Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2006
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70226 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K / А.Н. Бабушкин, С.В. Татур, Т.С. Лях, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 51-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862539184931078144 |
|---|---|
| author | Бабушкин, А.Н. Татур, С.В. Лях, Т.С. Моллаев, А.Ю. Арсланов, Р.К. Сайпулаева, Л.А. Маренкин, С.Ф. |
| author_facet | Бабушкин, А.Н. Татур, С.В. Лях, Т.С. Моллаев, А.Ю. Арсланов, Р.К. Сайпулаева, Л.А. Маренкин, С.Ф. |
| citation_txt | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K / А.Н. Бабушкин, С.В. Татур, Т.С. Лях, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 51-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость определяется активационными механизмами, причем энергии активации изменяются с изменением температуры и давления. Рассчитаны барические зависимости энергии активации и коэффициента R₀.
The electrical conductivity has been measured with rise and release of pressure at high pressure up to 50 GPa in ZnAs₂, a conclusion of the presence of the structural phase transition at P ≈ 40 GPa has been drawn. According to temperature dependence of the electrical resistance, it was shown that electrical conductivity is defined by activation mechanisms in the temperature range 250−400 K, the activation energy changing with temperature and pressure change. Baric dependences for the activation energy and the coefficient R₀ have been calculated.
|
| first_indexed | 2025-11-24T15:12:57Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70226 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T15:12:57Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бабушкин, А.Н. Татур, С.В. Лях, Т.С. Моллаев, А.Ю. Арсланов, Р.К. Сайпулаева, Л.А. Маренкин, С.Ф. 2014-10-31T17:20:25Z 2014-10-31T17:20:25Z 2006 Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K / А.Н. Бабушкин, С.В. Татур, Т.С. Лях, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 51-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 61.50.Ks https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70226 При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость определяется активационными механизмами, причем энергии активации изменяются с изменением температуры и давления. Рассчитаны барические зависимости энергии активации и коэффициента R₀. The electrical conductivity has been measured with rise and release of pressure at high pressure up to 50 GPa in ZnAs₂, a conclusion of the presence of the structural phase transition at P ≈ 40 GPa has been drawn. According to temperature dependence of the electrical resistance, it was shown that electrical conductivity is defined by activation mechanisms in the temperature range 250−400 K, the activation energy changing with temperature and pressure change. Baric dependences for the activation energy and the coefficient R₀ have been calculated. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K Електропровідність диарсеніду цинку при тисках 15−50 GPa i температурах 77−400 K The electrical conductivity of ZnAs₂ at pressures of 15−50 GPa and temperatures of 77−400 K Article published earlier |
| spellingShingle | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K Бабушкин, А.Н. Татур, С.В. Лях, Т.С. Моллаев, А.Ю. Арсланов, Р.К. Сайпулаева, Л.А. Маренкин, С.Ф. |
| title | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K |
| title_alt | Електропровідність диарсеніду цинку при тисках 15−50 GPa i температурах 77−400 K The electrical conductivity of ZnAs₂ at pressures of 15−50 GPa and temperatures of 77−400 K |
| title_full | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K |
| title_fullStr | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K |
| title_full_unstemmed | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K |
| title_short | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K |
| title_sort | электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 gpa и температурах 77−400 k |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70226 |
| work_keys_str_mv | AT babuškinan élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k AT tatursv élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k AT lâhts élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k AT mollaevaû élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k AT arslanovrk élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k AT saipulaevala élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k AT marenkinsf élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k AT babuškinan elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k AT tatursv elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k AT lâhts elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k AT mollaevaû elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k AT arslanovrk elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k AT saipulaevala elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k AT marenkinsf elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k AT babuškinan theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k AT tatursv theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k AT lâhts theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k AT mollaevaû theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k AT arslanovrk theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k AT saipulaevala theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k AT marenkinsf theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k |