Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2014
• Main Authors: Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Ларкин, С.Ю., Авксентьев, А.Ю., Круковский, Р.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70558
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, С.Ю. Ларкин, А.Ю. Авксентьев, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 61-66. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p⁺-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышени...