Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9)

В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, были синтезированы халькогениды (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведены исследования их электрических свойств в области частот до 200 kHz при давлениях до 48 GPa и магнитных полях до 1 T с применение...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика и техника высоких давлений
Datum:2013
Hauptverfasser: Хейфец, О.Л., Пинигина, К.С., Тебеньков, А.В., Филиппов, А.Л., Шакиров, Э.Ф., Мельникова, Н.В., Бабушкин, А.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2013
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69602
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9) / О.Л. Хейфец, К.С. Пинигина, А.В. Тебеньков, А.Л. Филиппов, Э.Ф. Шакиров, Н.В. Мельникова, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, были синтезированы халькогениды (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведены исследования их электрических свойств в области частот до 200 kHz при давлениях до 48 GPa и магнитных полях до 1 T с применением метода импедансной спектроскопии. Определены области существенных изменений электрических свойств. У рамках пошуку матеріалів, які поєднують іонну провідність з сегнетоелектричними властивостями, було синтезовано халькогеніди (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведено дослідження їхнiх електричних властивостей в області частот до 200 kHz при тисках до 48 GPa і магнітних полях до 1 T із застосуванням методу імпедансної спектроскопії. Визначено області суттєвих змін електричних властивостей. One of the areas of research at the department of low-temperature physics of IEN UrFU is the study of properties of multi-component chalcogenides under extreme exposures. This article is devoted to the effect of high pressure on the electrical properties of the (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9) samples, which are ferroelectrics at normal pressure. Tests were carried out at the temperature of 300 K, pressures up to 48 GPa, the frequencies of 1−200 kHz, magnetic fields up to 1 T.
ISSN:0868-5924