Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решени...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70449 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859507883820974080 |
|---|---|
| author | Москаль, Д.С. Надточий, В.А. |
| author_facet | Москаль, Д.С. Надточий, В.А. |
| citation_txt | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика и техника высоких давлений |
| description | Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения.
Action of the laser pulse (τP = 1 ms, λ = 0.694 μm and energy ≤ 1 J) on the surface (111) of GaAs single crystal has been investigated. It was established that the process of defects formation is activated at shear strain up to ~ 100 MPa. Temperature and strain fields were determined by numerical solution of heat conduction equation for the case of pulsed laser irradiation of semiconductor surface.
|
| first_indexed | 2025-11-25T14:03:16Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70449 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0868-5924 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T14:03:16Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Москаль, Д.С. Надточий, В.А. 2014-11-06T09:42:41Z 2014-11-06T09:42:41Z 2008 Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 71.10.–W https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70449 Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения. Action of the laser pulse (τP = 1 ms, λ = 0.694 μm and energy ≤ 1 J) on the surface (111) of GaAs single crystal has been investigated. It was established that the process of defects formation is activated at shear strain up to ~ 100 MPa. Temperature and strain fields were determined by numerical solution of heat conduction equation for the case of pulsed laser irradiation of semiconductor surface. ru Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України Физика и техника высоких давлений Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом Розподіл термопружних напру- жень по поверхні монокристалу GaAs, що опромінюється лазерним імпульсом Distribution of thermoelastic stresses in surface of GaAs single crystals irradiated by laser pulse Article published earlier |
| spellingShingle | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом Москаль, Д.С. Надточий, В.А. |
| title | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_alt | Розподіл термопружних напру- жень по поверхні монокристалу GaAs, що опромінюється лазерним імпульсом Distribution of thermoelastic stresses in surface of GaAs single crystals irradiated by laser pulse |
| title_full | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_fullStr | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_full_unstemmed | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_short | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом |
| title_sort | распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов gaas, облучаемой лазерным импульсом |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70449 |
| work_keys_str_mv | AT moskalʹds raspredelenietermouprugihnaprâženiipopoverhnostimonokristallovgaasoblučaemoilazernymimpulʹsom AT nadtočiiva raspredelenietermouprugihnaprâženiipopoverhnostimonokristallovgaasoblučaemoilazernymimpulʹsom AT moskalʹds rozpodíltermopružnihnapruženʹpopoverhnímonokristalugaasŝoopromínûêtʹsâlazernimímpulʹsom AT nadtočiiva rozpodíltermopružnihnapruženʹpopoverhnímonokristalugaasŝoopromínûêtʹsâlazernimímpulʹsom AT moskalʹds distributionofthermoelasticstressesinsurfaceofgaassinglecrystalsirradiatedbylaserpulse AT nadtočiiva distributionofthermoelasticstressesinsurfaceofgaassinglecrystalsirradiatedbylaserpulse |