Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9)

• Veröffentlicht in: Физика и техника высоких давлений
• Datum: 2013
• ISSN: 0868-5924
• Hauptverfasser: Хейфец, О.Л., Пинигина, К.С., Тебеньков, А.В., Филиппов, А.Л., Шакиров, Э.Ф., Мельникова, Н.В., Бабушкин, А.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69602
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9) / О.Л. Хейфец, К.С. Пинигина, А.В. Тебеньков, А.Л. Филиппов, Э.Ф. Шакиров, Н.В. Мельникова, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, были синтезированы халькогениды (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведены исследования их электрических свойств в области частот до 200 kHz при давлениях до 48 GPa и магнитных полях до 1 T с применение...