Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69559 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862642142510317568 |
|---|---|
| author | Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. |
| author_facet | Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. |
| citation_txt | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света.
Досліджено явище низькотемпературної дифузії в Ge уздовж спрямованих на поверхню дислокаційних напівпетель при створенні градієнтів під дією деформації згинання або стискання. Показано можливість утворення на поверхні низькорозмірних атомних структур, властивості яких вивчено за методами атомно-силової мікроскопії та раманівської спектроскопії комбінаційного розсіювання світла.
The phenomenon of low-temperature diffusion in Ge along dislocation semi-loops emerging on the surface at creation of stress gradients under the deformation of bend or compression was investigated. Possibility of creation of low-dimensional atomic structure on the surface is shown. Their properties are studied by atomic force microscopy and Raman spectroscopy technique.
|
| first_indexed | 2025-12-01T06:05:13Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69559 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T06:05:13Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. 2014-10-16T16:55:02Z 2014-10-16T16:55:02Z 2012 Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.10.Aj, 64.60.Qb, 66.30.Fq https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69559 Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. Досліджено явище низькотемпературної дифузії в Ge уздовж спрямованих на поверхню дислокаційних напівпетель при створенні градієнтів під дією деформації згинання або стискання. Показано можливість утворення на поверхні низькорозмірних атомних структур, властивості яких вивчено за методами атомно-силової мікроскопії та раманівської спектроскопії комбінаційного розсіювання світла. The phenomenon of low-temperature diffusion in Ge along dislocation semi-loops emerging on the surface at creation of stress gradients under the deformation of bend or compression was investigated. Possibility of creation of low-dimensional atomic structure on the surface is shown. Their properties are studied by atomic force microscopy and Raman spectroscopy technique. Авторы выражают благодарность сотрудникам Института полупроводников им. В.Е. Лашкарева докт. физ.-мат. наук В.В. Стрельчуку и канд. физ.-мат. наук О.С. Литвин за помощь в снятии спектров КРС и в проведении структурных исследований методом АСМ. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии Формування наноструктур в Ge за умови дислокаційно-поверхневої дифузії Nanostructure formation in Ge under dislocation-surface diffusion Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии Надточий, В.А. Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. |
| title | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_alt | Формування наноструктур в Ge за умови дислокаційно-поверхневої дифузії Nanostructure formation in Ge under dislocation-surface diffusion |
| title_full | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_fullStr | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_full_unstemmed | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_short | Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| title_sort | формирование наноструктур в gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69559 |
| work_keys_str_mv | AT nadtočiiva formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnoidiffuzii AT ukolovai formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnoidiffuzii AT nečvolodnk formirovanienanostrukturvgepriusloviidislokacionnopoverhnostnoidiffuzii AT nadtočiiva formuvannânanostrukturvgezaumovidislokacíinopoverhnevoídifuzíí AT ukolovai formuvannânanostrukturvgezaumovidislokacíinopoverhnevoídifuzíí AT nečvolodnk formuvannânanostrukturvgezaumovidislokacíinopoverhnevoídifuzíí AT nadtočiiva nanostructureformationingeunderdislocationsurfacediffusion AT ukolovai nanostructureformationingeunderdislocationsurfacediffusion AT nečvolodnk nanostructureformationingeunderdislocationsurfacediffusion |