Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации
Приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge. При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25 μm и на расстоянии от него < 1.2...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69673 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации / А.И. Уколов, В.А. Надточий, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 4. — С. 83-91. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69673 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Уколов, А.И. Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. 2014-10-18T12:46:31Z 2014-10-18T12:46:31Z 2013 Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации / А.И. Уколов, В.А. Надточий, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 4. — С. 83-91. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 71.10.w, 85.60.Dw, 73.40.Lq https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69673 Приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge. При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25 μm и на расстоянии от него < 1.2 mm вдоль поверхности. Полученное методом структурного анализа распределение дефектов в приповерхностном слое качественно согласуется с результатами электрических измерений времени жизни τ неосновных носителей заряда. Использованный зондовый метод измерения τ может быть рекомендован для контроля степени дефектности на малых фрагментах интегральных схем (ИС). Наведенно залежності напружень в області зосередженої сили при триопорному згинанні тонкої напівпровідникової пластини Ge. При вибраних розмірах та умовах деформування перевищення напружень у зразку поблизу концентратора істотне на глибині до 25 μm і на відстані від нього < 1.2 mm уздовж поверхні. Отриманий за методом структурного аналізу розподіл дефектів якісно узгоджується з результатами електричних вимірювань часу життя τ неосновних носіїв заряду. Використаний зондовий метод вимірювань τ може бути рекомендованим для контролю міри дефектності на малих фрагментах інтегральних схем (ІС). This paper shows the possibility of evaluation of the degree of imperfection of the Ge plate in a complex stress-strain state by measuring the lifetime of minority carriers τ. The plates of monocrystalline Ge of n- and p-type in the form of 0.8 × 4 × 17 mm in size oriented along the [111], [112] and [110] directions were tested. Deformation was performed by three-point bend at σm = 80 MPa for 24 h. The temperature of the sample during experiment did not exceed 310 K. The focus was on evaluation of the degree of imperfection near the supports (stress concentrators) of the deformed plate. The distribution of the total stress σ near the point of force application was found with account of the effect of normal σx and horizontal σy components of the radial pressure. It is noted that at the chosen conditions, the excess of deformation stresses in the Ge crystal in area of the supports is substantial at the depth up to 25 μm and the distance of < 1.2 mm along the surface of the support. The performed theoretical calculations of stresses are in qualitative agreement with the distribution of the introduced structural defects in the surface layer and the electrical measurements of the structure-sensitive properties of the defect layer. The used probe method for measuring τ allows a high level of local measurements and can be recommended for the control of the degree of imperfection in small fragments of integrated circuits in a production environment. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации Distribution of the defects in thin semiconductor plates at low-temperature deformation Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации |
| spellingShingle |
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации Уколов, А.И. Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. |
| title_short |
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации |
| title_full |
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации |
| title_fullStr |
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации |
| title_full_unstemmed |
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации |
| title_sort |
распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации |
| author |
Уколов, А.И. Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. |
| author_facet |
Уколов, А.И. Надточий, В.А. Нечволод, Н.К. |
| publishDate |
2013 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика и техника высоких давлений |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Distribution of the defects in thin semiconductor plates at low-temperature deformation |
| description |
Приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge. При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25 μm и на расстоянии от него < 1.2 mm вдоль поверхности. Полученное методом структурного анализа распределение дефектов в приповерхностном слое качественно согласуется с результатами электрических измерений времени жизни τ неосновных носителей заряда. Использованный зондовый метод измерения τ может быть рекомендован для контроля степени дефектности на малых фрагментах интегральных схем (ИС).
Наведенно залежності напружень в області зосередженої сили при триопорному згинанні тонкої напівпровідникової пластини Ge. При вибраних розмірах та умовах деформування перевищення напружень у зразку поблизу концентратора істотне на глибині до 25 μm і на відстані від нього < 1.2 mm уздовж поверхні. Отриманий за методом структурного аналізу розподіл дефектів якісно узгоджується з результатами електричних вимірювань часу життя τ неосновних носіїв заряду. Використаний зондовий метод вимірювань τ може бути рекомендованим для контролю міри дефектності на малих фрагментах інтегральних схем (ІС).
This paper shows the possibility of evaluation of the degree of imperfection of the Ge plate in a complex stress-strain state by measuring the lifetime of minority carriers τ. The plates of monocrystalline Ge of n- and p-type in the form of 0.8 × 4 × 17 mm in size oriented along the [111], [112] and [110] directions were tested. Deformation was performed by three-point bend at σm = 80 MPa for 24 h. The temperature of the sample during experiment did not exceed 310 K. The focus was on evaluation of the degree of imperfection near the supports (stress concentrators) of the deformed plate. The distribution of the total stress σ near the point of force application was found with account of the effect of normal σx and horizontal σy components of the radial pressure. It is noted that at the chosen conditions, the excess of deformation stresses in the Ge crystal in area of the supports is substantial at the depth up to 25 μm and the distance of < 1.2 mm along the surface of the support. The performed theoretical calculations of stresses are in qualitative agreement with the distribution of the introduced structural defects in the surface layer and the electrical measurements of the structure-sensitive properties of the defect layer. The used probe method for measuring τ allows a high level of local measurements and can be recommended for the control of the degree of imperfection in small fragments of integrated circuits in a production environment.
|
| issn |
0868-5924 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69673 |
| citation_txt |
Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации / А.И. Уколов, В.А. Надточий, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 4. — С. 83-91. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ukolovai raspredeleniedefektovvtonkihpoluprovodnikovyhplastinahprinizkotemperaturnoideformacii AT nadtočiiva raspredeleniedefektovvtonkihpoluprovodnikovyhplastinahprinizkotemperaturnoideformacii AT nečvolodnk raspredeleniedefektovvtonkihpoluprovodnikovyhplastinahprinizkotemperaturnoideformacii AT ukolovai distributionofthedefectsinthinsemiconductorplatesatlowtemperaturedeformation AT nadtočiiva distributionofthedefectsinthinsemiconductorplatesatlowtemperaturedeformation AT nečvolodnk distributionofthedefectsinthinsemiconductorplatesatlowtemperaturedeformation |
| first_indexed |
2025-12-07T19:18:01Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:18:01Z |
| _version_ |
1850878283385667584 |