Электронный транспорт монокристаллического цинкита при нормальном и высоком давлении

• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Арсланов, Р.К., Гаджиалиев, М.М., Даунов, М.И., Кортунова, Е.В., Хохлачев, П.П., Шванский, П.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2005
• Schriftenreihe: Физика и техника высоких давлений
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70138
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электронный транспорт монокристаллического цинкита при нормальном и высоком давлении / Р.К. Арсланов, М.М. Гаджиалиев, М.И. Даунов, Е.В. Кортунова, П.П. Хохлачев, П.П. Шванский // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 2. — С. 56-60. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

На объемных монокристаллических образцах n-ZnO, выращенных гидротермальным методом, с концентрацией электронов 10¹³−10¹⁷ cm⁻³ измерены электропроводность σ и коэффициент Холла RH при атмосферном давлении в интервале температур 77−400 K и гидростатическом давлении до P = 7 GPa при 300 K. Установлено, что характер кинетических свойств оксида цинка определяется мелким водородоподобным донором, энергия ионизации которого Ed = (0.052 − 2.76·10⁻⁸Nd¹/³ + 0.005P) eV.