Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K
При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2006
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70226 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K / А.Н. Бабушкин, С.В. Татур, Т.С. Лях, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 51-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |