Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa

Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa

Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротив...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика и техника высоких давлений
Дата:2005
Автори: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Магомедов, А.Б., Залибеков, У.З., Маренкин, С.Ф., Новоторцев, В.М., Михайлов, С.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2005
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70122
record_format dspace
spelling Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Магомедов, А.Б.
Залибеков, У.З.
Маренкин, С.Ф.
Новоторцев, В.М.
Михайлов, С.Г.
2014-10-28T20:07:00Z
2014-10-28T20:07:00Z
2005
Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 72.20.−i
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122
Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления.
The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been measured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, parameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P) dependences.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты № 02–02–17888, № 03–02–17677).
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
Фазові переходи у магнітних напівпровідниках Cd1−xMnxGeAs2 і Cd1−xCrxGeAs2 при гідростатичних тисках до 9 GPa
Phase transitions in magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2 at hydrostatic pressure up to 9 GPa
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
spellingShingle Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Магомедов, А.Б.
Залибеков, У.З.
Маренкин, С.Ф.
Новоторцев, В.М.
Михайлов, С.Г.
title_short Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_full Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_fullStr Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_full_unstemmed Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
title_sort фазовые переходы в магнитных полупроводниках cd1−xmnxgeas2 и cd1−xcrxgeas2 при гидростатических давлениях до 9 gpa
author Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Магомедов, А.Б.
Залибеков, У.З.
Маренкин, С.Ф.
Новоторцев, В.М.
Михайлов, С.Г.
author_facet Моллаев, А.Ю.
Камилов, И.К.
Арсланов, Р.К.
Магомедов, А.Б.
Залибеков, У.З.
Маренкин, С.Ф.
Новоторцев, В.М.
Михайлов, С.Г.
publishDate 2005
language Russian
container_title Физика и техника высоких давлений
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
format Article
title_alt Фазові переходи у магнітних напівпровідниках Cd1−xMnxGeAs2 і Cd1−xCrxGeAs2 при гідростатичних тисках до 9 GPa
Phase transitions in magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2 at hydrostatic pressure up to 9 GPa
description Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления. The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been measured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, parameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P) dependences.
issn 0868-5924
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122
fulltext
citation_txt Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mollaevaû fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT kamilovik fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT arslanovrk fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT magomedovab fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT zalibekovuz fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT marenkinsf fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT novotorcevvm fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT mihailovsg fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa
AT mollaevaû fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa
AT kamilovik fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa
AT arslanovrk fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa
AT magomedovab fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa
AT zalibekovuz fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa
AT marenkinsf fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa
AT novotorcevvm fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa
AT mihailovsg fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa
AT mollaevaû phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa
AT kamilovik phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa
AT arslanovrk phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa
AT magomedovab phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa
AT zalibekovuz phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa
AT marenkinsf phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa
AT novotorcevvm phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa
AT mihailovsg phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa
first_indexed 2025-11-25T20:47:25Z
last_indexed 2025-11-25T20:47:25Z
_version_ 1850535111384104960

Схожі ресурси