Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимост...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70557 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862721855956189184 |
|---|---|
| author | Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. |
| author_facet | Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. |
| citation_txt | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³.
В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x:<Mn> (x=0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn—Тe—Mn—Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 10²⁰ см⁻³.
This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x crystals doped by manganese.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:32:18Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70557 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:32:18Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. 2014-11-08T10:36:07Z 2014-11-08T10:36:07Z 2014 Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2-3.54 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70557 621.315.592 В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³. В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x:<Mn> (x=0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn—Тe—Mn—Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 10²⁰ см⁻³. This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x crystals doped by manganese. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем Фізичні властивості і зонна структура кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легованих марганцем Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, doped with manganese Article published earlier |
| spellingShingle | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем Марьянчук, П.Д. Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. Материалы электроники |
| title | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_alt | Фізичні властивості і зонна структура кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легованих марганцем Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, doped with manganese |
| title_full | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_fullStr | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_full_unstemmed | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_short | Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем |
| title_sort | физические свойства и зонная структура кристаллов (3hgte)1-x(al₂te₃)x, легированных марганцем |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70557 |
| work_keys_str_mv | AT marʹânčukpd fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT dymkoln fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT romanišintr fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT kovalûktt fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT brusvv fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT solovanmn fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT mostovoiai fizičeskiesvoistvaizonnaâstrukturakristallov3hgte1xal2te3xlegirovannyhmargancem AT marʹânčukpd fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT dymkoln fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT romanišintr fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT kovalûktt fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT brusvv fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT solovanmn fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT mostovoiai fízičnívlastivostíízonnastrukturakristalív3hgte1xal2te3xlegovanihmargancem AT marʹânčukpd physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT dymkoln physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT romanišintr physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT kovalûktt physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT brusvv physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT solovanmn physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese AT mostovoiai physicalpropertiesandbandstructureofcrystals3hgte1xal2te3xdopedwithmanganese |