Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия

Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия

Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa. Досліджено вольт...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика и техника высоких давлений
Дата:2014
Автори: Гаджиалиев, М.М., Пирмагомедов, З.Ш., Эфендиева, Т.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2014
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69691
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия / М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 80-83. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69691
record_format dspace
spelling Гаджиалиев, М.М.
Пирмагомедов, З.Ш.
Эфендиева, Т.Н.
2014-10-18T15:13:06Z
2014-10-18T15:13:06Z
2014
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия / М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 80-83. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 71.20.Nr
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69691
Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa.
Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) гетероструктури (ГС) n-GaAs–p-Ge при гідростатичному тиску до 8 GPa при кімнатній температурі. За результатами експериментальних даних знайдено, що баричний коефіцієнт дна зони провідності арсеніда галія γC1 дорівнює 120 meV/GPa.
The current voltage characteristic of the n-GaAs–p-Ge heterostructure (HS) was measured at room temperature and the pressure up to 8 GPa for the purpose of determining dependences of GaAs conduction band bottom on the hydrostatic pressure.
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
Experimental determination of the baric coefficient of conduction band edge of GaAs
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
spellingShingle Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
Гаджиалиев, М.М.
Пирмагомедов, З.Ш.
Эфендиева, Т.Н.
title_short Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
title_full Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
title_fullStr Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
title_full_unstemmed Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
title_sort экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
author Гаджиалиев, М.М.
Пирмагомедов, З.Ш.
Эфендиева, Т.Н.
author_facet Гаджиалиев, М.М.
Пирмагомедов, З.Ш.
Эфендиева, Т.Н.
publishDate 2014
language Russian
container_title Физика и техника высоких давлений
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
format Article
title_alt Experimental determination of the baric coefficient of conduction band edge of GaAs
description Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa. Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) гетероструктури (ГС) n-GaAs–p-Ge при гідростатичному тиску до 8 GPa при кімнатній температурі. За результатами експериментальних даних знайдено, що баричний коефіцієнт дна зони провідності арсеніда галія γC1 дорівнює 120 meV/GPa. The current voltage characteristic of the n-GaAs–p-Ge heterostructure (HS) was measured at room temperature and the pressure up to 8 GPa for the purpose of determining dependences of GaAs conduction band bottom on the hydrostatic pressure.
issn 0868-5924
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69691
citation_txt Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия / М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 80-83. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT gadžialievmm éksperimentalʹnoeopredeleniebaričeskogokoéfficientakraâzonyprovodimostiarsenidagalliâ
AT pirmagomedovzš éksperimentalʹnoeopredeleniebaričeskogokoéfficientakraâzonyprovodimostiarsenidagalliâ
AT éfendievatn éksperimentalʹnoeopredeleniebaričeskogokoéfficientakraâzonyprovodimostiarsenidagalliâ
AT gadžialievmm experimentaldeterminationofthebariccoefficientofconductionbandedgeofgaas
AT pirmagomedovzš experimentaldeterminationofthebariccoefficientofconductionbandedgeofgaas
AT éfendievatn experimentaldeterminationofthebariccoefficientofconductionbandedgeofgaas
first_indexed 2025-12-07T15:52:16Z
last_indexed 2025-12-07T15:52:16Z
_version_ 1850865338908934144

Схожі ресурси