Особенности трансформации дефектной структуры кристаллов K1-хRbхTiOPO₄ под воздействием давления кислорода и условий выращивания
Проведены исследования по оптимизации условий роста и режимов последующей термообработки кристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ с целью увеличения их структурного совершенства. Установлено, что существует оптимальный диапазон значений линейных скоростей роста Vgr = 0.055−0.065 mm/h грани (100) монокристаллов (...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2007
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70322 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности трансформации дефектной структуры кристаллов K₁₋хRbхTiOPO₄ под воздействием давления кислорода и условий выращивания / Н.А. Каланда, С.А. Гурецкий, А.М. Лугинец, Е.А. Фадеева, А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 2. — С. 76-80. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Проведены исследования по оптимизации условий роста и режимов последующей термообработки кристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ с целью увеличения их структурного совершенства. Установлено, что существует оптимальный диапазон значений линейных скоростей роста Vgr = 0.055−0.065 mm/h грани (100) монокристаллов (α)K₁₋хRbхTiOPO₄, при которых лучевая прочность имеет максимальные значения, а электропроводность − минимальные. Проведение дополнительного отжига при pO2 = 7·10⁵–10⁶ Pa по режиму: нагрев со скоростью 100−50 K/h до 1273 K (выдержка t = 40−50 h) → охлаждение 0.5−8 K/h до 1173 K и 10−50 K/h − до 303 K способствовало увеличению значений Pmax и σ в 1.3 и 1.7 раза соответственно.
Studies on the optimization of growth conditions and regimes of the subsequent heat treatment of (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ crystals for the purpose of improving their structural perfection have been carried out. It is established that there is an optimum range of the linear rates of growth Vgr = 0.055−0.065 mm/h of face (100) of (α)K₁₋хRbхTiOPO₄ single crystals with which the damage threshold has maximum values, and electrical conductivity − the minimum ones. Additional annealing with pO2 = 7·10⁵–10⁶ Pa according to the scheme: heating at a rate 100−50 K/h to 1273 K (endurance t = 40−50 h) → cooling 0.5−8 K/h to 1173 K and 10−50 K/h to 303 K contributed to an increase in Рmax values by a factor of 1.3 and σ increase by a factor of 1.7.
|
|---|---|
| ISSN: | 0868-5924 |