Зображення обкладинки

Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC

Побудовано атомну модель осередку поверхні карбіду кремнію з дефектами. Застосовано пакет програм ABINIT-інструменту nanoHUB з використанням теорії функціонала густини. Встановлено: зі зростанням всебічного тиску найбільшою мірою змінюється внесок локальної електрон-іонної взаємодії у повну енергію...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Физика и техника высоких давлений
Дата:	2013
ISSN:	0868-5924
Автори:	Токій, В.В., Савіна, Д.Л., Токій, Н.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2013
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69627
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В.В. Токій, Д.Л. Савіна, Н.В. Токій // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 2. — С. 114-122. — Бібліогр.: 14 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Пульсації тиску всередині та поблизу пари овальних лунок на плоскій поверхні
за авторством: Воскобійник, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Гібридний модель аномальної температурної залежности модуля зсуву міді, викликаної інтенсивною пластичною деформацією
за авторством: Токій, Н.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of the effect of SiC content on the microstructure, physical properties and hardness of SiC/Ni composites
за авторством: Hanan M. Makled, та інші
Опубліковано: (2019)

Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)

The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
за авторством: Теребінська, М.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)

Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectric memory in 6H-SiC
за авторством: Duisenbaev, M.
Опубліковано: (2004)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Вплив кінетики мартенситного перетворення на міграцію атомів
за авторством: Коваль, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2021)

Квантовохімічне дослідження ролі гіпервалентних інтермедіатів в реакції поліконденсації кремнієвої кислоти
за авторством: Grebenyuk, A. G., та інші
Опубліковано: (1997)

Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
за авторством: Terebinska, M. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Перспективы использования SiC/SiC-композитов в термоядерных реакторах (по анализу Международных Баз Данных INIS, MSCI, INSPEC)
за авторством: Войценя, В.С., та інші
Опубліковано: (2007)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)

Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)

Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)

Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)

Determination of optical parameters of films of PVA/TiO2/SiC and PVA/MgO/SiC nanocomposites for optoelectronics and UV-detectors
за авторством: H. Ahmed, та інші
Опубліковано: (2020)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)

Corrosion stability of SiC-based ceramics in hydrothermal conditions
за авторством: K. V. Lobach, та інші
Опубліковано: (2019)

Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Synthesis, morphological and structural properties of bio-SiC ceramics
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2010)