Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa

• Опубліковано в: : Физика и техника высоких давлений
• Дата: 2005
• Автори: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Магомедов, А.Б., Залибеков, У.З., Маренкин, С.Ф., Новоторцев, В.М., Михайлов, С.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2005
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70122
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, А.Б. Магомедов, У.З. Залибеков, С.Ф. Маренкин, В.М. Новоторцев, С.Г. Михайлов // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 1. — С. 126-132. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротив...