Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa. Досліджено вольт...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69691 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия / М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 80-83. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862682370671378432 |
|---|---|
| author | Гаджиалиев, М.М. Пирмагомедов, З.Ш. Эфендиева, Т.Н. |
| author_facet | Гаджиалиев, М.М. Пирмагомедов, З.Ш. Эфендиева, Т.Н. |
| citation_txt | Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия / М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 80-83. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa.
Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) гетероструктури (ГС) n-GaAs–p-Ge при гідростатичному тиску до 8 GPa при кімнатній температурі. За результатами експериментальних даних знайдено, що баричний коефіцієнт дна зони провідності арсеніда галія γC1 дорівнює 120 meV/GPa.
The current voltage characteristic of the n-GaAs–p-Ge heterostructure (HS) was measured at room temperature and the pressure up to 8 GPa for the purpose of determining dependences of GaAs conduction band bottom on the hydrostatic pressure.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:52:16Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-69691 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:52:16Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаджиалиев, М.М. Пирмагомедов, З.Ш. Эфендиева, Т.Н. 2014-10-18T15:13:06Z 2014-10-18T15:13:06Z 2014 Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия / М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 80-83. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 71.20.Nr https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69691 Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa. Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) гетероструктури (ГС) n-GaAs–p-Ge при гідростатичному тиску до 8 GPa при кімнатній температурі. За результатами експериментальних даних знайдено, що баричний коефіцієнт дна зони провідності арсеніда галія γC1 дорівнює 120 meV/GPa. The current voltage characteristic of the n-GaAs–p-Ge heterostructure (HS) was measured at room temperature and the pressure up to 8 GPa for the purpose of determining dependences of GaAs conduction band bottom on the hydrostatic pressure. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия Experimental determination of the baric coefficient of conduction band edge of GaAs Article published earlier |
| spellingShingle | Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия Гаджиалиев, М.М. Пирмагомедов, З.Ш. Эфендиева, Т.Н. |
| title | Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия |
| title_alt | Experimental determination of the baric coefficient of conduction band edge of GaAs |
| title_full | Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия |
| title_fullStr | Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия |
| title_full_unstemmed | Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия |
| title_short | Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия |
| title_sort | экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69691 |
| work_keys_str_mv | AT gadžialievmm éksperimentalʹnoeopredeleniebaričeskogokoéfficientakraâzonyprovodimostiarsenidagalliâ AT pirmagomedovzš éksperimentalʹnoeopredeleniebaričeskogokoéfficientakraâzonyprovodimostiarsenidagalliâ AT éfendievatn éksperimentalʹnoeopredeleniebaričeskogokoéfficientakraâzonyprovodimostiarsenidagalliâ AT gadžialievmm experimentaldeterminationofthebariccoefficientofconductionbandedgeofgaas AT pirmagomedovzš experimentaldeterminationofthebariccoefficientofconductionbandedgeofgaas AT éfendievatn experimentaldeterminationofthebariccoefficientofconductionbandedgeofgaas |