Buchumschlag

Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen

Enhanced hydrostatic pressure (HP, up to 1.5 GPa) applied during annealing at up to 1570 K (HT) of silicon with oxygen introduced by implantation (Si:O), exerts pronounced effect on the transformation of oxygen admixture. In particular, HP affects the microstructure of Si:O and a creation of oxygen-...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика и техника высоких давлений
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Misiuk, A., Efros, B.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2006
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70257
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen / A. Misiuk, B.M. Efros // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 4. — С. 49-63. — Бібліогр.: 40 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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