Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄
Представлены результаты экспериментальных исследований микротвердости по Виккерсу HV кристаллов Тl₃VS₄. Измерения выполнены на кристаллографических плоскостях (100), (110) и (111) с диагональю индентора, направленной вдоль [110]. Приведены результаты измерений HV в зависимости от нагрузки для неотож...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70175 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ / Б.В. Беляев, В.А. Грицких, И.В. Жихарев, С.В. Кара-Мурза, Н.В. Корчикова // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 4. — С. 76-84. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70175 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Беляев, Б.В. Грицких, В.А. Жихарев, И.В. Кара-Мурза, С.В. Корчикова, Н.В. 2014-10-30T18:03:01Z 2014-10-30T18:03:01Z 2005 Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ / Б.В. Беляев, В.А. Грицких, И.В. Жихарев, С.В. Кара-Мурза, Н.В. Корчикова // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 4. — С. 76-84. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.40.−z https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70175 Представлены результаты экспериментальных исследований микротвердости по Виккерсу HV кристаллов Тl₃VS₄. Измерения выполнены на кристаллографических плоскостях (100), (110) и (111) с диагональю индентора, направленной вдоль [110]. Приведены результаты измерений HV в зависимости от нагрузки для неотожженных и отожженных при различных режимах отжига образцов; установлен оптимальный режим отжига. Корректность измерений подтверждена согласием между микротвердостью HV*, соответствующей началу пластической деформации, и корректированной микротвердостью HVc, полученной по наклону зависимости нагрузки от диагонали отпечатка. Сравниваются значения микротвердости HV* кристаллов Тl₃VS₄, найденные методами Бриджмена− Стокбаргера и зонной перекристаллизации под давлением аргона. Предложена полуэмпирическая формула для описания микротвердости ионных и ионно-ковалентных кристаллов. Выполнен сравнительный анализ экспериментальных и расчетных значений микротвердости для всех изоструктурных соединений класса Tl₃B⁵C₄⁶ (B⁵ − V, Nb, Ta; C⁶ − S, Se). Experimental results of Vickers microhardness HV researches of single crystals Тl₃VS₄ are presented. Measurements were performed on the crystallographic planes (100), (110) and (111) with indenter diagonal directed along [110]. Load-dependent microhardness HV(P) was studied on unannealed and annealed samples at various conditions of annealing and the optimal condition of annealing was determined. Correctness of measuring follows from the comparison of corrected microhardness HVc, that was determined as slope of the function P1/2(d), and load-independent microhardness HV*. Values of microhardness HV* of Тl₃VS₄ crystals obtained by the methods of Bridgman−Stockbarger and by floating-zone refining are compared. Semiempirical formula for the description of microhardness of ionic and ion-covalent crystals is proposed. Comparative analysis of experimental and calculated values of microhardness for all compounds of the Tl₃B⁵C₄⁶ type(B⁵ − V, Nb, Ta; C⁶ − S, Se) is carried out. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ Мікротвердість кристалів Тl₃VS₄ Microhardness of Тl₃VS₄ crystals Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ |
| spellingShingle |
Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ Беляев, Б.В. Грицких, В.А. Жихарев, И.В. Кара-Мурза, С.В. Корчикова, Н.В. |
| title_short |
Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ |
| title_full |
Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ |
| title_fullStr |
Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ |
| title_full_unstemmed |
Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ |
| title_sort |
микротвердость кристаллов тl₃vs₄ |
| author |
Беляев, Б.В. Грицких, В.А. Жихарев, И.В. Кара-Мурза, С.В. Корчикова, Н.В. |
| author_facet |
Беляев, Б.В. Грицких, В.А. Жихарев, И.В. Кара-Мурза, С.В. Корчикова, Н.В. |
| publishDate |
2005 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика и техника высоких давлений |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Мікротвердість кристалів Тl₃VS₄ Microhardness of Тl₃VS₄ crystals |
| description |
Представлены результаты экспериментальных исследований микротвердости по Виккерсу HV кристаллов Тl₃VS₄. Измерения выполнены на кристаллографических плоскостях (100), (110) и (111) с диагональю индентора, направленной вдоль [110]. Приведены результаты измерений HV в зависимости от нагрузки для неотожженных и отожженных при различных режимах отжига образцов; установлен оптимальный режим отжига. Корректность измерений подтверждена согласием между микротвердостью HV*, соответствующей началу пластической деформации, и корректированной микротвердостью HVc, полученной по наклону зависимости нагрузки от диагонали отпечатка. Сравниваются значения микротвердости HV* кристаллов Тl₃VS₄, найденные методами Бриджмена− Стокбаргера и зонной перекристаллизации под давлением аргона. Предложена полуэмпирическая формула для описания микротвердости ионных и ионно-ковалентных кристаллов. Выполнен сравнительный анализ экспериментальных и расчетных значений микротвердости для всех изоструктурных соединений класса Tl₃B⁵C₄⁶ (B⁵ − V, Nb, Ta; C⁶ − S, Se).
Experimental results of Vickers microhardness HV researches of single crystals Тl₃VS₄ are presented. Measurements were performed on the crystallographic planes (100), (110) and (111) with indenter diagonal directed along [110]. Load-dependent microhardness HV(P) was studied on unannealed and annealed samples at various conditions of annealing and the optimal condition of annealing was determined. Correctness of measuring follows from the comparison of corrected microhardness HVc, that was determined as slope of the function P1/2(d), and load-independent microhardness HV*. Values of microhardness HV* of Тl₃VS₄ crystals obtained by the methods of Bridgman−Stockbarger and by floating-zone refining are compared. Semiempirical formula for the description of microhardness of ionic and ion-covalent crystals is proposed. Comparative analysis of experimental and calculated values of microhardness for all compounds of the Tl₃B⁵C₄⁶ type(B⁵ − V, Nb, Ta; C⁶ − S, Se) is carried out.
|
| issn |
0868-5924 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70175 |
| citation_txt |
Микротвердость кристаллов Тl₃VS₄ / Б.В. Беляев, В.А. Грицких, И.В. Жихарев, С.В. Кара-Мурза, Н.В. Корчикова // Физика и техника высоких давлений. — 2005. — Т. 15, № 4. — С. 76-84. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT belâevbv mikrotverdostʹkristallovtl3vs4 AT grickihva mikrotverdostʹkristallovtl3vs4 AT žihareviv mikrotverdostʹkristallovtl3vs4 AT karamurzasv mikrotverdostʹkristallovtl3vs4 AT korčikovanv mikrotverdostʹkristallovtl3vs4 AT belâevbv míkrotverdístʹkristalívtl3vs4 AT grickihva míkrotverdístʹkristalívtl3vs4 AT žihareviv míkrotverdístʹkristalívtl3vs4 AT karamurzasv míkrotverdístʹkristalívtl3vs4 AT korčikovanv míkrotverdístʹkristalívtl3vs4 AT belâevbv microhardnessoftl3vs4crystals AT grickihva microhardnessoftl3vs4crystals AT žihareviv microhardnessoftl3vs4crystals AT karamurzasv microhardnessoftl3vs4crystals AT korčikovanv microhardnessoftl3vs4crystals |
| first_indexed |
2025-12-07T19:16:18Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:16:18Z |
| _version_ |
1850878175554306048 |