Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротив...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Магомедов, А.Б., Залибеков, У.З., Маренкин, С.Ф., Новоторцев, В.М., Михайлов, С.Г. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2005
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2007)
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2007)
Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)
Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)
Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)
Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)
Influence of replacement of Mn by Cr on magnetocaloric properties of quenched NiMn1–xCrxGe alloys
by: E. Zubov, et al.
Published: (2018)
by: E. Zubov, et al.
Published: (2018)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)
by: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Published: (2013)
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
by: Хейфец, О.Л., et al.
Published: (2007)
by: Хейфец, О.Л., et al.
Published: (2007)
Metal vacancies in Cd1-xZnxS quantum dots
by: I. M. Kupchak, et al.
Published: (2020)
by: I. M. Kupchak, et al.
Published: (2020)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Загоруйко, Ю.А., et al.
Published: (2010)
by: Загоруйко, Ю.А., et al.
Published: (2010)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)
Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
by: Yu. Pavelets, et al.
Published: (2019)
by: Yu. Pavelets, et al.
Published: (2019)
Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
by: Yu. Pavelets, et al.
Published: (2019)
by: Yu. Pavelets, et al.
Published: (2019)
Tunnel injection of spin-polarized current in Co2CrxFe1–xAl (x = 1, 0.6)–insulator–superconductor heterostructures
by: E. M. Rudenko, et al.
Published: (2016)
by: E. M. Rudenko, et al.
Published: (2016)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Томашик, З.Ф., et al.
Published: (2013)
by: Томашик, З.Ф., et al.
Published: (2013)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013)
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
by: Z. F. Tomashik, et al.
Published: (2013)
by: Z. F. Tomashik, et al.
Published: (2013)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
by: Arapov, Yu.G., et al.
Published: (2007)
by: Arapov, Yu.G., et al.
Published: (2007)
Квантование магнитного момента в наносандвичах CdBxF₂₋x/p-CdF₂₋QW/CdBxF₂₋x
by: Баграев, Н.Т., et al.
Published: (2014)
by: Баграев, Н.Т., et al.
Published: (2014)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
by: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Published: (2004)
by: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Published: (2004)
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2004)
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2004)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
by: E. O. Melezhik, et al.
Published: (2014)
by: E. O. Melezhik, et al.
Published: (2014)
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
by: Gnilenko, A. B., et al.
Published: (2015)
by: Gnilenko, A. B., et al.
Published: (2015)
Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
by: I. B. Sapaev
Published: (2013)
by: I. B. Sapaev
Published: (2013)
Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
by: Halyan, V.V., et al.
Published: (2003)
by: Halyan, V.V., et al.
Published: (2003)
Туннельная инжекция спин-поляризованного тока в гетероструктурах Co₂CrxFe₁₋xAl (x = 1, 0,6) – изолятор–сверхпроводник
by: Руденко, Э.М., et al.
Published: (2016)
by: Руденко, Э.М., et al.
Published: (2016)
Quantization of the magnetic moment in CdBxF2–x/p-CdF2–QW/CdBxF2–x nanosandwiches
by: N. T. Bagraev, et al.
Published: (2014)
by: N. T. Bagraev, et al.
Published: (2014)
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
by: Сапаев, И.Б.
Published: (2013)
by: Сапаев, И.Б.
Published: (2013)
Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
by: M. R. Kulish, et al.
Published: (2010)
by: M. R. Kulish, et al.
Published: (2010)
Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2010)
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2010)
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2004)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2004)
Низкотемпературные магнитные свойства ферритов NiCrxFe₂₋xO₄
by: Бушкова, В.С.
Published: (2018)
by: Бушкова, В.С.
Published: (2018)
Низкотемпературные магнитные свойства ферритов NiCrxFe₂–xO₄
by: Бушкова, В.С.
Published: (2017)
by: Бушкова, В.С.
Published: (2017)
Electrical and dielectrical properties of composites based on (Ag1-xCux)7GeS5I mixed crystals
by: Yu. Izai, et al.
Published: (2018)
by: Yu. Izai, et al.
Published: (2018)
Optical properties of cation-substituted (Cu1 – xAgx)7GeSe5I mixed crystal
by: M. M. Pop, et al.
Published: (2021)
by: M. M. Pop, et al.
Published: (2021)
Optical properties of cation-substituted (Cu1 – xAgx)7GeSe5I mixed crystal
by: M. M. Pop, et al.
Published: (2021)
by: M. M. Pop, et al.
Published: (2021)
Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
by: Malesh, V.I., et al.
Published: (2002)
by: Malesh, V.I., et al.
Published: (2002)
Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS2)100-x(SbSI)x glasses and composites on their basis
by: V. M. Rubish, et al.
Published: (2014)
by: V. M. Rubish, et al.
Published: (2014)
CdZnTe sensors for X-ray measurements
by: A. V. Rybka, et al.
Published: (2006)
by: A. V. Rybka, et al.
Published: (2006)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
by: Venger, E.F., et al.
Published: (2006)
by: Venger, E.F., et al.
Published: (2006)
Similar Items
-
Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2007) -
Кинетические эффекты в ориентированных монокристаллах p-Cd₉₄.₇Mn₅.₅GeAs₂ при высоких давлениях
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009) -
Барические, температурные и магнитополевые зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₀.₇Mn₀.₃GeAs₂
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009) -
Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009) -
Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)