Микроструктура и критическая плотность тока ленточных композитов с наноразмерными слоями из сверхпроводящих сплавов Nb–Ti

Исследованы структура и критическая плотность тока многослойных ленточных композитов, в которых сверхпроводящие слои из деформируемых сплавов Nb–Ti наноразмерной толщины чередовались с такими же слоями из ниобия. Композиты получены 3-этапной прокаткой многослойных пакетов вначале на вакуумном прокат...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2008
Main Authors: Карпов, М.И., Коржов, В.П., Зверев, В.Н., Внуков, В.И., Желтякова, И.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2008
Series:Физика и техника высоких давлений
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70458
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Микроструктура и критическая плотность тока ленточных композитов с наноразмерными слоями из сверхпроводящих сплавов Nb–Ti / М.И. Карпов, В.П. Коржов, В.Н. Зверев, В.И. Внуков, И.С. Желтякова // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 4. — С. 70-76. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Исследованы структура и критическая плотность тока многослойных ленточных композитов, в которых сверхпроводящие слои из деформируемых сплавов Nb–Ti наноразмерной толщины чередовались с такими же слоями из ниобия. Композиты получены 3-этапной прокаткой многослойных пакетов вначале на вакуумном прокатном стане с нагревом до 950°C, а затем прокаткой при комнатной температуре. Микроструктура поперечных сечений изучена методом растровой электронной микроскопии. Измерениями критического тока показано, что Nb-слои вызывали очень сильный пиннинг сверхпроводящих вихрей на границе сверхпроводник–нормальный металл. Об этом свидетельствовали большие значения анизотропии критической плотности тока при толщине слоев 10 nm и меньше.