Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂

• Published in: Физика и техника высоких давлений
• Date: 2007
• Main Authors: Моллаев, А.Ю., Камилов, И.К., Арсланов, Р.К., Залибеков, У.З., Новоторцев, В.М., Маренкин, С.Ф., Варнавский, С.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2007
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70321
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₁₋xMnxGeP₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин, С.А. Варнавский // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 2. — С. 68-75. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

При атмосферном давлении измерены температурные зависимости удельного сопротивления ρ и коэффициента Холла RH в диапазоне температур 77−400 K. Определена энергия ионизации мелкого акцепторного уровня Ea. Полученные результаты хорошо согласуются с литературными данными. При гидростатических давлениях до 5 GPa и T = 300 K измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла в образцах Cd₁₋xMnxGeP₂ (x = 0−0.19). При P = 3.2 GPa соединение CdGeP₂ диссоциирует с образованием фаз CdP₂ и Ge. Введение марганца упрочняет кристаллическую структуру CdGeP₂. Для образца Cd₀.₈₁Mn₀.₁₉GeP₂ характерен обратимый фазовый переход при P = 3.5 GPa. Temperature dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH have been measured under atmospheric pressure and T = 77−400 K. Ionization energy of small acceptor level Ea has been determined. The results agree well with the literary data. Specific electrical resistance and Hall coefficient for samples of Cd₁₋xMnxGeP₂ (x = 0−0.19) have been measured at hydrostatic pressures up to 5 GPa and at 300 K. At P = 3.2 GPa, dissociation of solid solution Cd₁₋xMnxGeP₂ leads to the formation of separate phases of CdP₂ and Ge for x < 0.19. The addition of Mn stabilizes the crystal structure of CdGeP₂ and for the compound Cd₀.₈₁Mn₀.₁₉GeP₂ a reversible phase transition at P = 3.5 GPa is the case.