Вакив, Н., Круковский, С., Ларкин, С., Авксентьев, А., & Круковский, Р. (2014). Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Вакив, Н.М, С.И Круковский, С.Ю Ларкин, А.Ю Авксентьев, und Р.С Круковский. "Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах P+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2014.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Вакив, Н.М, et al. "Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах P+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.