Влияние валентной зоны изолятора на барьерные характеристики туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл

• Опубліковано в: : Физика и техника высоких давлений
• Дата: 2007
• Автори: Хачатурова, Т.А., Белоголовский, М.А., Хачатуров, А.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2007
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70383
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние валентной зоны изолятора на барьерные характеристики туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл / Т.А. Хачатурова, М.А. Белоголовский, А.И. Хачатуров // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 4. — С. 41-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Показано, что использование двухзонного приближения для электронной структуры изолирующего слоя позволяет объяснить аномальную W-образную форму барьерных характеристик туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл. Предложены и обсуждаются туннельные эксперименты при высоких давлениях, которые позволят однозначно ответить на вопрос о соответствии особенностей туннельного спектра деталям зонной структуры полупроводниковых электродов. It is shown that a two-band approximation for the electronic structure of an insulating layer makes it possible to explain an anomalous W-like shape of barrier characteristics for semimetal−insulator−metal tunnel junctions. High-pressure tunneling experiments that may definitely answer the question concerning correspondence of tunnel spectrum features to details of the band structure of semiconducting electrodes are proposed and discussed.