность за помощь и поддержку в работе Н.Д. Самсоненко, Н.И. Носанову, В.В. Каширину.
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов
Внутрішня структура і електронний парамагнiтний резонанс полiкристалiчних алмазних компактів
Internal structure and electron paramagnetic resonance of polycrystalline diamond compacts
Article
published earlier
spellingShingle Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов
Самсоненко, С.Н.
title Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов
title_alt Внутрішня структура і електронний парамагнiтний резонанс полiкристалiчних алмазних компактів
Internal structure and electron paramagnetic resonance of polycrystalline diamond compacts
title_full Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов
title_fullStr Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов
title_full_unstemmed Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов
title_short Внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов
title_sort внутреннее строение и электронный парамагнитный резонанс поликристаллических алмазных компактов
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69434
work_keys_str_mv AT samsonenkosn vnutrenneestroenieiélektronnyiparamagnitnyirezonanspolikristalličeskihalmaznyhkompaktov
AT samsonenkosn vnutríšnâstrukturaíelektronniiparamagnitniirezonanspolikristaličnihalmaznihkompaktív
AT samsonenkosn internalstructureandelectronparamagneticresonanceofpolycrystallinediamondcompacts