Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур

Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трехсантиметровом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольт-амперными характеристиками N- и S-образной формы. Эти структуры реа...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2014
Main Authors: Лаврич, Ю.Н., Плаксин, С.В., Крысь, В.Я., Погорелая, Л.М., Соколовский, И.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70551
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур / Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин, В.Я. Крысь, Л.М. Погорелая, И.И. Соколовский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 24-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862588517050220544
author Лаврич, Ю.Н.
Плаксин, С.В.
Крысь, В.Я.
Погорелая, Л.М.
Соколовский, И.И.
author_facet Лаврич, Ю.Н.
Плаксин, С.В.
Крысь, В.Я.
Погорелая, Л.М.
Соколовский, И.И.
citation_txt Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур / Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин, В.Я. Крысь, Л.М. Погорелая, И.И. Соколовский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 24-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трехсантиметровом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольт-амперными характеристиками N- и S-образной формы. Эти структуры реализуют соответственно функции амплитудного модулятора мощности на диоде Ганна и коммутатора на диоде из халькогенидного стеклообразного полупроводника. Розроблено двохканальний комутатор НВЧ-потужності в 3-см діапазоні довжини хвиль з використанннням двох об'ємних напівпровідникових структур, які мають негативну диференціальну провідність, з вольт-амперними характеристиками N- та S-подібними формами. Ці структури реалізують функції амплітудного модулятора потужності на діоді Ганннна та комутатора на діоді з халькогенідного склоподібного напівпровідника. The paper presents the construction of the two-channel microwave switch in the three-centimeter range of wave lengths based on bulk semiconductor structures having negative differential conductivity (NDC) of N- and S-type, and realizing the functions of peak power modulator on a TED-diode and the switch on a CGS-diode respectively.
first_indexed 2025-11-27T02:08:41Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70551
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-11-27T02:08:41Z
publishDate 2014
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Лаврич, Ю.Н.
Плаксин, С.В.
Крысь, В.Я.
Погорелая, Л.М.
Соколовский, И.И.
2014-11-08T10:23:36Z
2014-11-08T10:23:36Z
2014
Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур / Ю.Н. Лаврич, С.В. Плаксин, В.Я. Крысь, Л.М. Погорелая, И.И. Соколовский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 24-27. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2014.2-3.24
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70551
621.316.7
Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трехсантиметровом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольт-амперными характеристиками N- и S-образной формы. Эти структуры реализуют соответственно функции амплитудного модулятора мощности на диоде Ганна и коммутатора на диоде из халькогенидного стеклообразного полупроводника.
Розроблено двохканальний комутатор НВЧ-потужності в 3-см діапазоні довжини хвиль з використанннням двох об'ємних напівпровідникових структур, які мають негативну диференціальну провідність, з вольт-амперними характеристиками N- та S-подібними формами. Ці структури реалізують функції амплітудного модулятора потужності на діоді Ганннна та комутатора на діоді з халькогенідного склоподібного напівпровідника.
The paper presents the construction of the two-channel microwave switch in the three-centimeter range of wave lengths based on bulk semiconductor structures having negative differential conductivity (NDC) of N- and S-type, and realizing the functions of peak power modulator on a TED-diode and the switch on a CGS-diode respectively.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
СВЧ-техника
Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
Двохканальний перемикач НВЧ-потужності на основі електрично активних напівпровідникових структур
Two-channel microwave power switch construction on the basis of electrically active semiconductor structures
Article
published earlier
spellingShingle Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
Лаврич, Ю.Н.
Плаксин, С.В.
Крысь, В.Я.
Погорелая, Л.М.
Соколовский, И.И.
СВЧ-техника
title Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
title_alt Двохканальний перемикач НВЧ-потужності на основі електрично активних напівпровідникових структур
Two-channel microwave power switch construction on the basis of electrically active semiconductor structures
title_full Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
title_fullStr Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
title_full_unstemmed Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
title_short Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
title_sort двухканальный переключатель свч-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
topic СВЧ-техника
topic_facet СВЧ-техника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70551
work_keys_str_mv AT lavričûn dvuhkanalʹnyipereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT plaksinsv dvuhkanalʹnyipereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT krysʹvâ dvuhkanalʹnyipereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT pogorelaâlm dvuhkanalʹnyipereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT sokolovskiiii dvuhkanalʹnyipereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT lavričûn dvohkanalʹniiperemikačnvčpotužnostínaosnovíelektričnoaktivnihnapívprovídnikovihstruktur
AT plaksinsv dvohkanalʹniiperemikačnvčpotužnostínaosnovíelektričnoaktivnihnapívprovídnikovihstruktur
AT krysʹvâ dvohkanalʹniiperemikačnvčpotužnostínaosnovíelektričnoaktivnihnapívprovídnikovihstruktur
AT pogorelaâlm dvohkanalʹniiperemikačnvčpotužnostínaosnovíelektričnoaktivnihnapívprovídnikovihstruktur
AT sokolovskiiii dvohkanalʹniiperemikačnvčpotužnostínaosnovíelektričnoaktivnihnapívprovídnikovihstruktur
AT lavričûn twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT plaksinsv twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT krysʹvâ twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT pogorelaâlm twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT sokolovskiiii twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures