Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротив...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862550589885382656 |
|---|---|
| author | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. |
| author_facet | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. |
| citation_txt | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления.
The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been measured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, parameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P) dependences.
|
| first_indexed | 2025-11-25T20:47:25Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70122 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T20:47:25Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. 2014-10-28T20:07:00Z 2014-10-28T20:07:00Z 2005 Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 72.20.−i https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122 Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления. The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been measured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, parameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P) dependences. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты № 02–02–17888, № 03–02–17677). ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa Фазові переходи у магнітних напівпровідниках Cd1−xMnxGeAs2 і Cd1−xCrxGeAs2 при гідростатичних тисках до 9 GPa Phase transitions in magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2 at hydrostatic pressure up to 9 GPa Article published earlier |
| spellingShingle | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. |
| title | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_alt | Фазові переходи у магнітних напівпровідниках Cd1−xMnxGeAs2 і Cd1−xCrxGeAs2 при гідростатичних тисках до 9 GPa Phase transitions in magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2 at hydrostatic pressure up to 9 GPa |
| title_full | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_fullStr | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_full_unstemmed | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_short | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_sort | фазовые переходы в магнитных полупроводниках cd1−xmnxgeas2 и cd1−xcrxgeas2 при гидростатических давлениях до 9 gpa |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122 |
| work_keys_str_mv | AT mollaevaû fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT kamilovik fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT arslanovrk fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT magomedovab fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT zalibekovuz fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT marenkinsf fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT novotorcevvm fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT mihailovsg fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT mollaevaû fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT kamilovik fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT arslanovrk fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT magomedovab fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT zalibekovuz fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT marenkinsf fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT novotorcevvm fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT mihailovsg fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT mollaevaû phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT kamilovik phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT arslanovrk phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT magomedovab phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT zalibekovuz phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT marenkinsf phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT novotorcevvm phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT mihailovsg phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa |