Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротив...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859517627065434112 |
|---|---|
| author | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. |
| author_facet | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. |
| citation_txt | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления.
The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been measured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, parameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P) dependences.
|
| first_indexed | 2025-11-25T20:47:25Z |
| format | Article |
| fulltext |
Физика и техника высоких давлений 2005, том 15, № 1
126
PACS: 72.20.−i
А.Ю. Моллаев1, И.К. Камилов1, Р.К. Арсланов1, А.Б. Магомедов1,
У.З. Залибеков1, С.Ф. Маренкин2, В.М. Новоторцев2, С.Г. Михайлов2
ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Cd1−xMnxGeAs2 И Cd1−xCrxGeAs2 ПРИ ГИДРОСТАТИЧЕСКИХ
ДАВЛЕНИЯХ ДО 9 GPa
1Институт физики Дагестанского научного центра РАН
ул. М. Ярагского, 94, г. Махачкала, 367003, Россия
E-mail: a.mollaev@mail.ru
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
Москва, Россия
Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэф-
фициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K
на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием
марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопро-
тивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые перехо-
ды на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рас-
считаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области
комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристи-
ческие точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового
состава от давления.
Введение
Семейство тройных полупроводников с общей формулой V
2
IVII CBA , яв-
ляющейся кристаллохимическим аналогом полупроводников AIIBIV, интен-
сивно изучается последние 40 лет. Однако до недавнего времени твердые
растворы, содержащие марганец, не рассматривались [1]. В последние годы
большое внимание уделяется разбавленным магнитным полупроводникам
ввиду возможного применения в устройствах, одновременно использующих
магнитные и полупроводниковые свойства. Наиболее изученной является
система GaAsMn, однако температура Кюри TC в ней не превышает 110 K.
Для использования в спинтронике нужны ферромагнитные полупроводники
с TC > 300 K. Недавно высокотемпературный ферромагнетизм был обнару-
жен в халькопиритах CdGeP2 : Mn, ZnGeP2Mn [2−4] и ZnSnAs2Mn [5], в ко-
Физика и техника высоких давлений 2005, том 15, № 1
127
торых TC > 300 K. В ИОНХ РАН впервые был получен халькопирит
CdGeAs2 : Mn, в котором TC = 355 K [6]. По данным рентгенофазового ана-
лиза все образцы имели структуру халькопирита и являлись однофазными.
Измерения намагниченности производили СКВИД-магнитометром, а элек-
тросопротивления – четырехзондовым методом. Парамагнитная восприим-
чивость была измерена весовым методом с электромагнитной компенсацией.
Температура Кюри TC определяется как температура максимума на кривой
зависимости dM/dT от T (где M − намагниченность) для составов 3 и 6%. Ве-
личина TC достигала 355 K – это самое высокое значение в системах
V
2
IVII CBA : Mn. Все вышеизложенное на примере CdGeAs2 : Mn позволяет
сделать вывод об актуальности исследований энергетического спектра по-
добных соединений при атмосферном и высоком давлении и их поведения в
области полиморфного превращения при всестороннем сжатии.
Методика и техника эксперимента
Измерения проводили на моно- и поликристаллических образцах
p-Cd1−xMnxGeAs2 (соответственно х = 0.06 и 0.18) в аппаратах высокого дав-
ления типа «Тороид» при гидростатических давлениях до P < 9 GPa в облас-
ти комнатных температур при подъеме и сбросе давления [7,8]. Синтез об-
разцов проводили из высокочистых порошков CdAs2 и Ge, приготовленных
из монокристаллов. Марганец и хром использовали марки ЧДА. Образцы
имели форму параллелепипеда с размерами 3 × 1.0 × 1.0 mm, однородность
образцов контролировали по значениям ρ и RH четырехзондовым методом.
Основные электрофизические параметры исследованных образцов пред-
ставлены в табл. 1, где ρ, RH и µH − соответственно удельное сопротивление,
коэффициент Холла и подвижность носителей.
Таблица 1
Электрофизические параметры образцов при комнатной температуре
и атмосферном давлении
Образцы № x RH, cm3·C−1 ρ, Ω·cm µH, cm2·V−1·s−1
1 0.06 2250 10 225
p-Cd1−xMnxGeAs2 2 0.18 10 0.23 43.4
p-Cd1-xCrxGeAs2 3 0.01 – 0.04 –
Результаты измерений, обсуждение
В интервале температур 77.6−450 K на кристаллах Cd1−xMnxGeAs2 с раз-
личным содержанием марганца измерены электропроводность σ, коэффици-
ент Холла RH при атмосферном давлении. Результаты эксперимента приве-
дены на рис. 1 (зачерненными символами обозначены данные, относящиеся
к образцу № 1, а светлыми − к образцу № 2). Найденные по температурной
зависимости для холловской подвижности µH(T) (образец № 1) степенные
Физика и техника высоких давлений 2005, том 15, № 1
128
зависимости µH ~ T
1.05 и µH ~ T
–0.8 в
интервалах температур соответствен-
но 150−250 и 260−400 K позволяют
сделать вывод о том, что в первом ин-
тервале температур преобладают рас-
сеяния на ионах примеси, а во втором −
рассеяния на колебаниях решетки.
На рис. 2 представлены экспери-
ментальные результаты исследова-
ния барических зависимостей удель-
ного электросопротивления и коэф-
фициента Холла для образцов кри-
сталлов Cd1−xMnxGeAs2 (образцы № 1
и 2) и Cd1−xCrxGeAs2 (образец № 3).
Из барических зависимостей удель-
ного электросопротивления следует,
что при подъеме давления (рис. 2,
кривая 1, зачерненные символы) ρ ме-
няется слабо до давления P ≤ 0.9 GPa.
Это обусловлено тем, что слабый
рост концентрации носителей заряда компенсируется падением их подвиж-
ности. При P = 0.9 ± 0.1 GPa удельное сопротивление резко падает почти на
5 порядков – начинается фазовый переход; при P > 1.6 GPa кривая ρ(P) вы-
ходит на насыщение, фазовый переход завершается.
0 1 2 3 4 5 6 7 8
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
3
2
1
ρ,
Ω
⋅c
m
P, GPa
0 1 2 3 4 5 6 7
10-2
10-1
100
101
102
103
104
3
2
1
R H
, c
m
3 ⋅C
–1
P, GPa
а б
Рис. 2. Зависимости удельного сопротивления ρ (а) и коэффициента Холла RH (б)
от давления P для образцов Cd1−xMnxGeAs2 (кривые 1, 2) и Cd1−xCrxGeAs2 (кривая
3). Номера кривых соответствуют номерам образцов
Рис. 1. Зависимость удельной проводи-
мости σ, коэффициента Холла RH и
холловской подвижности µH от темпе-
ратуры T для образцов № 1 (зачернен-
ные символы) и № 2 (светлые символы)
0 100 200 300 400 500
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
102
103
104
105
106 RH
µH
RH
σ
µH
σ
RH
σ,
Ω
–1
⋅c
m
–1
; R
H
, c
m
3 ⋅C
–1
; µ
H
, c
m
2 ⋅V
–1
⋅s–1
T, K
Физика и техника высоких давлений 2005, том 15, № 1
129
В области насыщения ρ(P) при P > 1.6 GPa величина удельной электро-
проводности σ ≈ 3000 Ω−1·cm−1 значительно превышает теоретически рас-
считанные значения минимальной металлической проводимости [9], которая
по разным оценкам составляет от 200 до 1000 Ω−1·cm−1. Это позволяет ут-
верждать, что в конце фазового перехода имеет место металлическая прово-
димость. При сбросе давления (рис. 2,а, кривая 1, светлые символы) зависи-
мость ρ(P) испытывает гистерезис и при P = 0.6 ± 0.05 GPa наблюдается фа-
зовый переход.
Аналогичный сценарий наблюдается и на барической зависимости коэф-
фициента Холла (рис. 2,б, кривая 1). После фазового перехода в области на-
сыщения при P > 1.6 GPa концентрация носителей составляет ≈ 1020 cm−3,
что еще раз подтверждает наличие металлической проводимости. Наличие
гистерезиса на барических зависимостях ρ(P) и RH(P) и тот факт, что вели-
чины ρ и RH при атмосферном давлении и после снятия давления совпадают,
позволяют сделать вывод, что в Cd1−xMnxGeAs2 (образец № 1) обнаружен
обратимый структурный фазовый переход полупроводник–металл.
В образце № 2 при подъеме давления (рис. 2,а, кривая 2, зачерненные
символы) барическая зависимость удельного сопротивления ρ(P) до давле-
ний P ≤ 4.5 GPa меняется слабо, что обусловлено взаимной компенсацией
изменения концентрации и подвижности носителей заряда. При P = 4.5 ± 0.2 GPa
значение ρ(P) резко падает почти на три порядка и при P > 6.5 GPa выходит
на насыщение, наступает металлизация, σ ≈ 2850 Ω−1·cm−1. При сбросе дав-
ления (светлые символы) наблюдается значительный гистерезис и при
P = 3.1 ± 0.1 GPa на кривой ρ(P) имеет место фазовый переход. Барическая
зависимость коэффициента Холла (рис. 2,б, кривая 2) имеет более сложный
характер. На ней можно выделить четыре области: 1) примесной проводимо-
сти – P < 0.6 GPa, RH растет с давлением; 2) истощения носителей заряда −
P = 0.6−1.9 GPa, RH выходит на плато; 3) падения коэффициента Холла поч-
ти до нуля с последующим возрастанием, причина которого обсуждается, −
P = 1.9−4.5 GPa и 4) фазового превращения – P = 4.5−6.5 GPa. В области насы-
щения RH(P) при P > 6.5 GPa концентрация носителей заряда n ≈ 5·1020 cm−3.
Проанализировав поведение барических зависимостей ρ(P) и RH(P) для
образца № 2, можно по аналогии с образцом № 1 сделать вывод, что в
Cd1−xMnxGeAs2 (x = 0.18) также имеет место обратимый структурный фазо-
вый переход полупроводник–металл.
В образце № 3 Cd0.99Cr0.01GeAs2 фазовый переход наблюдается при
P ~ 4.8 GPa (рис. 2,а, кривая 3).
Сравнение результатов, полученных в настоящей работе и в [8,10−12], с
известными данными рентгеноструктурных исследований фазовых перехо-
дов под давлением [13] позволило сделать вывод о том, что наблюдаемый
термодинамический гистерезис (табл. 2) в исследованных образцах соответ-
ствует наличию структурного фазового перехода под давлением.
Физика и техника высоких давлений 2005, том 15, № 1
130
Таблица 2
Характеристические параметры (GPa) исследованных образцов
в области фазового превращения
Образцы № x Рb Рe P0 PMP PGT PGF Р′b Р′e P′0 P′MP P′GT P′GF
1 0.06 0.9 1.6 0.75 1.25 0.8 0.7 0.6 0.1 0.75 0.35 0.8 0.5
p-Cd1−xMnxGeAs2 2 0.18 4.5 6.5 3.8 5.5 2.5 2.0 3.1 2.0 3.8 2.55 2.5 1.1
На основе представлений о поведении гетерофазных структур под давле-
нием в области фазового превращения [14−19], методологии, изложенной в
работе [20], и собственных экспериментальных данных определены характери-
стические точки и параметры фазового перехода: точки фазового равновесия
P0, точки метастабильного равновесия РМР, гистерезис термодинамический
PGT, гистерезис флуктуационный PGF при подъеме и сбросе давления для
всех исследованных образцов. Полученные результаты приведены в табл. 2.
На основе модели гетерофазная структура−эффективная среда [19] и теории
протекания рассчитана динамика изменения объемной доли исходной фазы C1 от
давления: при Pb C1 = 1 и C2 = 0, а при Pe C1 = 0 и C2 = 1. Здесь C1 и C2 – относи-
тельные объемы фаз: C1 = V1/(V1 + V2), C2 = V2/(V1 + V2), C1 + C2 = 1 (где V1, V2 –
объем соответственно исходной и образующейся фаз. На рис. 3 представлена за-
висимость объемной доли исходной фазы C1 от давления при подъеме и сбросе
давления для образцов p-Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца.
С
1
0.0 1.0 2.0 3.0
P, GPa
P'e
4.0
P'b Pb Pe1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
С
1
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.0 2.0
P, GPa
4.0 6.0
P'e P'b Pb Pe
а б
Рис. 3. Зависимость объемной доли исходной фазы C1 от давления при подъеме и
сбросе давления для Cd1−xMnxGeAs2: а − образец № 1, б − образец № 2
Физика и техника высоких давлений 2005, том 15, № 1
131
Заключение
В магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 (х = 0.06 и 0.18) и
Cd1−xCrxGeAs2 (x = 0.01) обнаружены структурные фазовые переходы, опре-
делены характеристические точки, параметры фазового превращения и рас-
считана динамика изменения фазового состава с изменением давления.
На основе полученных экспериментальных результатов можно сделать вы-
вод, что p-Cd1−xMnxGeAs2 является удобным материалом для создания рези-
стивных полупроводниковых датчиков давления. Изменение процентного со-
держания марганца в Cd1−xMnxGeAs2 позволяет регулировать положение точки
фазового перехода (реперной точки) на шкале высоких давлений в довольно
широких пределах, в нашем случае от P = 0.9 ± 0.1 GPa до P = 4.5 ± 0.2 GPa.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фунда-
ментальных исследований (проекты № 02–02–17888, № 03–02–17677).
1. Г.А. Медведкин, Т. Ишибаши, Т. Ниши, К. Сато, ФТП 35, 342 (2001).
2. G.A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, et al., Japan. J. Appl. Phys. 39, L949 (2000).
3. G.A. Medvedkin, K. Hirose, T. Ishibashi, et al., J. Cryst. Growth. 236, 609 (2002).
4. K. Sato, G.A. Medvedkin, T. Nishi, Y. Hasegawa, R. Misava, K. Hirose, T. Ishibashi,
J. Appl. Phys. 89, 7027 (2002).
5. S. Choi, G.-B Cha, S. Hong, et al., Solid State Commun. 122, 165 (2002).
6. Р.В. Демин, Л.И. Королев, С.Ф. Маренкин, С.Т. Михайлов, Т.Г. Аминов, Г.Г. Ша-
бунина, Р. Шимчак, М. Баран, в сб.: Труды XIX Межд. школы-семинара «Новые
магнитные материалы микроэлектроники», Москва (2004), с. 342.
7. L.G. Khvostantsev, V.A. Sidorov, Phys. Status Solidi A64, 379 (1991).
8. А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Габибов, С.Ф. Маренкин,
ФТВД 11, № 4, 61 (2001).
9. Н. Мотт, Э. Дэвис, Электронные процессы в некристаллических веществах, T. 1,
Мир, Москва (1982).
10. Н.А. Николаев, Л.Г. Хвостанцев, В.Е. Зиновьев, А.А. Старостин, ЖЭТФ 91,
1001 (1986).
11. А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, С.Ф. Габибов, ФТВД 12, № 4, 25 (2002).
12. А.Ю. Моллаев, Л.А. Сайпулаева, Ю.М. Иванов, ФТВД 13, № 1, 43 (2003).
13. Е.Ю. Тонков, Фазовые превращения соединений при высоком давлении, Метал-
лургия, Москва (1988).
14. А.Л. Ройтбурд, УФН 113, 69 (1974).
15. А.Л. Ройтбурд, ФТТ 25, 33 (1983).
16. А.Л. Ройтбурд, ФТТ 26, 2025 (1984).
17. В.Н. Козлов, Г.Р. Умаров, А.А. Фирсанов, ФТВД вып. 23, 9 (1986).
18. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Ю. Моллаев, С.М. Салихов, Л.А. Сайпулаева,
Сверхтвердые материалы № 3, 3 (1992).
19. М.И. Даунов, М.С. Буттаев, А.Б. Магомедов, СФХТ 5, 73 (1992).
20. А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Р.И. Ахмедов, Л.А. Сайпулаева, ФТВД 4, № 3−4,
66 (1994).
Физика и техника высоких давлений 2005, том 15, № 1
132
A.Yu. Mollaev, I.K. Kamilov, R.K. Arslanov, A.B. Magomedov, U.Z. Zalibekov,
S.F. Marenkin, V.M. Novotortsev, S.G. Mikhailov
PHASE TRANSITIONS IN MAGNETIC SEMICONDUCTORS
Cd1−xMnxGeAs2 AND Cd1−xCrxGeAs2
AT HYDROSTATIC PRESSURE UP TO 9 GPa
The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been meas-
ured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semi-
conductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By
the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been
revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and
Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier
scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, pa-
rameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with
pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P)
dependences.
Fig. 1. Dependence of conductivity σ, Hall coefficient RH and Hall mobility µH on tem-
perature T for samples № 1(black symbols) and № 2 (light symbols)
Fig. 2. Dependences of resistivity ρ (а) and Hall coefficient RH (б) on pressure P for
samples of Cd1−xMnxGeAs2 (curves 1, 2) and Cd1−xCrxGeAs2 (curve 3). The curve num-
bers correspond to those of samples
Fig. 3. Pressure dependence of the volume fraction of initial phase C1 at pressure rise and
relief for Cd1−xMnxGeAs2: а − sample № 1, б − sample № 2
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70122 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T20:47:25Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. 2014-10-28T20:07:00Z 2014-10-28T20:07:00Z 2005 Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 72.20.−i https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122 Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления. The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been measured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, parameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P) dependences. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты № 02–02–17888, № 03–02–17677). ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa Фазові переходи у магнітних напівпровідниках Cd1−xMnxGeAs2 і Cd1−xCrxGeAs2 при гідростатичних тисках до 9 GPa Phase transitions in magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2 at hydrostatic pressure up to 9 GPa Article published earlier |
| spellingShingle | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Магомедов, А.Б. Залибеков, У.З. Маренкин, С.Ф. Новоторцев, В.М. Михайлов, С.Г. |
| title | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_alt | Фазові переходи у магнітних напівпровідниках Cd1−xMnxGeAs2 і Cd1−xCrxGeAs2 при гідростатичних тисках до 9 GPa Phase transitions in magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2 at hydrostatic pressure up to 9 GPa |
| title_full | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_fullStr | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_full_unstemmed | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_short | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa |
| title_sort | фазовые переходы в магнитных полупроводниках cd1−xmnxgeas2 и cd1−xcrxgeas2 при гидростатических давлениях до 9 gpa |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122 |
| work_keys_str_mv | AT mollaevaû fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT kamilovik fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT arslanovrk fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT magomedovab fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT zalibekovuz fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT marenkinsf fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT novotorcevvm fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT mihailovsg fazovyeperehodyvmagnitnyhpoluprovodnikahcd1xmnxgeas2icd1xcrxgeas2prigidrostatičeskihdavleniâhdo9gpa AT mollaevaû fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT kamilovik fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT arslanovrk fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT magomedovab fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT zalibekovuz fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT marenkinsf fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT novotorcevvm fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT mihailovsg fazovíperehodiumagnítnihnapívprovídnikahcd1xmnxgeas2ícd1xcrxgeas2prigídrostatičnihtiskahdo9gpa AT mollaevaû phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT kamilovik phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT arslanovrk phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT magomedovab phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT zalibekovuz phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT marenkinsf phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT novotorcevvm phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa AT mihailovsg phasetransitionsinmagneticsemiconductorscd1xmnxgeas2andcd1xcrxgeas2athydrostaticpressureupto9gpa |