Cover Image

Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC

Побудовано атомну модель осередку поверхні карбіду кремнію з дефектами. Застосовано пакет програм ABINIT-інструменту nanoHUB з використанням теорії функціонала густини. Встановлено: зі зростанням всебічного тиску найбільшою мірою змінюється внесок локальної електрон-іонної взаємодії у повну енергію...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика и техника высоких давлений
Date:2013
Main Authors: Токій, В.В., Савіна, Д.Л., Токій, Н.В.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2013
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69627
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В.В. Токій, Д.Л. Савіна, Н.В. Токій // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 2. — С. 114-122. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items