Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃
Изучена эволюция туннельных характеристик точечных контактов, образованных стальной иглой с поверхностью поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ (LSMO), в зависимости от степени механической деформации материала в области контакта. An influence of mechanical deformation of material on the tunnel...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2006
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70228 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ / Ю.М. Николаенко, М.А. Белоголовский, Ю.В. Медведев, Н.И. Мезин, А.Е. Пигур, Ю.Ф. Ревенко, В.М. Свистунов, Н.Ю. Старостюк // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 63-70. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860243335357136896 |
|---|---|
| author | Николаенко, Ю.М. Белоголовский, М.А. Медведев, Ю.В. Мезин, Н.И. Пигур, А.Е. Ревенко, Ю.Ф. Свистунов, В.М. Старостюк, Н.Ю. |
| author_facet | Николаенко, Ю.М. Белоголовский, М.А. Медведев, Ю.В. Мезин, Н.И. Пигур, А.Е. Ревенко, Ю.Ф. Свистунов, В.М. Старостюк, Н.Ю. |
| citation_txt | Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ / Ю.М. Николаенко, М.А. Белоголовский, Ю.В. Медведев, Н.И. Мезин, А.Е. Пигур, Ю.Ф. Ревенко, В.М. Свистунов, Н.Ю. Старостюк // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 63-70. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Изучена эволюция туннельных характеристик точечных контактов, образованных стальной иглой с поверхностью поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ (LSMO), в зависимости от степени механической деформации материала в области контакта.
An influence of mechanical deformation of material on the tunneling characteristics of point contacts that where formed by a steel needle and surface of the polycrystalline La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ (LSMO) sample is studied.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:32:38Z |
| format | Article |
| fulltext |
Физика и техника высоких давлений 2006, том 16, № 2
63
PACS: 74.50.+r, 85.30.Hi, 75.47.Lx
Ю.М. Николаенко1, М.А. Белоголовский1, Ю.В. Медведев1, Н.И. Мезин1,
А.Е. Пигур1, Ю.Ф. Ревенко1, В.М. Свистунов2, Н.Ю. Старостюк1
ТУННЕЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТИ
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ОБРАЗЦА La0.7Sr0.3MnO3
1Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины
ул. Р. Люксембург, 72, г. Донецк, 83114, Украина
e-mail: nik@kinetic.ac.donetsk.ua
2Харьковский национальный технический университет
ул. Фрунзе, 21, г. Харьков, 61002, Украина
Статья поступила в редакцию 10 марта 2006 года
Изучена эволюция туннельных характеристик точечных контактов, образованных
стальной иглой с поверхностью поликристаллического образца La0.7Sr0.3MnO3
(LSMO), в зависимости от степени механической деформации материала в облас-
ти контакта. Установлено наличие тонкого диэлектрического слоя на поверхно-
сти манганита. Зависимость проводимости контакта σ от силы F прижима иглы
в режиме упругой деформации поверхностного слоя толщиной d описывается по-
казательной функцией вида σ ~ exp(–αd). Диапазон наблюдаемых изменений σ(V)
превышает шесть порядков. Вид зависимости симметричной части дифференциаль-
ной проводимости от напряжения смещения имеет степенной вид σ(V) − σ(0) ~ Vk,
причем показатель степени резко меняется с ростом F при переходе от упругой
деформации к разрушению диэлектрического слоя. Характеристики более глубокого
приповерхностного слоя LSMO, обусловленного наличием мелкомасштабной сепара-
ции ферромагнитной и неферромагнитной фаз, соответствуют значению k = 4/3,
которое возникает при туннелировании через потенциальный барьер с промежу-
точным состоянием (модель Глазмана−Матвеева). При этом низкое удельное со-
противление ρ < 10 mΩ·cm достигается только в объеме образца.
До настоящего времени для создания изолятора в туннельных структурах
типа металл–диэлектрик−металл обычно используется алюминий, обладаю-
щий высокой электропроводностью и образующий на своей поверхности
тонкий слой диэлектрического окисла Al2О3. Нами обнаружено, что контакт
металлической иглы с поверхностью поликристаллического образца LSMO
также проявляет типичные туннельные свойства. Это, в частности, означает,
что на поверхности LSMO присутствует некий диэлектрический слой, при-
рода которого может быть связана не с процессом окисления исходного ма-
териала, а, скорее, с дефицитом кислорода в этой области [1−3]. Выяснение
Физика и техника высоких давлений 2006, том 16, № 2
64
данного обстоятельства представляет значительный научный интерес, по-
скольку затрагивает как основной механизм электропроводности твердых
растворов на основе манганита, так и многочисленные следствия, вытекаю-
щие из модели двойного обменного электронного взаимодействия.
Возможность образования тонкого слоя изолятора на поверхности твер-
дых растворов на основе манганита была обоснована теоретически в работе
[4] как следствие геометрического фактора. Авторы [4] заметили, что для
атомов поверхностного слоя двойной обмен Mn+3−O−Mn+4 оказывается по
крайней мере в два раза ослабленным из-за отсутствия соседних атомов Mn
за поверхностью. При ослаблении обменного взаимодействия возникает
слой окиси марганца с неферромагнитным и диэлектрическим состояниями,
в то время как в объеме кристалла реализуется ферромагнитное состояние,
характеризующееся высокой электропроводностью. Вторая особенность
двойного обмена − это его локальность и возможность реализации взаимо-
действия по одному из нескольких кристаллографических направлений,
причем отсутствие атома кислорода на соответствующей позиции делает та-
кое взаимодействие невозможным [5,6].
Отметим в этой связи работу [3], в которой была изучена зависимость
удельного сопротивления манганитов La1−xSrxMnO3−δ от кислородного ин-
декса. Оказалось, что удельное сопротивление увеличивается на 5−7 поряд-
ков при изменении δ от 0 до 0.15. Обратим внимание также на то, что вели-
чина удельного сопротивления макроскопического образца зависит не толь-
ко от среднего значения индекса δ, но и от локального распределения кисло-
рода. В работах [2,7] описано явление долговременной релаксации электри-
ческого сопротивления, вызванное локальной диффузией анионов кислорода
внутри образца под действием неоднородных механических напряжений. В
ряде публикаций отмечалось нарушение кислородной стехиометрии на по-
верхности материала, которое проявлялось в виде АФМ-фазы. В работе [1]
было обнаружено явление ухода атомов кислорода с части поверхности
твердого раствора манганита, имеющей контакт с металлической пленкой.
Поэтому изучение электрических свойств поверхности и прилегающих к ней
слоев представляет фундаментальный интерес и имеет прикладное значение
в плане развития методов диагностики электрических свойств поверхности.
В настоящей работе метод контактной спектроскопии дополнен исследова-
нием влияния силы прижима F металлической иглы на туннельные характери-
стики гетероструктуры. Помимо обычных измерений проводимости на посто-
янном и переменном токе как функции постоянного напряжения смещения, мы
впервые количественно контролировали величину усилия F, что позволило нам
установить неоднородную структуру приповерхностной области образца.
Методика приготовления и характеристика образца
Порошок для изготовления манганитовых образцов был получен по нит-
ратной технологии. Стехиометрическое количество окислов La2O3, SrO и
Физика и техника высоких давлений 2006, том 16, № 2
65
MnO растворяли в азотной кислоте
и подвергали выпариванию и вы-
сушиванию, после чего продукт
выпаривания прокаливали при тем-
пературе 900°C в течение часа и пе-
ремалывали. Образец цилиндричес-
кой формы высотой 3.4 mm и диа-
метром 10.15 mm получали путем
предварительного компактирования
порошка под давлением и после-
дующего отжига на воздухе в тече-
ние 10 h при температуре 1100°C, а
затем 10 h − при температуре 1200°C.
Температурная зависимость удель-
ного электрического сопротивления
LSMO (рис. 1) имеет характерный
пик с максимумом при температуре Tc = 275 K. Это точка так называемого
фазового перехода металл−диэлектрик. Отметим, что образец обладает до-
вольно высокой электропроводностью и его удельная проводимость во всем
диапазоне температур превышает пороговое значение σmin = 100 (Ω·cm)−1,
которое отвечает моттовскому критерию металла [8]. Максимальная вели-
чина обычного магниторезистивного эффекта немного превышает 20%.
Примерно такой же величины достигает и низкополевая составляющая MR
при T = 80 K. Наличие низкополевого MR может свидетельствовать о суще-
ствовании внутренней структуры кристаллитов с масштабом 50−100 nm [9].
Экспериментальные результаты и их обсуждение
На рис. 2 представлены результаты исследований точечных контактов
между стальной иглой и поверхностью поликристаллического образца
LSMO в зависимости от силы прижима. Отношение V/I имеет размерность
электрического сопротивления и характеризует величину постоянного тока,
Рис. 1. Температурные зависимости удель-
ного сопротивления поликристалличе-
ского образца La0.7Sr0.3MnO3 и (на встав-
ке) отрицательного магнетосопротивления
MR = (R(0) − R(H))/R(0) при H = 10 kOe
Рис. 2. Зависимость величи-
ны V/I при V = 0.5 V от силы
прижима металлической иг-
лы к поверхности образца
La0.7Sr0.3MnO3
Физика и техника высоких давлений 2006, том 16, № 2
66
протекающего через туннельный контакт при заданном постоянном напря-
жении на контакте V0 = 0.5 V. Как видно из рис. 2, диапазон изменения V/I
составляет много порядков, примерно от 100 Ω до сотен мегаом. Отметим,
что зависимость V/I(F) не всегда оказывается монотонной, тем не менее
имеет место общая тенденция − полученные кривые, перестроенные в лога-
рифмическом масштабе, представляют собой два линейных участка с раз-
ным наклоном (рис. 2, кривая 1).
Типичные зависимости дифференциальной проводимости на переменном
токе σac = dI/dV от постоянного напряжения на контакте представлены на
вставках рис. 3,a и б для
двух реализаций точечного
контакта. Измерения вы-
полнены в режиме задан-
ного напряжения, которое
модулировалось сигналом
постоянной амплитуды и
частоты f = 1 kHz. Для за-
висимостей σac сила при-
жима иглы была выбрана
такой, чтобы величина V/I
соответствовала примерно
серединам первого (рис.
3,a) и второго (рис. 3,б)
линейных участков V/I(F) на
рис. 2. Зависимости σac(V)
практически не имели гис-
терезиса при сканировании
напряжения от (–V) до (+V),
и наоборот. В то же время
зависимость на рис. 3,a не
является симметричной по
отношению к изменению
знака V. Эту асимметрию
демонстрирует кривая 2 на
вставке рис. 3,a.
Согласно общепринятым
представлениям о свойст-
вах туннельных структур
[10] зависимость четного
по напряжению вклада
σ+(V) = [σ(V) + σ(−V)]/2 в
дифференциальную прово-
димость σ(V) = dI(V)/dV оп-
Рис. 3. Зависимость нормированной дифференци-
альной проводимости на переменном токе от по-
стоянного напряжения смещения для двух реали-
заций точечных туннельных структур металл–
La0.7Sr0.3MnO3
а
б
Физика и техника высоких давлений 2006, том 16, № 2
67
ределяется барьерными характеристиками и процессами неупругого рассеяния
туннелирующего электрона на возбуждениях в барьере и вблизи него.
Выяснить характер туннелирования в данной системе можно, сравнивая
наблюдаемую кривую σ+(V) с теоретическими зависимостями вида σ+(V) ~ Vk,
где показатель степени k несет важную информацию об электронном транс-
порте через барьер. Для анализа экспериментальных результатов удобно ис-
пользовать зависимость σ(V)−σ(0), построенную в двойном логарифмиче-
ском масштабе. Степенная зависимость при этом становится линейной, а на-
клон наглядно демонстрирует величину k.
Такой масштаб использован для зависимостей, приведенных в основном
поле рис. 3,а и б. Они хорошо описываются степенным законом, а показа-
тель степени k ступенчато изменяется от 1.75 до 1.33 при переходе от перво-
го линейного участка зависимости на рис. 2 ко второму, т.е. от режима «сла-
бого» прижима к «сильному». Величина k = 1.75 является наиболее близкой
к k = 2, которую дает модель туннелирования в структуре металл−ди-
электрик−металл через высокий прямоугольный барьер. Интересно, что
сравнительные измерения σ+(V) на контакте, образованном нашей стальной
иглой и образцом из электролитического алюминия (рис. 4), дали то же зна-
чение k = 1.75. Сходство полученных зависимостей свидетельствует о том,
что на поверхности поликристаллического образца LSMO имеется потенци-
альный барьер, образованный диэлектриком. Если барьер связан не с ди-
электриком, а обусловлен перетеканием зарядов, как при образовании p−n-
перехода в легированных полупроводниках или барьера Шоттки, то его высо-
та должна зависеть от напряжения смещения. При этом I−V-характеристика
должна быть существенно асимметрична для положительной и отрицатель-
ной ветвей. Наблюдаемая асимметрия зависимости на вставке рис. 3,а для
относительно малой силы
прижима иглы к поверхно-
сти La0.7Sr0.3MnO3 может
быть связана с конечными
размерами электронных зон
и спецификой туннелиро-
вания в магнитные мате-
риалы [11,12]. С другой
стороны, этот факт может
быть просто следствием
асимметрии туннельного
барьера. Зависимость σ+(V)
для туннельного контакта
иглы с алюминиевым об-
разцом, как и положено,
полностью симметрична
(вставка на рис. 4). На за-
Рис. 4. Нормированная дифференциальная прово-
димость, измеренная на переменном токе, для
контакта стальной иглы с алюминиевым образцом
Физика и техника высоких давлений 2006, том 16, № 2
68
висимости V/I(F), приведенной на рис. 2, сила прижима соответствует при-
мерно середине первого линейного участка, который, видимо, является
следствием чисто упругой деформации диэлектрического слоя. При этом
наблюдаемая зависимость должна определяться изменениями проводимости
от толщины диэлектрического слоя d = d(F): σ ~ exp(−αd), где α = const [10].
Окончание первого участка с ростом силы прижима обусловлено, по на-
шему мнению, началом неупругой деформации и разрушением диэлектри-
ческого слоя. Наличие второго линейного участка на рис. 2 свидетельствует
об особенностях более глубокого приповерхностного слоя образца LSMO.
Основанием для такого заключения являются результаты дополнительных
экспериментов по исследованию зависимости V/I(F) на образцах из метал-
лического алюминия и марганца. В случае Al разрушение диэлектрического
слоя Al2O3 возникает при силе прижима около 30 mN. Если использовать зна-
чение нагрузки, соответствующее пределу прочности сапфира P = 3·1010 N/m2
[13], то можно очень грубо оценить площадь контакта нашей иглы с образ-
цом. Она имеет разумную величину S = 1 µm2. В случае металлического Mn
разрушение диэлектрического слоя происходит при величине F = 10−30 mN.
При больших нагрузках игольчатый зонд образует омический контакт как с
поверхностью металлического Mn, так и Al. Поэтому не удивительно, что
туннельные характеристики в случае большой силы прижима к поверхности
LSMO меняются. Однако в отличие от предыдущих материалов контакт ос-
тается неомическим. Такое поведение можно объяснить особенностью элек-
тронного транспорта в приповерхностном слое манганита. Дело в том, что
показатель степени k = 4/3 на рис. 4 соответствует теоретической модели
Глазмана и Матвеева [14] для гетероструктур металл−диэлектрик−металл, в
которых транспорт электронов осуществляется путем упругого подбарьер-
ного туннелирования через локализованные металлические состояния внут-
ри барьера. Кроме того, что контакт остается туннельным, величина его
проводимости оказывается намного меньше, чем следовало бы ожидать, ис-
ходя из большого значения σ в объеме образца. По нашему мнению, это от-
ражает факт кислородного дефицита в приповерхностном слое LSMO и, как
следствие, наличие мелкомасштабной сепарации ферромагнитной и нефер-
ромагнитной фаз с преобладанием последней. Данное обстоятельство, в
свою очередь, естественным образом объясняет наличие асимметрии потен-
циального барьера на поверхности LSMO, которая проявляется в асиммет-
рии зависимости σ+(V) на рис. 3,а.
Выводы
Экспериментально обнаружена электрически неоднородная структура
приповерхностной области поликристаллического образца LSMO. Выявлено
присутствие тонкого диэлектрического слоя непосредственно на поверхности
материала. В более глубоких, прилегающих к поверхности слоях наблюдается
мелкомасштабная сепарация ферромагнитной и неферромагнитной фаз с пре-
Физика и техника высоких давлений 2006, том 16, № 2
69
обладанием последней. Высокая электропроводность, соответствующая фер-
ромагнитной фазе, достигается только в объемных слоях кристаллитов.
1. A. Plecenik, K. Frohlich, J.P. Espinos, J.P. Holgado, A. Halabica, M. Pribco, A. Gi-
labert, Appl. Phys. Lett. 81, 859861 (2002).
2. Yu.V. Medvedev, N.I. Mezin, Yu.M. Nikolaenko, A.E. Pigur, N.V. Shishkova, V.M. Ish-
chuk, I.N. Chukanova, Phys. Status Solidi C1, 3614 (2004).
3. Ю.М. Байков, Е.И. Никулин, Б.Т. Мелех, В.М. Егоров, ФТТ 46, 2018 (2004).
4. J.W. Freeland, K.E. Gray, L. Ozyuzer, P. Berhuis, E. Badica, J. Kavich, H. Zheng,
J.F. Mitchell, Nature Materials 4, 62 (2005).
5. Е.Л. Нагаев, УФН 116, 833 (1996).
6. B.M. Loktev, Yu.G. Pogorelov, ФНТ 26, 231 (2000).
7. Yu.V. Medvedev, N.I. Mezin, Yu.M. Nikolaenko, A.E. Pigur, N.V. Shishkova, V.M. Ish-
chuk, I.N. Chukanova, Acta Phys. Pol. 106, 853 (2004).
8. В.Д. Окунев, З.А. Самойленко, Р. Шимчак, С.И. Левандовский, ЖЭТФ 128, 150
(2005).
9. A. Gupta, I.Z. Sun, JMMM 200, 24 (1999).
10. Э.Л. Вольф, Принципы электронной туннельной спектроскопии, Наукова дум-
ка, Киев (1987).
11. А.И. Хачатуров, Письма в ЖЭТФ 82, 728 (2005).
12. А.И. Хачатуров, ФНТ 31, 109 (2005).
13. Е.Р. Добровинская, Л.А. Литвинов, В.В. Пищик, Монокристаллы корунда, Нау-
кова думка, Киев (1994).
14. Л.И. Глазман, К.А. Матвеев, ЖЭТФ 94, 332 (1988).
Yu.M. Nikolaenko, M.A. Belogolovskii, Yu.V. Medvedev, N.I. Mezin, A.Ye. Pigur, Yu.F.
Revenko, V.M. Svistunov, N.Yu. Starostyuk
TUNNELING SPECTROSCOPY OF THE POLYCRYSTALLINE
La0.7Sr0.3MnO3 SURFACE
An influence of mechanical deformation of material on the tunneling characteristics of
point contacts that where formed by a steel needle and surface of the polycrystalline
La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) sample is studied. The presence of a thin dielectric layer on the
manganite surface is revealed. The dependence of contact conductance versus the press-
ing force F in the elastic deformation regime of the surface layer with a thickness d is de-
scribed by the exponent σ ~ exp(−αd). The range of the observed variations of σ(V) ex-
ceeds six orders of the magnitude. The dependence of the symmetrical part of the differ-
ential conductance on the voltage is a power function σ(V) – σ(0) ~ V
k. The power index
sharply changes with increasing F within a crossover from the elastic deformation to the
destruction of the dielectric layer. Properties of the deeper layer of LSMO surface due to
the presence of a small-scale separation of ferromagnetic and antiferromagnetic phases
correspond to the value of k = 4/3, that appears in tunneling across the potential barrier
with an intermediate state (the Glazman−Matveev model). A small specific resistance ρ <
10 mΩ·сm is approached only in the sample bulk.
Физика и техника высоких давлений 2006, том 16, № 2
70
Fig. 1. Temperature dependences of the specific resistance of the polycrystalline sample
of La0.7Sr0.3MnO3 and (the insert) of the negative magnetoresistance MR = (R(0) −
– R(H))/R(0) at H = 10 kOe
Fig. 2. The dependence of the ratio V/I at V = 0.5 V on the force of the pressing of the
metallic needle to the surface of the sample of La0.7Sr0.3MnO3
Fig. 3. The dependence of the normalized ac differential conductance on the contact volt-
age for two point-contact structures metal−La0.7Sr0.3MnO3
Fig. 4. Normalized ac differential conductance for the steel-needle contact with alumi-
num sample
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70228 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:32:38Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Николаенко, Ю.М. Белоголовский, М.А. Медведев, Ю.В. Мезин, Н.И. Пигур, А.Е. Ревенко, Ю.Ф. Свистунов, В.М. Старостюк, Н.Ю. 2014-10-31T17:24:38Z 2014-10-31T17:24:38Z 2006 Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ / Ю.М. Николаенко, М.А. Белоголовский, Ю.В. Медведев, Н.И. Мезин, А.Е. Пигур, Ю.Ф. Ревенко, В.М. Свистунов, Н.Ю. Старостюк // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 63-70. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 74.50.+r, 85.30.Hi, 75.47.Lx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70228 Изучена эволюция туннельных характеристик точечных контактов, образованных стальной иглой с поверхностью поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ (LSMO), в зависимости от степени механической деформации материала в области контакта. An influence of mechanical deformation of material on the tunneling characteristics of point contacts that where formed by a steel needle and surface of the polycrystalline La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ (LSMO) sample is studied. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ Тунельна спектроскопія поверхні полікристалічного зразка La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ Tunneling spectroscopy of the polycrystalline La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ surface Article published earlier |
| spellingShingle | Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ Николаенко, Ю.М. Белоголовский, М.А. Медведев, Ю.В. Мезин, Н.И. Пигур, А.Е. Ревенко, Ю.Ф. Свистунов, В.М. Старостюк, Н.Ю. |
| title | Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ |
| title_alt | Тунельна спектроскопія поверхні полікристалічного зразка La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ Tunneling spectroscopy of the polycrystalline La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ surface |
| title_full | Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ |
| title_fullStr | Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ |
| title_full_unstemmed | Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ |
| title_short | Туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца La₀.₇Sr₀.₃MnO₃ |
| title_sort | туннельная спектроскопия поверхности поликристаллического образца la₀.₇sr₀.₃mno₃ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70228 |
| work_keys_str_mv | AT nikolaenkoûm tunnelʹnaâspektroskopiâpoverhnostipolikristalličeskogoobrazcala07sr03mno3 AT belogolovskiima tunnelʹnaâspektroskopiâpoverhnostipolikristalličeskogoobrazcala07sr03mno3 AT medvedevûv tunnelʹnaâspektroskopiâpoverhnostipolikristalličeskogoobrazcala07sr03mno3 AT mezinni tunnelʹnaâspektroskopiâpoverhnostipolikristalličeskogoobrazcala07sr03mno3 AT pigurae tunnelʹnaâspektroskopiâpoverhnostipolikristalličeskogoobrazcala07sr03mno3 AT revenkoûf tunnelʹnaâspektroskopiâpoverhnostipolikristalličeskogoobrazcala07sr03mno3 AT svistunovvm tunnelʹnaâspektroskopiâpoverhnostipolikristalličeskogoobrazcala07sr03mno3 AT starostûknû tunnelʹnaâspektroskopiâpoverhnostipolikristalličeskogoobrazcala07sr03mno3 AT nikolaenkoûm tunelʹnaspektroskopíâpoverhnípolíkristalíčnogozrazkala07sr03mno3 AT belogolovskiima tunelʹnaspektroskopíâpoverhnípolíkristalíčnogozrazkala07sr03mno3 AT medvedevûv tunelʹnaspektroskopíâpoverhnípolíkristalíčnogozrazkala07sr03mno3 AT mezinni tunelʹnaspektroskopíâpoverhnípolíkristalíčnogozrazkala07sr03mno3 AT pigurae tunelʹnaspektroskopíâpoverhnípolíkristalíčnogozrazkala07sr03mno3 AT revenkoûf tunelʹnaspektroskopíâpoverhnípolíkristalíčnogozrazkala07sr03mno3 AT svistunovvm tunelʹnaspektroskopíâpoverhnípolíkristalíčnogozrazkala07sr03mno3 AT starostûknû tunelʹnaspektroskopíâpoverhnípolíkristalíčnogozrazkala07sr03mno3 AT nikolaenkoûm tunnelingspectroscopyofthepolycrystallinela07sr03mno3surface AT belogolovskiima tunnelingspectroscopyofthepolycrystallinela07sr03mno3surface AT medvedevûv tunnelingspectroscopyofthepolycrystallinela07sr03mno3surface AT mezinni tunnelingspectroscopyofthepolycrystallinela07sr03mno3surface AT pigurae tunnelingspectroscopyofthepolycrystallinela07sr03mno3surface AT revenkoûf tunnelingspectroscopyofthepolycrystallinela07sr03mno3surface AT svistunovvm tunnelingspectroscopyofthepolycrystallinela07sr03mno3surface AT starostûknû tunnelingspectroscopyofthepolycrystallinela07sr03mno3surface |