Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70571 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862716549577572352 |
|---|---|
| author | Будзуляк, С.И. Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. |
| author_facet | Будзуляк, С.И. Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. |
| citation_txt | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd—СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга—Рис) от времени облучения.
Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd—СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга—Рис) в залежності від часу опромінення.
The effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of СlTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VСd–СlTe) defect centers at which excitons are bound.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:05:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70571 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:05:24Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Будзуляк, С.И. Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. 2014-11-08T13:37:54Z 2014-11-08T13:37:54Z 2014 Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.45 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70571 53.097, 535.241.5 Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd—СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга—Рис) от времени облучения. Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd—СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга—Рис) в залежності від часу опромінення. The effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of СlTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VСd–СlTe) defect centers at which excitons are bound. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения Особливості трансформації домішково-дефектного комплексу в CdTe:Cl під дією НВЧ-опромінення Features of transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl under the influence of microwave radiation Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения Будзуляк, С.И. Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. Технологические процессы и оборудование |
| title | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_alt | Особливості трансформації домішково-дефектного комплексу в CdTe:Cl під дією НВЧ-опромінення Features of transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl under the influence of microwave radiation |
| title_full | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_fullStr | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_full_unstemmed | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_short | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_sort | особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в cdte:cl под воздействием свч-облучения |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70571 |
| work_keys_str_mv | AT budzulâksi osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT korbutâkdv osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT locʹkoap osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT vahnâknd osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT kalitčuksm osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT demčinala osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT konakovarv osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT šinkarenkovv osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT melʹničukav osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT budzulâksi osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT korbutâkdv osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT locʹkoap osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT vahnâknd osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT kalitčuksm osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT demčinala osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT konakovarv osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT šinkarenkovv osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT melʹničukav osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT budzulâksi featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT korbutâkdv featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT locʹkoap featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT vahnâknd featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT kalitčuksm featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT demčinala featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT konakovarv featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT šinkarenkovv featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT melʹničukav featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation |