Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия

• Published in: Физика и техника высоких давлений
• Date: 2014
• Main Authors: Гаджиалиев, М.М., Пирмагомедов, З.Ш., Эфендиева, Т.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2014
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69691
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия / М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 80-83. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa. Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) гетероструктури (ГС) n-GaAs–p-Ge при гідростатичному тиску до 8 GPa при кімнатній температурі. За результатами експериментальних даних знайдено, що баричний коефіцієнт дна зони провідності арсеніда галія γC1 дорівнює 120 meV/GPa. The current voltage characteristic of the n-GaAs–p-Ge heterostructure (HS) was measured at room temperature and the pressure up to 8 GPa for the purpose of determining dependences of GaAs conduction band bottom on the hydrostatic pressure.