Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9)
В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, были синтезированы халькогениды (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведены исследования их электрических свойств в области частот до 200 kHz при давлениях до 48 GPa и магнитных полях до 1 T с применение...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69602 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9) / О.Л. Хейфец, К.С. Пинигина, А.В. Тебеньков, А.Л. Филиппов, Э.Ф. Шакиров, Н.В. Мельникова, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, были синтезированы халькогениды (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведены исследования их электрических свойств в области частот до 200 kHz при давлениях до 48 GPa и магнитных полях до 1 T с применением метода импедансной спектроскопии. Определены области существенных изменений электрических свойств.
У рамках пошуку матеріалів, які поєднують іонну провідність з сегнетоелектричними властивостями, було синтезовано халькогеніди (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведено дослідження їхнiх електричних властивостей в області частот до 200 kHz при тисках до 48 GPa і магнітних полях до 1 T із застосуванням методу імпедансної спектроскопії. Визначено області суттєвих змін електричних властивостей.
One of the areas of research at the department of low-temperature physics of IEN UrFU is the study of properties of multi-component chalcogenides under extreme exposures. This article is devoted to the effect of high pressure on the electrical properties of the (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9) samples, which are ferroelectrics at normal pressure. Tests were carried out at the temperature of 300 K, pressures up to 48 GPa, the frequencies of 1−200 kHz, magnetic fields up to 1 T.
|
|---|---|
| ISSN: | 0868-5924 |