Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии

• Опубліковано в: : Физика и техника высоких давлений
• Дата: 2012
• Автори: Надточий, В.А., Уколов, А.И., Нечволод, Н.К.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2012
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69559
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. Досліджено явище низькотемпературної дифузії в Ge уздовж спрямованих на поверхню дислокаційних напівпетель при створенні градієнтів під дією деформації згинання або стискання. Показано можливість утворення на поверхні низькорозмірних атомних структур, властивості яких вивчено за методами атомно-силової мікроскопії та раманівської спектроскопії комбінаційного розсіювання світла. The phenomenon of low-temperature diffusion in Ge along dislocation semi-loops emerging on the surface at creation of stress gradients under the deformation of bend or compression was investigated. Possibility of creation of low-dimensional atomic structure on the surface is shown. Their properties are studied by atomic force microscopy and Raman spectroscopy technique.