Титульные страницы и содержание
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70547 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 1-2. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859529154201911296 |
|---|---|
| citation_txt | Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 1-2. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed | 2025-11-25T22:42:27Z |
| format | Article |
| fulltext |
ТЕХНОЛОГИЯ
И
КОНСТРУИРОВАНИЕ
В
ЭЛЕКТРОННОЙ
АППАРАТУРЕ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
Год издания 38-й
№ 2–3
ÑÎÄÅÐÆÀÍÈÅ
2014
© Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2014.
Эëåêòðîííыå ñðåдñòâà: èññëåдîâàíèÿ, ðàзðàбîòêè
Êëàññèôèêàöèя ìåòîäîâ èçìåðåíèя âîëüò-àìïåðíûõ õàðàê-
òåðèñòèê ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ. Ермоленко Е. А.
Ýêñïðåññ-ìåòîä îöåíêè èçìåíåíèé òåìïåðàòóðû ýëåìåíòîâ
ÐÝÀ. Îáорñкèé Ã. А., Ñàâелüеâà Î. Ñ., Øèõèреâà Ю. Â.
ÑÂ×-òåõíèêà
Èñïîëüçîâàíèå ùåëåâûõ ðåçîíàòîðîâ äëя ïðîåêòèðîâàíèя
óñèëèòåëя ìîùíîñòè ñ ìàíèïóëяöèåé ãàðìîíèê. Ðàññоõèнà
Ю. Â., Êрûæàноâñкèé Â. Ã., Êоâàленко Â. А., Colantonio P.,
Giofrè R.
Äâóõêàíàëüíûé ïåðåêëþ÷àòåëü ÑÂ×-ìîùíîñòè íà îñíîâå
ýëåêòðè÷åñêè àêòèâíûõ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ñòðóêòóð.
Ëàâрèч Ю. Í., Ïлàкñèн Ñ. Â., Êрûñü Â. ß., Ïоãорелàÿ
Ë. Ì., Ñоколоâñкèé È. È.
Ñèñòåмы ïåðåдàчè è îбðàбîòêè ñèãíàëîâ
Ñèñòåìà ïåðåäà÷è äàííûõ ñ øèôðîâàíèåì õàîòè÷åñêèìè
ïîñëåäîâàòåëüíîñòяìè. Ïолèòàнñкèé Ð. Ë., Øïàòàрü Ï. Ì.,
Ãреñü A. B., Âерèãà А. Ä.
Эíåðãåòèчåñêàÿ ýëåêòðîíèêà
Ñõåìîòåõíèêà èñòî÷íèêîâ ïèòàíèя äëя èìïóëüñíî-äóãîâîé
ñâàðêè ñ õàîòè÷åñêèìè êîëåáàíèяìè òîêà. Ñèäореö Â. Í.,
Áóøмà А. È., Æерноñекоâ А. Ì.
Îбåñïåчåíèå òåïëîâыõ ðåæèмîâ
Êîàêñèàëüíàя òåïëîâàя òðóáà äëя îõëàæäåíèя îòðàæàòåëя
ëàçåðà. Ãерøóнè А. Í., Íèùèк А. Ï.
Ôèçè÷åñêîå ïðåäñòàâëåíèå è ðàñ÷åò íà÷àëà êèïåíèя â
ïóëüñàöèîííîé òåïëîâîé òðóáå. Íàóмоâà А. Í., Êрàâеö
Â. Ю., Íèколàенко Ю. Е.
Òåõíîëîãèчåñêèå ïðîöåññы è îбîðóдîâàíèå
Ïîëó÷åíèå ñîåäèíåíèé ïîâûøåííîé ïëîòíîñòè òåðìîçâóêî-
âîé ìèêðîñâàðêîé â 3D èíòåãðàëüíûõ ìèêðîñõåìàõ. Ëàнèн
Â. Ë., Ïеòóõоâ È. Á.
Мàòåðèàëы ýëåêòðîíèêè
Ôèçè÷åñêèå ñâîéñòâà è çîííàя ñòðóêòóðà êðèñòàëëîâ
(3HgTe)1–x(Al2Te3)x, ëåãèðîâàííûõ ìàðãàíöåì. Ìàрüÿнчóк
Ï. Ä., Äûмко Ë. Í., Ðомàнèøèн Ò. Ð., Êоâàлþк Ò. Ò.,
Áрóñ Â. Â., Ñолоâàн Ì. Í., Ìоñòоâоé А. È.
Ôîðìèðîâàíèå ðåçêèõ ãðàíèö ðàçäåëà â ýïèòàêñèàëüíûõ
ñòðóêòóðàõ p+-AlGaAs/n-GaAs ìåòîäîì ÌÎÑ-ãèäðèäíîé
ýïèòàêñèè. Âàкèâ Í. Ì., Êрóкоâñкèé Ñ. È., Ëàркèн Ñ. Ю.,
Аâкñенòüеâ А. Ю., Êрóкоâñкèé Ð. Ñ.
Ñïèñîê ðåöåíзåíòîâ íîмåðà
Пàмÿòêà àâòîðó æóðíàëà «ÒКЭÀ»
Íîâыå êíèãè
Âыñòàâêè. Кîíôåðåíöèè
ÃËÀÂÍÛÉ ÐÅÄÀÊÒÎÐ
Ê.ò.н. Â. Ì. ×мèлü
ÐÅÄÀÊÖÈÎÍÍÛÉ ÑÎÂÅÒ
×л.-корр. ÍАÍУ, ä.ô.-м.н. А. Е. Áелÿеâ
(ã. Êèåâ)
Ä.ò.н. Í. Ì. Âàкèâ (ã. Ëüâîâ)
Ä.ò.н. Â. Í. Ãоäоâàнþк (ã. ×åðíîâöû)
Ê.ò.н. А. А. Äàøкоâñкèé (ã. Êèåâ)
Ä.ô.-м.н. Â. Ô. Ìàчóлèн (ã. Êèåâ)
Ä.ò.н. Ã. А. Îáорñкèé (ã. Îäåññà)
Е. А. Òèõоноâà (ã. Îäåññà)
ÐÅÄÀÊÖÈÎÍÍÀß ÊÎËËÅÃÈß
Ä.ò.н. Ñ. Ã. Анòоùóк (ã. Îäåññà)
Ä.ò.н. А. А. Аùеóлоâ (ã. ×åðíîâöû)
Ä.ò.н. Â. Â. Áàрàноâ (ã. Ìèíñê)
Ê.ò.н. Ý. Í. Ãлóøеченко,
çàì. ãë. ðåäàêòîðà (ã. Êèåâ)
Ä.ò.н. Â. Â. Äàнèлоâ (ã. Äîíåöê)
Ä.ô.-м.н. Â. Â. Äолæèкоâ (ã. Хàðüêîâ)
Ê.ò.н. È. Í. Ерèмèчоé,
çàì. ãë. ðåäàêòîðà (ã. Îäåññà)
Ê.ò.н. А. А. Еôèменко,
îòâåòñòâåííûé ñåêðåòàðü (ã. Îäåññà)
Ä.ô.-м.н. Ä. Â. Êорáóòÿк (ã. Êèåâ)
Ä.ò.н. Ñ. È. Êрóкоâñкèé (ã. Ëüâîâ)
Ä.ò.н. Ñ. Ю. Ëóçèн (ã. Ñ.-Ïåòåðáóðã)
Ê.ò.н. È. Ë. Ìèõееâà (ã. Êèåâ)
Ä.ò.н. È. Ø. Íеâлþäоâ (ã. Хàðüêîâ)
Ä.ò.н. Ю. Е. Íèколàенко (ã. Êèåâ)
Ê.ô.-м.н. А. Â. Ðûáкà (ã. Хàðüêîâ)
Ê.ò.н. Â. Â. Ðþõòèн (ã. ×åðíîâöû)
Ä.ô.-м.н. Ì. È. Ñàмоéлоâèч (ã. Ìîñêâà)
Ä.ò.н. Â. Ñ. Ñèòнèкоâ (ã. Îäåññà)
Ä. ò. н. ß. Ñòеâàноâèч (ã. Áåëãðàä)
Ä. ò. н. Ç. Ñòеâèч (ã. Áåëãðàä)
Ä.õ.н. Â. Í. Òомàøèк (ã. Êèåâ)
Ê.ò.н. Â. Е. Òроôèмоâ (ã. Îäåññà)
Ó×ÐÅÄÈÒÅËÈ
ÌÏÏ Óêðàèíû
Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ
èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà
Íàó÷íî-ïðîèçâîäñòâåííîå
ïðåäïðèяòèå «Ñàòóðí»
Îäåññêèé íàöèîíàëüíûé
ïîëèòåõíè÷åñêèé óíèâåðñèòåò
Èçäàòåëüñòâî «Ïîëèòåõïåðèîäèêà»
Îäîáðåíî ê ïå÷àòè Ó÷åíûì ñîâåòîì
ÎÍÏÓ
(Ïðîòîêîë ¹ 7 îò 25.03 2014 ã.)
Îòâ. çà âûïóñê: Òèõîíîâà Å. À.
3
12
18
24
28
33
37
42
48
54
61
66
67
11, 36, 47, 53
17
(in Russian)
TEKHNOLOGIYA
I
KONSTRUIROVANIE
V
ELEKTRONNOI
APPARATURE
SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL
Publication year 38th
N 2–32014
Electronic means: investigations, development
Classification of methods for measuring current-voltage
characteristics of semiconductor devices. Iermolenko
Ie. A. (3)
Rapid method to estimate temperature changes in elec-
tronics elements. Oborskii G. A., Savel’eva O. S.,
Shikhireva Yu. V. (12)
Microwave engineering
Inverse class-F power amplifier using slot resonators
as a harmonic filter. Rassokhina Yu. V., Krizhanovski
V. G., Kovalenko V. A., Colantonio P., Giofrè R. (18)
Two-channel microwave power switch construction on
the basis of electrically active semiconductor struc-
tures. Lavrich Yu. N., Plaksin S. V., Kris V. Ya.,
Pogorelaya L. M., Sokolovskiy I. I. (24)
Signals transfer and processing systems
Data transmission system with encryption by chaotic
sequences. Politans’kyy R. L., Shpatar P. M., Hres
A. V., Verigha A. D. (28)
Power electronics
Circuitry of power supplies for pulsed arc welding
with chaotic current oscillations. Sidorets V. N.,
Bushma A. I., Zhernosekov A. M. (33)
Thermal management
Coaxial heat pipe for cooling of a laser’s reflector.
Gershuni A. N., Nishchik A. P. (37)
Physical concept and calñulation of boiling point in a
pulsating heat pipe. Naumova A. N., Kravets V. Yu.,
Nikolaenko Yu. E. (42)
Production technology and equipment
Obtaining raised density connections by thermosonic
microwelding in 3D integrated microcircuits. Lanin
V. L., Petuhov I. B. (48)
Materials of electronics
Physical properties and band structure of crystals
(3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese.Maryan-
chuk P. D., Dymko L. N., Romanishyn T. R., Kovalyuk
T. T., Brus V. V., Solovan M. N., Mostovoy A. I. (54)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial struc-
tures obtained by ÌÎÑVD. Vakiv N. M., Krukovskii
S. I., Larkin S. Yu., Avksent'ev A. Yu., Krukovskii
R. S. (61)
Åëåêòðîííі зàñîбè: дîñëідæåííÿ, ðîзðîбêè
Êëàñèôіêàöія ìåòîäіâ âèìіðþâàííя âîëüò-àìïåðíèõ
õàðàêòåðèñòèê íàïіâïðîâіäíèêîâèõ ïðèëàäіâ. Єрмо-
лєнко Є. Î. (3)
Åêñïðåñ-ìåòîä îöіíêè çìіí òåìïåðàòóðè åëåìåíòіâ
ÐÅÀ. Îáорñüкèé Ã. Î., Ñàâелüєâà Î. Ñ., Øèõіреâà
Ю. Â. (12)
ÍÂ×-åëåêòðîíіêà
Âèêîðèñòàííя ùіëèííèõ ðåçîíàòîðіâ äëя ïðîåêòó-
âàííя ïіäñèëþâà÷à ïîòóæíîñòі іç ìàíіïóëяöієþ
ãàðìîíіê. Ðàññоõінà Ю. Â., Êрèæàноâñüкèé Â. Ã.,
Êоâàленко Â. Î., Colantonio P., Giofrè R. (18)
Äâîõêàíàëüíèé ïåðåìèêà÷ ÍÂ×-ïîòóæíîñòі íà îñíî âі
åëåêòðè÷íî àêòèâíèõ íàïіâïðîâіäíèêîâèõ ñòðóêòóð.
Ëàâріч Ю. Ì., Ïлàкñін Ñ. Â., Êрèñü Â. ß., Ïоãорілà
Ë. Ì., Ñоколоâñüкèé ². ². (24)
Ñèñòåмè ïåðåдàчі òà îбðîбêè ñèãíàëіâ
Ñèñòåìà ïåðåäàâàííя äàíèõ ç øèôðóâàííяì õàîòè÷-
íèìè ïîñëіäîâíîñòяìè. Ïоліòàнñüкèé Ð. Ë., Øïà-
òàр Ï. Ì., Ãреñü Î. B., Âерèãà А. Ä. (28)
Åíåðãåòèчíà åëåêòðîíіêà
Ñõåìîòåõíіêà äæåðåë æèâëåííя äëя іìïóëüñíî-äóãî-
âîãî çâàðþâàííя ç õàîòè÷íèìè êîëèâàííяìè ñòðóìó.
Ñèäореöü Â. Ì., Áóøмà Î. ²., Æерноñєкоâ А. Ì. (33)
Зàбåзïåчåííÿ òåïëîâèõ ðåæèміâ
Êîàêñіàëüíà òåïëîâà òðóáà äëя îõîëîäæåííя âіäáè-
âà÷à ëàçåðà. ÃерøóніÎ. Í., Íіùèк Î. Ï. (37)
Ôіçè÷íå óяâëåííя òà ðîçðàõóíîê ïî÷àòêó êèïіííя â
ïóëüñàöіéíіé òåïëîâіé òðóáі. Íàóмоâà А. Ì., Êрà-
âеöü Â. Ю., Íіколàєнко Ю. Є. (42)
Òåõíîëîãічíі ïðîöåñè òà îбëàдíàííÿ
Îòðèìàííя ç'єäíàíü ïіäâèùåíîї ùіëüíîñòі òåðìîçâó-
êîâèì ìіêðîçâàðþâàííяì ó 3D іíòåãðàëüíèõ ìіêðî-
ñõåìàõ. Ëàнін Â. Ë., Ïеòóõоâ ². Á. (48)
Мàòåðіàëè åëåêòðîíіêè
Ôіçè÷íі âëàñòèâîñòі і çîííà ñòðóêòóðà êðèñòàëіâ
(3HgTe)1–x(Al2Te3)x, ëåãîâàíèõ ìàðãàíöåì. Ìàр'ÿн-
чóк Ï. Ä., Äèмко Ë. Ì., Ðомàнèøèн Ò. Ð., Êоâàлþк
Ò. Ò., Áрóñ Â. Â., Ñолоâàн Ì. Ì., Ìоñòоâèé А. ². (54)
Ôîðìóâàííя ðіçêèõ ìåæ ðîçäіëó â åïіòàêñіéíèõ
ñòðóêòóðàõ p+-AlGaAs/n-GaAs ìåòîäîì ÌÎÑ-ãіä-
ðèäíîї åïіòàêñії. Âàкіâ Ì. Ì., Êрóкоâñüкèé Ñ. ².,
Ëàркін Ñ. Ю., Аâкñенòüєâ А. Ю., Êрóкоâñüкèé
Ð. Ñ. (61)
ЗМ²ÑÒ ÑONTENTS
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70547 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T22:42:27Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | 2014-11-08T10:12:44Z 2014-11-08T10:12:44Z 2014 Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 1-2. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70547 ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Титульные страницы и содержание Article published earlier |
| spellingShingle | Титульные страницы и содержание |
| title | Титульные страницы и содержание |
| title_full | Титульные страницы и содержание |
| title_fullStr | Титульные страницы и содержание |
| title_full_unstemmed | Титульные страницы и содержание |
| title_short | Титульные страницы и содержание |
| title_sort | титульные страницы и содержание |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70547 |