Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄
Методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) изучено основное состояние примесных ионов Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄. Установлено, что Gd³⁺ замещает ион трехвалентного тулия. Показано, что увеличение температуры приводит к уменьшению расщепления основного состояния. Методом електронного...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69604 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄ / А.А. Прохоров // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 1. — С. 30-36. — Бібліогр.: назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) изучено основное состояние примесных ионов Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄. Установлено, что Gd³⁺ замещает ион трехвалентного тулия. Показано, что увеличение температуры приводит к уменьшению расщепления основного состояния.
Методом електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) вивчено основний стан домішкових іонів Gd³⁺ в монокристалі TmAl₃(BO₃)₄. Встановлено, що Gd³⁺ заміщує іон тривалентного тулію. Показано, що збільшення температури призводить до зменшення розщеплення основного стану.
The aim of the present paper was studying of ESR spectrum of the interstitial Gd³⁺ ion in the TmAl₃(BO₃)₄ crystal in a wide temperature range. The ground state of impurity ions of Gd³⁺ in the TmAl₃(BO₃)₄ single crystal was investigated by ESR method. The increase in the temperature results in reduction of ground state splitting. Temperature evolution of the spectrum is determined by heat expansion of the crystal.
|
|---|---|
| ISSN: | 0868-5924 |