Buchumschlag

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe

Проведены исследования магнитных и кинетических свойств кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe, которые показали их высокую чувствительность к малейшим изменениям содержания магнитных ионов. На основе экспериментально полученных температурных зависимостей электропроводности и термо-эдс проведена оценка коэффици...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Ковалюк, Т.Т., Майструк, Э.В., Марьянчук, П.Д.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70540
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe / Т.Т. Ковалюк, Э.В. Майструк, П.Д. Марьянчук// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Kovalyuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Magnetic and kinetic properties of crystals Hg1–x–yCdxDyySe
von: T. T. Kovaljuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
von: Брус, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Quaternary semimagnetic Hg₁₋x₋yCdxMnySe crystals for optoelectronic application
von: Mazur, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
von: Malyk, O.P.
Veröffentlicht: (2009)

Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu₂ZnSnSe₄
von: Майструк, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Магнитные транспортные свойства полумагнитного полупроводника Hg₁₋x₋yCrxMnySe
von: Прозоровский, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
von: Zhikharevich, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
von: Храмов, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
von: Paranchych, S.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
von: Olikh, Y.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
von: Moskvin, P.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
von: Lysiuk, I.O., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
von: Прозоровский, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
von: Баширов, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe
von: Прозоровский, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
von: Elizarov, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication
von: Savkina, R.K., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group
von: Vlasov, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
von: S. Staryi, et al.
Veröffentlicht: (2023)