Зображення обкладинки

Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen

Enhanced hydrostatic pressure (HP, up to 1.5 GPa) applied during annealing at up to 1570 K (HT) of silicon with oxygen introduced by implantation (Si:O), exerts pronounced effect on the transformation of oxygen admixture. In particular, HP affects the microstructure of Si:O and a creation of oxygen-...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика и техника высоких давлений
Дата:	2006
Автори:	Misiuk, A., Efros, B.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70257
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen / A. Misiuk, B.M. Efros // Физика и техника высоких давлений. — 2006. — Т. 16, № 4. — С. 49-63. — Бібліогр.: 40 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Silicon based materials for spintronics prepared by implantation and temperature - (pressure) treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)

Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature - pressure
за авторством: Wierzchowski, W., та інші
Опубліковано: (2005)

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)

Theoretical evaluation of the temperature field distribution in the silicon periodic nanostructures during thermal annealing
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)

Phase transformations of alpha-Al₂O₃ during annealing in a reducing atmosphere
за авторством: Dan`ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2005)

Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2000)

Radiation-induced effects in silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Stability of dental implants during osteointegration
за авторством: V. I. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2014)

The internal pressure in superconductors created by oxygen
за авторством: V. F. Khirnyj
Опубліковано: (2015)

Shift of superconducting transition temperatures in "magnetic superconductor" RuSr₂(Eu₁.₅Ce₀.₅)₁₀₋δ under influence of annealing in high pressure oxygen atmosphere
за авторством: Beliayev, E.Yu.
Опубліковано: (2016)

Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Fast ion induced luminescence of silica implanted by molecular hydrogen
за авторством: Kalantaryan, O., та інші
Опубліковано: (2014)

The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon
за авторством: Swiatek, Z., та інші
Опубліковано: (2004)

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)

Formation of nanocrystals and their properties during tin induced and laser light stimulated crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2019)

Formation of nanocrystals and their properties during tin-induced and laser light-stimulated crystallization of amorphous silicon
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2019)

Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)

Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Behavior of oxygen and nitrogen in the melt during oxygen-converter heat
за авторством: S. I. Semykin, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

High pressure effects in severe plastic deformation
за авторством: Varyukhin, V.N., та інші
Опубліковано: (2004)

Structural-phase transformations in magnetron deposited films of Ti-Zr-Ni systems during annealing in vacuum
за авторством: Malykhin, S.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)

Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)

Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)