Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂
При атмосферном давлении измерены температурные зависимости удельного сопротивления ρ и коэффициента Холла RH в диапазоне температур 77−400 K. Определена энергия ионизации мелкого акцепторного уровня Ea. Полученные результаты хорошо согласуются с литературными данными. При гидростатических давлениях...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2007
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70321 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₁₋xMnxGeP₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин, С.А. Варнавский // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 2. — С. 68-75. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862558767955050496 |
|---|---|
| author | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Залибеков, У.З. Новоторцев, В.М. Маренкин, С.Ф. Варнавский, С.А. |
| author_facet | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Залибеков, У.З. Новоторцев, В.М. Маренкин, С.Ф. Варнавский, С.А. |
| citation_txt | Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₁₋xMnxGeP₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин, С.А. Варнавский // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 2. — С. 68-75. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | При атмосферном давлении измерены температурные зависимости удельного сопротивления ρ и коэффициента Холла RH в диапазоне температур 77−400 K. Определена энергия ионизации мелкого акцепторного уровня Ea. Полученные результаты хорошо согласуются с литературными данными. При гидростатических давлениях до 5 GPa и T = 300 K измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла в образцах Cd₁₋xMnxGeP₂ (x = 0−0.19). При P = 3.2 GPa соединение CdGeP₂ диссоциирует с образованием фаз CdP₂ и Ge. Введение марганца упрочняет кристаллическую структуру CdGeP₂. Для образца Cd₀.₈₁Mn₀.₁₉GeP₂ характерен обратимый фазовый переход при P = 3.5 GPa.
Temperature dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH have been measured under atmospheric pressure and T = 77−400 K. Ionization energy of small acceptor level Ea has been determined. The results agree well with the literary data. Specific electrical resistance and Hall coefficient for samples of Cd₁₋xMnxGeP₂ (x = 0−0.19) have been measured at hydrostatic pressures up to 5 GPa and at 300 K. At P = 3.2 GPa, dissociation of solid solution Cd₁₋xMnxGeP₂ leads to the formation of separate phases of CdP₂ and Ge for x < 0.19. The addition of Mn stabilizes the crystal structure of CdGeP₂ and for the compound Cd₀.₈₁Mn₀.₁₉GeP₂ a reversible phase transition at P = 3.5 GPa is the case.
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:51:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70321 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T22:51:38Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Залибеков, У.З. Новоторцев, В.М. Маренкин, С.Ф. Варнавский, С.А. 2014-11-02T16:47:37Z 2014-11-02T16:47:37Z 2007 Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd₁₋xMnxGeP₂ / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, У.З. Залибеков, В.М. Новоторцев, С.Ф. Маренкин, С.А. Варнавский // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 2. — С. 68-75. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 72.20.−i https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70321 При атмосферном давлении измерены температурные зависимости удельного сопротивления ρ и коэффициента Холла RH в диапазоне температур 77−400 K. Определена энергия ионизации мелкого акцепторного уровня Ea. Полученные результаты хорошо согласуются с литературными данными. При гидростатических давлениях до 5 GPa и T = 300 K измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла в образцах Cd₁₋xMnxGeP₂ (x = 0−0.19). При P = 3.2 GPa соединение CdGeP₂ диссоциирует с образованием фаз CdP₂ и Ge. Введение марганца упрочняет кристаллическую структуру CdGeP₂. Для образца Cd₀.₈₁Mn₀.₁₉GeP₂ характерен обратимый фазовый переход при P = 3.5 GPa. Temperature dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH have been measured under atmospheric pressure and T = 77−400 K. Ionization energy of small acceptor level Ea has been determined. The results agree well with the literary data. Specific electrical resistance and Hall coefficient for samples of Cd₁₋xMnxGeP₂ (x = 0−0.19) have been measured at hydrostatic pressures up to 5 GPa and at 300 K. At P = 3.2 GPa, dissociation of solid solution Cd₁₋xMnxGeP₂ leads to the formation of separate phases of CdP₂ and Ge for x < 0.19. The addition of Mn stabilizes the crystal structure of CdGeP₂ and for the compound Cd₀.₈₁Mn₀.₁₉GeP₂ a reversible phase transition at P = 3.5 GPa is the case. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты № 05-03-33068, № 05-02-16608) и проекта Президиума РАН «Физика и механика сильно сжатого вещества и проблем внутреннего строения Земли и планет». ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂ Баричні і температурні залежності кінетичних коефіцієнтів у феромагнітному напівпровіднику Cd₁₋xMnxGeP₂ Baric and temperature dependences of kinetic coefficients in ferromagnetic semiconductor Cd₁₋xMnxGeP₂ Article published earlier |
| spellingShingle | Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂ Моллаев, А.Ю. Камилов, И.К. Арсланов, Р.К. Залибеков, У.З. Новоторцев, В.М. Маренкин, С.Ф. Варнавский, С.А. |
| title | Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂ |
| title_alt | Баричні і температурні залежності кінетичних коефіцієнтів у феромагнітному напівпровіднику Cd₁₋xMnxGeP₂ Baric and temperature dependences of kinetic coefficients in ferromagnetic semiconductor Cd₁₋xMnxGeP₂ |
| title_full | Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂ |
| title_fullStr | Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂ |
| title_full_unstemmed | Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂ |
| title_short | Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂ |
| title_sort | барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике cd1-xmnxgep₂ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70321 |
| work_keys_str_mv | AT mollaevaû baričeskieitemperaturnyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd1xmnxgep2 AT kamilovik baričeskieitemperaturnyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd1xmnxgep2 AT arslanovrk baričeskieitemperaturnyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd1xmnxgep2 AT zalibekovuz baričeskieitemperaturnyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd1xmnxgep2 AT novotorcevvm baričeskieitemperaturnyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd1xmnxgep2 AT marenkinsf baričeskieitemperaturnyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd1xmnxgep2 AT varnavskiisa baričeskieitemperaturnyezavisimostikinetičeskihkoéfficientovvferromagnitnompoluprovodnikecd1xmnxgep2 AT mollaevaû baričníítemperaturnízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd1xmnxgep2 AT kamilovik baričníítemperaturnízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd1xmnxgep2 AT arslanovrk baričníítemperaturnízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd1xmnxgep2 AT zalibekovuz baričníítemperaturnízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd1xmnxgep2 AT novotorcevvm baričníítemperaturnízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd1xmnxgep2 AT marenkinsf baričníítemperaturnízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd1xmnxgep2 AT varnavskiisa baričníítemperaturnízaležnostíkínetičnihkoefícíêntívuferomagnítnomunapívprovídnikucd1xmnxgep2 AT mollaevaû baricandtemperaturedependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd1xmnxgep2 AT kamilovik baricandtemperaturedependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd1xmnxgep2 AT arslanovrk baricandtemperaturedependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd1xmnxgep2 AT zalibekovuz baricandtemperaturedependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd1xmnxgep2 AT novotorcevvm baricandtemperaturedependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd1xmnxgep2 AT marenkinsf baricandtemperaturedependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd1xmnxgep2 AT varnavskiisa baricandtemperaturedependencesofkineticcoefficientsinferromagneticsemiconductorcd1xmnxgep2 |