Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика

Теоретически изучены особенности электронного туннелирования через неупорядоченные наноразмерные слои диэлектрика. Получены аналитические выражения для транспортных характеристик контактов металл–изолятор–металл с неоднородной диэлектрической прослойкой и универсальные соотношения, описывающие распр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика и техника высоких давлений
Datum:2014
1. Verfasser: Белоголовский, М.А.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69686
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика / М.А. Белоголовский // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 25-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862745769808756736
author Белоголовский, М.А.
author_facet Белоголовский, М.А.
citation_txt Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика / М.А. Белоголовский // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 25-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика и техника высоких давлений
description Теоретически изучены особенности электронного туннелирования через неупорядоченные наноразмерные слои диэлектрика. Получены аналитические выражения для транспортных характеристик контактов металл–изолятор–металл с неоднородной диэлектрической прослойкой и универсальные соотношения, описывающие распределение вероятностей прохождения заряда через разупорядоченную систему потенциальных барьеров. Проанализированы два предельных случая: узкие и высокие барьеры с резкими границами и сравнительно широкие и низкие барьеры, описываемые квазиклассическим приближением. Предсказаны изменения функции распределения прозрачностей аморфного диэлектрического слоя под действием высоких давлений. Теоретично вивчено особливості електронного тунелювання через невпорядковані нанорозмірні шари діелектрика. Отримано аналітичні вирази для транспортних характеристик контактів метал–ізолятор–метал з неоднорідним діелектричним прошарком та універсальні співвідношення, що описують розподіл ймовірностей проходження заряду через розупорядковану систему потенціальних бар’єрів. Проаналізовано два граничних випадки: вузькі й високі бар’єри з різкими границями та порівняно широкі й низькі бар’єри, які описуються квазікласичним наближенням. Передбачено зміни функції розподілу прозоростей аморфного діелектричного шару під дією високих тисків. Specific features of electron tunneling through disordered nanoscale dielectric layers are studied theoretically. Analytical expressions for transport characteristics of metal–insulatormetal contacts with an inhomogeneous dielectric layer as well as universal relations describing the distribution of the probability of the charge transfer across a disordered system of potential barriers are obtained. Two limiting cases, narrow and high barriers with abrupt boundaries and relatively broad and low barriers, which may be described by the quasiclassical approximation, have been analyzed. Although the two distribution functions are described by different analytical expressions, there is no qualitative difference between them since both functions are bimodal with a large number of strongly reflected “closed” channels, and at the same time a significant amount of “open” channels with the transmission coefficient near unity.
first_indexed 2025-12-07T20:42:23Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69686
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0868-5924
language Russian
last_indexed 2025-12-07T20:42:23Z
publishDate 2014
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
record_format dspace
spelling Белоголовский, М.А.
2014-10-18T15:03:57Z
2014-10-18T15:03:57Z
2014
Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика / М.А. Белоголовский // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 25-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 72.20.Dp, 73.23.–b, 73.20.Hb, 73.40.Rw
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69686
Теоретически изучены особенности электронного туннелирования через неупорядоченные наноразмерные слои диэлектрика. Получены аналитические выражения для транспортных характеристик контактов металл–изолятор–металл с неоднородной диэлектрической прослойкой и универсальные соотношения, описывающие распределение вероятностей прохождения заряда через разупорядоченную систему потенциальных барьеров. Проанализированы два предельных случая: узкие и высокие барьеры с резкими границами и сравнительно широкие и низкие барьеры, описываемые квазиклассическим приближением. Предсказаны изменения функции распределения прозрачностей аморфного диэлектрического слоя под действием высоких давлений.
Теоретично вивчено особливості електронного тунелювання через невпорядковані нанорозмірні шари діелектрика. Отримано аналітичні вирази для транспортних характеристик контактів метал–ізолятор–метал з неоднорідним діелектричним прошарком та універсальні співвідношення, що описують розподіл ймовірностей проходження заряду через розупорядковану систему потенціальних бар’єрів. Проаналізовано два граничних випадки: вузькі й високі бар’єри з різкими границями та порівняно широкі й низькі бар’єри, які описуються квазікласичним наближенням. Передбачено зміни функції розподілу прозоростей аморфного діелектричного шару під дією високих тисків.
Specific features of electron tunneling through disordered nanoscale dielectric layers are studied theoretically. Analytical expressions for transport characteristics of metal–insulatormetal contacts with an inhomogeneous dielectric layer as well as universal relations describing the distribution of the probability of the charge transfer across a disordered system of potential barriers are obtained. Two limiting cases, narrow and high barriers with abrupt boundaries and relatively broad and low barriers, which may be described by the quasiclassical approximation, have been analyzed. Although the two distribution functions are described by different analytical expressions, there is no qualitative difference between them since both functions are bimodal with a large number of strongly reflected “closed” channels, and at the same time a significant amount of “open” channels with the transmission coefficient near unity.
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
Distribution function of transparencies of highly compressed disordered dielectric layers
Article
published earlier
spellingShingle Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
Белоголовский, М.А.
title Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
title_alt Distribution function of transparencies of highly compressed disordered dielectric layers
title_full Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
title_fullStr Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
title_full_unstemmed Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
title_short Функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
title_sort функция распределения прозрачностей сильно сжатых разупорядоченных слоев диэлектрика
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69686
work_keys_str_mv AT belogolovskiima funkciâraspredeleniâprozračnosteisilʹnosžatyhrazuporâdočennyhsloevdiélektrika
AT belogolovskiima distributionfunctionoftransparenciesofhighlycompresseddisordereddielectriclayers