Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем

В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимост...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:	2014
Main Authors:	Марьянчук, П.Д., Дымко, Л.Н., Романишин, Т.Р., Ковалюк, Т.Т., Брус, В.В., Солован, М.Н., Мостовой, А.И.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Subjects:	Материалы электроники
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70557
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70557
record_format	dspace
spelling	Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. 2014-11-08T10:36:07Z 2014-11-08T10:36:07Z 2014 Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2-3.54 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70557 621.315.592 В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³. В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x:<Mn> (x=0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn—Тe—Mn—Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 10²⁰ см⁻³. This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x crystals doped by manganese. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем Фізичні властивості і зонна структура кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легованих марганцем Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, doped with manganese Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
spellingShingle	Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. Материалы электроники
title_short	Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
title_full	Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
title_fullStr	Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
title_full_unstemmed	Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
title_sort	физические свойства и зонная структура кристаллов (3hgte)1-x(al₂te₃)x, легированных марганцем
author	Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И.
author_facet	Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И.
topic	Материалы электроники
topic_facet	Материалы электроники
publishDate	2014
language	Russian
container_title	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format	Article
title_alt	Фізичні властивості і зонна структура кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легованих марганцем Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, doped with manganese
description	В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³. В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x:<Mn> (x=0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn—Тe—Mn—Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 10²⁰ см⁻³. This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x crystals doped by manganese.
issn	2225-5818
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70557
citation_txt	Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT marʹânčukpd fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT dymkoln fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT romanišintr fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT kovalûktt fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT brusvv fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT solovanmn fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT mostovoiai fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT marʹânčukpd fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT dymkoln fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT romanišintr fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT kovalûktt fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT brusvv fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT solovanmn fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT mostovoiai fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT marʹânčukpd physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT dymkoln physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT romanišintr physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT kovalûktt physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT brusvv physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT solovanmn physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT mostovoiai physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese
first_indexed	2025-12-07T18:32:18Z
last_indexed	2025-12-07T18:32:18Z
_version_	1850875407145893888

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем

Institution

Similar Items