Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решени...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70449 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Кумуляция ионов сфокусированным кольцевым лазерным импульсом
за авторством: Балакирев, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Балакирев, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Возбуждение кильватерных полей в плазме лазерным импульсом ультракороткой длительности
за авторством: Балакирев, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Балакирев, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Ускорение электронов в полуограниченной плазме ленгмюровскими колебаниями, возбуждаемыми лазерным импульсом
за авторством: Балакирев, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Балакирев, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Возбуждение остаточного тока в плазме, создаваемой предельно коротким циркулярно поляризованным лазерным импульсом
за авторством: Введенский, Н.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Введенский, Н.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Лазерно-плазменное ускорение сгустка электронов, инжектируемых перед лазерным импульсом, генерирующим кильватерную волну
за авторством: Кузнецов, С.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кузнецов, С.В.
Опубліковано: (2012)
Моделирование радиационных процессов высокой энергии в сильных плазменных полях, генерируемых лазерным импульсом
за авторством: Костюков, И.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Костюков, И.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
Тепловые неоднородности и накопление термоупругих напряжений в геологической среде
за авторством: Бахова, Н.И.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Бахова, Н.И.
Опубліковано: (2013)
Ускорение электронов и генерация квазипостоянного тока в процессе ионизации газа предельно коротким лазерным импульсом
за авторством: Введенский, Н.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Введенский, Н.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Разработка трехмерной конечноэлементной модели нестационарных термоупругих напряжений поршня тракторного дизеля
за авторством: Строков, А.П., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Строков, А.П., та інші
Опубліковано: (2010)
Модифицирование стальной поверхности при нагреве плазменным импульсом
за авторством: Чабак, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Чабак, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2017)
Волны напряжений в цилиндре, возбуждаемые термическим импульсом на торце
за авторством: Бойчук, Е.В., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Бойчук, Е.В., та інші
Опубліковано: (2006)
Конференция по лазерным технологиям
за авторством: Коваленко, В.С.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Коваленко, В.С.
Опубліковано: (2011)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
4-я Международная конференция по лазерным технологиям
за авторством: Коваленко, В.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, В.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Международная конференция по лазерным технологиям в Украине
за авторством: Зельниченко, А.Т.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Зельниченко, А.Т.
Опубліковано: (2013)
4-я Международная конференция по лазерным технологиям
за авторством: Коваленко, В.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, В.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Фазовые превращения в термоупругих пиках в железе
за авторством: Калиниченко, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Калиниченко, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование термоупругих свойств ветвей термоэлектрических модулей Пельтье
за авторством: Asсheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Asсheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2005)
Международная конференция по лазерным технологиям состоялась в Украине
за авторством: Зельниченко, А.Т.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Зельниченко, А.Т.
Опубліковано: (2015)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)