Особенности роста пленок нитрида углерода в присутствии травящих компонент в ростовой атмосфере

Представлены результаты исследований роста аморфных пленок нитрида углерода a-C:N в условиях интенсивных процессов травления на ростовой поверхности. Обнаружены значительное изменение фазового состава получаемых пленок при различной концентрации травящих компонент в ростовой атмосфере и образование...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика и техника высоких давлений
Datum:2006
ISSN:0868-5924
Hauptverfasser: Шалаев, Р.В., Прудников, А.М., Варюхин, В.Н., Турка, В.Н., Яковец, А.А., Жихарев, И.В., Беляев, Б.В., Грицких, В.А.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2006
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70245
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности роста пленок нитрида углерода в присутствии травящих компонент в ростовой атмосфере / Р.В. Шалаев, А.М. Прудников, В.Н. Варюхин, В.Н. Турка, А.А. Яковец, И.В. Жихарев, Б.В. Беляев, В.А. Грицких // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 3. — С. 88-95. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Представлены результаты исследований роста аморфных пленок нитрида углерода a-C:N в условиях интенсивных процессов травления на ростовой поверхности. Обнаружены значительное изменение фазового состава получаемых пленок при различной концентрации травящих компонент в ростовой атмосфере и образование трех принципиально различных типов пленок a-C:N. Results of researches of the carbon nitride films a-C:N growth in conditions of intensive etching processes on the growth surface are presented. Significant change in phase structure of obtained films at various etching component concentrations in the growth atmosphere and formation of three essentially various types of a-C:N films are revealed.
ISSN:0868-5924