Особенности фазообразования и физические свойства пленок Al−Nb и Al−Ta, полученных методом ионно-плазменного напыления

• Опубліковано в: : Физика и техника высоких давлений
• Дата: 2007
• Автори: Белецкая, О.Е., Башев, В.Ф., Куцева, Н.А., Доценко, Ф.Ф., Рябцев, С.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2007
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70363
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности фазообразования и физические свойства пленок Al−Nb и Al−Ta, полученных методом ионно-плазменного напыления / О.Е. Белецкая, В.Ф. Башев, Н.А. Куцева, Ф.Ф. Доценко, С.И. Рябцев // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 3. — С. 27-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

В широких концентрационных интервалах исследован фазовый состав, электрические свойства и параметры ближнего порядка свеженапыленных и термообработанных пленок Al−Nb и Al−Ta, полученных модернизированным методом ионноплазменного напыления (ИПН). В исходном свеженапыленном состоянии пленки с содержанием ~ (22−75) at.% легирующего элемента (Nb или Ta) состоят либо из рентгеноаморфной (РАФ), либо из аморфно-кристаллической (РАФ + К) фаз. При отжиге в вакууме (10⁻³ Pа) некристаллические фазы не распадаются вплоть до температур, при которых начинается интенсивное окисление пленок. Примененный в работе метод ИПН позволяет получать рентгеноаморфные пленки Al−Nb и Al−Ta в широких концентрационных интервалах с различными номиналами поверхностного электросопротивления ρS и прецизионными значениями температурного коэффициента сопротивления (ТКС). The phase composition, electrical properties and parameters of short range order of the Al−Nb and Al−Ta films were researched in the wide concentration intervals. The films were obtained by the modified method of ion-plasma sputtering (IPS). The films with 22−75 at.% of alloying elements (Nb or Ta) consist of amorphous or amorphous and crystalline phases in initial state. The non-crystalline phases are stable up to temperatures of intensive oxidation of films at annealing in vacuum. The IPS method allows obtaining of homogeneous Al−Nb and Al−Ta films with wide nominal values of sheet electrical resistance and precision values of temperature coefficient of resistance.