Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур

Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трехсантиметровом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольт-амперными характеристиками N- и S-образной формы. Эти структуры реа...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2014
Hauptverfasser: Лаврич, Ю.Н., Плаксин, С.В., Крысь, В.Я., Погорелая, Л.М., Соколовский, И.И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70551
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур / Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин, В.Я. Крысь, Л.М. Погорелая, И.И. Соколовский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 24-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трехсантиметровом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольт-амперными характеристиками N- и S-образной формы. Эти структуры реализуют соответственно функции амплитудного модулятора мощности на диоде Ганна и коммутатора на диоде из халькогенидного стеклообразного полупроводника. Розроблено двохканальний комутатор НВЧ-потужності в 3-см діапазоні довжини хвиль з використанннням двох об'ємних напівпровідникових структур, які мають негативну диференціальну провідність, з вольт-амперними характеристиками N- та S-подібними формами. Ці структури реалізують функції амплітудного модулятора потужності на діоді Ганннна та комутатора на діоді з халькогенідного склоподібного напівпровідника. The paper presents the construction of the two-channel microwave switch in the three-centimeter range of wave lengths based on bulk semiconductor structures having negative differential conductivity (NDC) of N- and S-type, and realizing the functions of peak power modulator on a TED-diode and the switch on a CGS-diode respectively.
ISSN:2225-5818