Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p⁺-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышени...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70558 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, С.Ю. Ларкин, А.Ю. Авксентьев, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 61-66. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70558 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Ларкин, С.Ю. Авксентьев, А.Ю. Круковский, Р.С. 2014-11-08T10:38:25Z 2014-11-08T10:38:25Z 2014 Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, С.Ю. Ларкин, А.Ю. Авксентьев, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 61-66. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.61 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70558 621.315.592 Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p⁺-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8—10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может быть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур. Розроблено спосіб формування якісних гетеромеж в системі p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в умовах безперервного вирощування при зростанні температури кристалізації від 600 до 760°С. Встановлено, що режим формування шару твердого розчину р⁺-AlGaAs:Zn на поверхні шару n-GaAs:Si при підвищенні температури в зазначеному інтервалі зі швидкістю 8—10°С/хв дозволяє отримати різку межу розділу між шарами р- та n-типу провідності. Такий спосіб формування різких гетеромеж в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si може бути використаний для виготовлення широкої номенклатури епітаксійних структур. The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p⁺AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80—120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600—700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p⁺-AlGaAs: Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600—760°C at a rate 8—10°C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии Формування різких меж розділу в епітаксійних структурах p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гідридної епітаксії Sharp interfaces in p⁺-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD. Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| spellingShingle |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Ларкин, С.Ю. Авксентьев, А.Ю. Круковский, Р.С. Материалы электроники |
| title_short |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_full |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_fullStr |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_full_unstemmed |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_sort |
формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-algaas/n-gaas методом мос-гидридной эпитаксии |
| author |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Ларкин, С.Ю. Авксентьев, А.Ю. Круковский, Р.С. |
| author_facet |
Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Ларкин, С.Ю. Авксентьев, А.Ю. Круковский, Р.С. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Формування різких меж розділу в епітаксійних структурах p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гідридної епітаксії Sharp interfaces in p⁺-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD. |
| description |
Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p⁺-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8—10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может быть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.
Розроблено спосіб формування якісних гетеромеж в системі p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в умовах безперервного вирощування при зростанні температури кристалізації від 600 до 760°С. Встановлено, що режим формування шару твердого розчину р⁺-AlGaAs:Zn на поверхні шару n-GaAs:Si при підвищенні температури в зазначеному інтервалі зі швидкістю 8—10°С/хв дозволяє отримати різку межу розділу між шарами р- та n-типу провідності. Такий спосіб формування різких гетеромеж в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si може бути використаний для виготовлення широкої номенклатури епітаксійних структур.
The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p⁺AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80—120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600—700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p⁺-AlGaAs: Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600—760°C at a rate 8—10°C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70558 |
| citation_txt |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, С.Ю. Ларкин, А.Ю. Авксентьев, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 61-66. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vakivnm formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnoiépitaksii AT krukovskiisi formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnoiépitaksii AT larkinsû formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnoiépitaksii AT avksentʹevaû formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnoiépitaksii AT krukovskiirs formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnoiépitaksii AT vakivnm formuvannârízkihmežrozdíluvepítaksíinihstrukturahpalgaasngaasmetodommosgídridnoíepítaksíí AT krukovskiisi formuvannârízkihmežrozdíluvepítaksíinihstrukturahpalgaasngaasmetodommosgídridnoíepítaksíí AT larkinsû formuvannârízkihmežrozdíluvepítaksíinihstrukturahpalgaasngaasmetodommosgídridnoíepítaksíí AT avksentʹevaû formuvannârízkihmežrozdíluvepítaksíinihstrukturahpalgaasngaasmetodommosgídridnoíepítaksíí AT krukovskiirs formuvannârízkihmežrozdíluvepítaksíinihstrukturahpalgaasngaasmetodommosgídridnoíepítaksíí AT vakivnm sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT krukovskiisi sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT larkinsû sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT avksentʹevaû sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT krukovskiirs sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd |
| first_indexed |
2025-12-01T08:12:43Z |
| last_indexed |
2025-12-01T08:12:43Z |
| _version_ |
1850859672638062592 |