Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K

• Datum: 2006
• Hauptverfasser: Бабушкин, А.Н., Татур, С.В., Лях, Т.С., Моллаев, А.Ю., Арсланов, Р.К., Сайпулаева, Л.А., Маренкин, С.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2006
• Schriftenreihe: Физика и техника высоких давлений
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70226
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K / А.Н. Бабушкин, С.В. Татур, Т.С. Лях, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Маренкин // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 51-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость...