Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K

При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика и техника высоких давлений
Date:2006
Main Authors: Бабушкин, А.Н., Татур, С.В., Лях, Т.С., Моллаев, А.Ю., Арсланов, Р.К., Сайпулаева, Л.А., Маренкин, С.Ф.
Format: Article
Language:Russian
Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2006
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70226
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K / А.Н. Бабушкин, С.В. Татур, Т.С. Лях, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 51-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70226
record_format dspace
spelling Бабушкин, А.Н.
Татур, С.В.
Лях, Т.С.
Моллаев, А.Ю.
Арсланов, Р.К.
Сайпулаева, Л.А.
Маренкин, С.Ф.
2014-10-31T17:20:25Z
2014-10-31T17:20:25Z
2006
Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K / А.Н. Бабушкин, С.В. Татур, Т.С. Лях, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 51-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 61.50.Ks
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70226
При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость определяется активационными механизмами, причем энергии активации изменяются с изменением температуры и давления. Рассчитаны барические зависимости энергии активации и коэффициента R₀.
The electrical conductivity has been measured with rise and release of pressure at high pressure up to 50 GPa in ZnAs₂, a conclusion of the presence of the structural phase transition at P ≈ 40 GPa has been drawn. According to temperature dependence of the electrical resistance, it was shown that electrical conductivity is defined by activation mechanisms in the temperature range 250−400 K, the activation energy changing with temperature and pressure change. Baric dependences for the activation energy and the coefficient R₀ have been calculated.
ru
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
Физика и техника высоких давлений
Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
Електропровідність диарсеніду цинку при тисках 15−50 GPa i температурах 77−400 K
The electrical conductivity of ZnAs₂ at pressures of 15−50 GPa and temperatures of 77−400 K
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
spellingShingle Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
Бабушкин, А.Н.
Татур, С.В.
Лях, Т.С.
Моллаев, А.Ю.
Арсланов, Р.К.
Сайпулаева, Л.А.
Маренкин, С.Ф.
title_short Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
title_full Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
title_fullStr Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
title_full_unstemmed Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
title_sort электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 gpa и температурах 77−400 k
author Бабушкин, А.Н.
Татур, С.В.
Лях, Т.С.
Моллаев, А.Ю.
Арсланов, Р.К.
Сайпулаева, Л.А.
Маренкин, С.Ф.
author_facet Бабушкин, А.Н.
Татур, С.В.
Лях, Т.С.
Моллаев, А.Ю.
Арсланов, Р.К.
Сайпулаева, Л.А.
Маренкин, С.Ф.
publishDate 2006
language Russian
container_title Физика и техника высоких давлений
publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
format Article
title_alt Електропровідність диарсеніду цинку при тисках 15−50 GPa i температурах 77−400 K
The electrical conductivity of ZnAs₂ at pressures of 15−50 GPa and temperatures of 77−400 K
description При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость определяется активационными механизмами, причем энергии активации изменяются с изменением температуры и давления. Рассчитаны барические зависимости энергии активации и коэффициента R₀. The electrical conductivity has been measured with rise and release of pressure at high pressure up to 50 GPa in ZnAs₂, a conclusion of the presence of the structural phase transition at P ≈ 40 GPa has been drawn. According to temperature dependence of the electrical resistance, it was shown that electrical conductivity is defined by activation mechanisms in the temperature range 250−400 K, the activation energy changing with temperature and pressure change. Baric dependences for the activation energy and the coefficient R₀ have been calculated.
issn 0868-5924
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70226
fulltext
citation_txt Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K / А.Н. Бабушкин, С.В. Татур, Т.С. Лях, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 51-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT babuškinan élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k
AT tatursv élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k
AT lâhts élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k
AT mollaevaû élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k
AT arslanovrk élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k
AT saipulaevala élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k
AT marenkinsf élektroprovodnostʹdiarsenidacinkapridavleniâh1550gpaitemperaturah77400k
AT babuškinan elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k
AT tatursv elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k
AT lâhts elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k
AT mollaevaû elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k
AT arslanovrk elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k
AT saipulaevala elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k
AT marenkinsf elektroprovídnístʹdiarseníducinkupritiskah1550gpaitemperaturah77400k
AT babuškinan theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k
AT tatursv theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k
AT lâhts theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k
AT mollaevaû theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k
AT arslanovrk theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k
AT saipulaevala theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k
AT marenkinsf theelectricalconductivityofznas2atpressuresof1550gpaandtemperaturesof77400k
first_indexed 2025-11-24T15:12:57Z
last_indexed 2025-11-24T15:12:57Z
_version_ 1850847785308389376