Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом

• Veröffentlicht in: Физика и техника высоких давлений
• Datum: 2008
• ISSN: 0868-5924
• Hauptverfasser: Москаль, Д.С., Надточий, В.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70449
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения. Action of the laser pulse (τP = 1 ms, λ = 0.694 μm and energy ≤ 1 J) on the surface (111) of GaAs single crystal has been investigated. It was established that the process of defects formation is activated at shear strain up to ~ 100 MPa. Temperature and strain fields were determined by numerical solution of heat conduction equation for the case of pulsed laser irradiation of semiconductor surface.