Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄

Методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) изучено основное состояние примесных ионов Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄. Установлено, что Gd³⁺ замещает ион трехвалентного тулия. Показано, что увеличение температуры приводит к уменьшению расщепления основного состояния. Методом електронного...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика и техника высоких давлений
Дата:2013
Автор: Прохоров, А.А.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2013
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69604
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄ / А.А. Прохоров // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 1. — С. 30-36. — Бібліогр.: назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862713734292570112
author Прохоров, А.А.
author_facet Прохоров, А.А.
citation_txt Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄ / А.А. Прохоров // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 1. — С. 30-36. — Бібліогр.: назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика и техника высоких давлений
description Методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) изучено основное состояние примесных ионов Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄. Установлено, что Gd³⁺ замещает ион трехвалентного тулия. Показано, что увеличение температуры приводит к уменьшению расщепления основного состояния. Методом електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) вивчено основний стан домішкових іонів Gd³⁺ в монокристалі TmAl₃(BO₃)₄. Встановлено, що Gd³⁺ заміщує іон тривалентного тулію. Показано, що збільшення температури призводить до зменшення розщеплення основного стану. The aim of the present paper was studying of ESR spectrum of the interstitial Gd³⁺ ion in the TmAl₃(BO₃)₄ crystal in a wide temperature range. The ground state of impurity ions of Gd³⁺ in the TmAl₃(BO₃)₄ single crystal was investigated by ESR method. The increase in the temperature results in reduction of ground state splitting. Temperature evolution of the spectrum is determined by heat expansion of the crystal.
first_indexed 2025-12-07T17:46:09Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69604
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0868-5924
language Russian
last_indexed 2025-12-07T17:46:09Z
publishDate 2013
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
record_format dspace
spelling Прохоров, А.А.
2014-10-17T06:54:50Z
2014-10-17T06:54:50Z
2013
Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄ / А.А. Прохоров // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 1. — С. 30-36. — Бібліогр.: назв. — рос.
0868-5924
PACS: 62.50.+p, 62.65.+k, 64.10.+h, 64.70.Kb
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69604
Методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) изучено основное состояние примесных ионов Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄. Установлено, что Gd³⁺ замещает ион трехвалентного тулия. Показано, что увеличение температуры приводит к уменьшению расщепления основного состояния.
Методом електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) вивчено основний стан домішкових іонів Gd³⁺ в монокристалі TmAl₃(BO₃)₄. Встановлено, що Gd³⁺ заміщує іон тривалентного тулію. Показано, що збільшення температури призводить до зменшення розщеплення основного стану.
The aim of the present paper was studying of ESR spectrum of the interstitial Gd³⁺ ion in the TmAl₃(BO₃)₄ crystal in a wide temperature range. The ground state of impurity ions of Gd³⁺ in the TmAl₃(BO₃)₄ single crystal was investigated by ESR method. The increase in the temperature results in reduction of ground state splitting. Temperature evolution of the spectrum is determined by heat expansion of the crystal.
Автор выражает благодарность Л.Ф. Черныш за выращивание монокристаллов, А.Д. Прохорову − за полезное обсуждение результатов, В.П. Дьяконову и Г. Шимчак − за предоставленную возможность измерений спектра при низких температурах, Р. Миникаеву − за предоставленные данные о кристаллической структуре.
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄
Ground state of the Gd³⁺ ion in the TmAl₃(BO₃)₄ single crystal
Article
published earlier
spellingShingle Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄
Прохоров, А.А.
title Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄
title_alt Ground state of the Gd³⁺ ion in the TmAl₃(BO₃)₄ single crystal
title_full Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄
title_fullStr Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄
title_full_unstemmed Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄
title_short Основное состояние иона Gd³⁺ в монокристалле TmAl₃(BO₃)₄
title_sort основное состояние иона gd³⁺ в монокристалле tmal₃(bo₃)₄
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69604
work_keys_str_mv AT prohorovaa osnovnoesostoânieionagd3vmonokristalletmal3bo34
AT prohorovaa groundstateofthegd3ioninthetmal3bo34singlecrystal