Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70571 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860188513283080192 |
|---|---|
| author | Будзуляк, С.И. Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. |
| author_facet | Будзуляк, С.И. Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. |
| citation_txt | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd—СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга—Рис) от времени облучения.
Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd—СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга—Рис) в залежності від часу опромінення.
The effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of СlTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VСd–СlTe) defect centers at which excitons are bound.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:05:24Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2014, ¹ 4
45
ÒÅÕÍÎËÎÃÈЧÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
ISSN 2225-5818
ÓÄÊ 53.097, 535.241.5
К. ф.-м. н. С. И. БУДЗУЛЯК, д. ф.-м. н. Д. В. КОРБУТЯК, к. т. н. А. П. ЛОЦЬКО,
к. ф.-м. н. Н. Д. ВАХНЯК, к. ф.-м. н. С. М. КАЛИТЧУК, к. ф.-м. н. Л. А. ДЕМЧИНА,
д. т. н. Р. В. КОНАКОВА, к. ф.-м. н. В. В. ШИНКАРЕНКО, д. ф.-м. н. А. В. МЕЛЬНИЧУК*
Óêðàèíà, ã. Êèåâ, Иíñòèòóò фèзèêè ïîëóïðîâîдíèêîâ èм. В. Е. Лàшêàðёâà НАН Óêðàèíы;
*Нåжèíñêèé ãîñóдàðñòâåííыé óíèâåðñèòåò èмåíè Нèêîëàÿ Гîãîëÿ
E-mail: kdv45@isp.kiev.ua , shynkarenko@isp.kiev.ua
ОСОБЕННОСÒИ ÒРАНСФОРМАЦИИ
ПРИМЕСНО-ÄЕФЕÊÒНЫХ ÊОМПЛЕÊСОВ В CdTe:Cl
ПОÄ ВОЗÄЕЙСÒВИЕМ СВЧ-ОБЛÓЧЕНИЯ
Одíèм èз íàïðàâëåíèé ñîâðåмåííîé ýëåêòðîí-
íîé òåõíèêè ÿâëÿåòñÿ ðàзðàбîòêà ïðèбîðîâ ðàдè-
àцèîííîãî мîíèòîðèíãà, àêòóàëьíîñòь êîòîðîãî
âîзðîñëà ïîñëå ðÿдà êàòàñòðîф íà ÿдåðíыõ îбъ-
åêòàõ. В ñâÿзè ñ ýòèм íà ïåðâыé ïëàí âыñòóïàюò
мàòåðèàëы, ïåðñïåêòèâíыå дëÿ èзãîòîâëåíèÿ íå-
îõëàждàåмыõ дåòåêòîðîâ èîíèзèðóющåãî èзëóчå-
íèÿ. Эòî, íàïðèмåð, âыñîêîîмíыå мîíîêðèñòàë-
ëы òåëëóðèдà êàдмèÿ, îбëàдàющèå óдàчíым ñîчå-
òàíèåм òàêèõ ñâîèõ õàðàêòåðèñòèê, êàê бîëьшèå
àòîмíыå íîмåðà âõîдÿщèõ â ñîåдèíåíèÿ ýëåмåí-
òîâ (ZCd=48, ZTe=52), бîëьшàÿ шèðèíà зàïðåщåí-
íîé зîíы (Е≈1,5 ýВ ïðè 300 Ê) è âыñîêàÿ ïîд-
âèжíîñòь íîñèòåëåé зàðÿдà (µe≈103 ñм2/(В⋅ñ),
µh≈102 ñм2/(В⋅ñ)) ïðè êîмíàòíîé òåмïåðàòóðå
[1—3]. Вàжíым òðåбîâàíèåм ê дåòåêòîðíîмó мà-
òåðèàëó òàêжå ÿâëÿåòñÿ âыñîêîîмíîñòь, êîòîðàÿ
â ñëóчàå ñ CdTe дîñòèãàåòñÿ ïóòåм ëåãèðîâàíèÿ
мîíîêðèñòàëëîâ õëîðîм.
Одíèм èз òåõíîëîãèчåñêèõ ïðîцåññîâ, ïî-
зâîëÿющèõ âëèÿòь íà ðàñïðåдåëåíèå ïðèмåñè
â êðèñòàëëàõ, ÿâëÿåòñÿ мèêðîâîëíîâîå îбëóчå-
íèå, êîòîðîå âîздåéñòâóåò íà âåñь îбðàзåц â цå-
ëîм, íå âызыâàÿ ãðàдèåíòà òåмïåðàòóðы (âîз-
íèêàющåãî ïðè òåðмèчåñêîм èëè быñòðîм òåð-
мèчåñêîм îòжèãå). Сðåдè ïåðâîïðîõîдцåâ, èз-
óчàâшèõ ýòó îñîбåííîñòь, мîжíî îòмåòèòь àâòî-
ðîâ ðÿдà ðàбîò, íàïðèмåð [7—9]. В íàñòîÿщåå
âðåмÿ èзóчàюòñÿ êàê òåðмèчåñêèå, òàê è àòåð-
мèчåñêèå мåõàíèзмы âîздåéñòâèÿ мèêðîâîëíî-
âîãî îбëóчåíèÿ íà мàòåðèàëы, îбíàðóжåíы òåõ-
íîëîãèчåñêèå óñëîâèÿ, ïðè êîòîðыõ íå òîëьêî
âîзðàñòàåò îдíîðîдíîñòь ðàñïðåдåëåíèÿ ïðèмå-
ñåé â îбðàбàòыâàåмыõ îбðàзцàõ, íî è èзмåíÿåò-
ñÿ âíóòðåííåå мåõàíèчåñêîå íàïðÿжåíèå [5, 10].
Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения
на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что ак-
тивированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцеп-
торные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования де-
фектных центров (VСd—СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования фор-
мы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили опре-
делить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга—Рис) от
времени облучения.
Ключевые слова: теллурид кадмия, фотолюминесценция, микроволновое излучение.
Äëÿ мîíîêðèñòàëëîâ CdTe:Cl òàêжå íàбëю-
дàåòñÿ îïðåдåëåííыé ïðîãðåññ â èзóчåíèè ïðè-
ðîды дåфåêòîâ, îдíàêî мåõàíèзмы òðàíñфîð-
мàцèè ïðèмåñíî-дåфåêòíыõ цåíòðîâ êðèñòàë-
ëîâ ïîд дåéñòâèåм СВЧ-îбëóчåíèÿ дî ñèõ ïîð
èзóчåíы íåдîñòàòîчíî. В òî жå âðåмÿ, íàõîж-
дåíèå ïàðàмåòðîâ òåõíîëîãèчåñêîé îбðàбîòêè
CdTe:Cl, ïîзâîëÿющåé óïðàâëÿòь ðàñïðåдåëå-
íèåм ïðèмåñåé, ïîзâîëèò ïîâыñèòь êàчåñòâî дå-
òåêòîðîâ íà èõ îñíîâå.
В дàííîé ðàбîòå èññëåдîâàíы ëюмèíåñцåíò-
íыå ñâîéñòâà мîíîêðèñòàëëîâ CdTe:Cl è ïðî-
àíàëèзèðîâàíы îñîбåííîñòè òðàíñфîðмàцèè
ïðèмåñíî-дåфåêòíыõ цåíòðîâ ïðè ðàзëèчíыõ
ðåжèмàõ СВЧ-îбðàбîòêè.
Методы исследований и оборудование
Обëóчåíèå èññëåдóåмыõ îбðàзцîâ ïðîâîдè-
ëè â ðàбîчåé êàмåðå мàãíåòðîíà, íàãðóжåííî-
ãî íà êâàзèñòàцèîíàðíыé СВЧ-ãåíåðàòîð íà чà-
ñòîòå 2,45 ГГц. Мîщíîñòь èзëóчåíèÿ ñîñòàâëÿëà
7,5 Вò/ñм2. Äëÿ èñêëючåíèÿ òåðмèчåñêîãî âîз-
дåéñòâèÿ îбðàзцы îбëóчàëè â òåчåíèå íå бîëåå
чåм 3 ñ (ñêâàжíîñòь 20—40). Пðè ýòîм èíòå-
гральный разогрев образцов не превышал 10°С.
Äëÿ èññëåдîâàíèé ëюмèíåñцåíòíыõ ñâîéñòâ èñ-
ïîëьзîâàëèñь мîíîêðèñòàëëы CdTe:Cl, îбëóчåí-
íыå ïðè ðàзëèчíыõ ýêñïîзèцèÿõ: 10, 30 è 180 ñ.
Сïåêòðы фîòîëюмèíåñцåíцèè быëè ïîëóчåíы
íà àâòîмàòèзèðîâàííîé óñòàíîâêå, êîòîðàÿ ñîñòî-
èò èз èñòîчíèêà èзëóчåíèÿ (îïòèчåñêèé êâàíòî-
âыé ãåíåðàòîð èëè ëàмïà íàêàëèâàíèÿ), îïòèчå-
ñêîãî êðèîñòàòà, мîíîõðîмàòîðà МÄР-23 ñ ðàбî-
чèм ñïåêòðàëьíым дèàïàзîíîм 200—1000 íм, фî-
òîïðèåмíîãî óñòðîéñòâà, óñèëèòåëÿ è ïåðñîíàëь-
íîãî êîмïьюòåðà. Äëÿ âîзбóждåíèÿ фîòîëюмè-
DOI: 10.15222/TKEA2014.2.45
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2014, ¹ 4
46
ÒÅÕÍÎËÎÃÈЧÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
ISSN 2225-5818
íåñцåíцèè (ФË) èñïîëьзîâàëñÿ ãåëèé-íåîíîâыé
ëàзåð íåïðåðыâíîãî дåéñòâèÿ мîщíîñòью 40 мВò
(дëèíà âîëíы λ=632,8 íм). Äèàïàзîí òåðмîðåãó-
ëèðîâàíèÿ ñîñòàâëÿë 4,2—300 Ê, дèñêðåòíîñòь
óñòàíîâêè òåмïåðàòóðы 0,1 Ê, òîчíîñòь ñòàбè-
ëèзàцèè òåмïåðàòóðы 0,1 Ê. Сïåêòðàëьíîå ðàз-
ðåшåíèå âî âñåõ ñëóчàÿõ быëî íå õóжå 1 мýВ.
Îбсуждение результатов
Сïåêòð íèзêîòåмïåðàòóðíîé ФЛ ïðè òåмïåðà-
òóðå Т=5 Ê мîíîêðèñòàëëîâ CdTe:Cl â îбëàñòè
ýíåðãèé 1,3—1,5 ýВ ïîêàзàí íà рис. 1. Оí ñîñòî-
èò èз дâóõ ïîëîñ: îдíà (1,45 ýВ) îбóñëîâëåíà èз-
ëóчàòåëьíîé ðåêîмбèíàцèåé дîíîðíî-àêцåïòîðíыõ
ïàð (ÄÀÏ), âòîðàÿ (1,470—1,478 ýВ) — Y-ïîëîñà
ñ фîíîííымè ïîâòîðåíèÿмè, êîòîðóю èдåíòè-
фèцèðóюò êàê ïîëîñó ðåêîмбèíàцèè ýêñèòîíîâ,
ñâÿзàííыõ íà дèñëîêàцèÿõ.
Сïåêòðàëьíàÿ фîðмà дîíîðíî-àêцåïòîðíыõ ïî-
ëîñ ФЛ ñ óчåòîм фîíîííыõ ðåïëèê îïèñыâàåòñÿ
õîðîшî èзâåñòíîé фîðмóëîé (ñм., íàïðèмåð, [9])
( )
!
–
Ã
– –
expI
p
S e
p
2
1–p
p
S LO2
0
0 2
+ω ω
ω ω ω
=
` j; E/ , (1)
ãдå чàñòîòà ω0 ïîñðåдñòâîм ïîñòîÿííîé Пëàíêà
ћ (ћω0) зàдàåò ýíåðãåòèчåñêîå ïîëîжåíèå íóëь-
фîíîííîé ëèíèè (ÍФË), à ïàðàмåòð зàòóõàíèÿ
Г чåðåз ћГ îïðåдåëÿåò шèðèíó ëèíèè. Сóммà бå-
ðåòñÿ ïî âñåм âîзмîжíым фîíîíым ðåïëèêàм
(p=0, 1, 2 ...). Фàêòîð Хóàíãà—Рèñ S îïðåдå-
ëÿåò âåðîÿòíîñòь Wp≈e–S Sp/p! èзëóчàòåëьíыõ
ïåðåõîдîâ íà ïðèмåñíîм цåíòðå ñ óчàñòèåм p
LO-фîíîíîâ, îí мîжåò быòь ðàññчèòàí ïî фîð-
мóëå Фðåëèõà дëÿ íåïðåðыâíîé ñðåды:
S=[2πe2/(VћωLO)](1/ε∞–1/ε0)∑q|ρq|2/q2,
ãдå q — âîëíîâîé âåêòîð;
V — îбъåм êðèñòàëëà;
ћωLO — ýíåðãèÿ LO-фîíîíîâ;
ε∞ — âыñîêîчàñòîòíàÿ дèýëåêòðèчåñêàÿ ïðîíèцà-
åмîñòь;
ε0 — ñòàòèчåñêàÿ дèýëåêòðèчåñêàÿ ïðîíèцàåмîñòь;
ρq — Фóðьå-êîмïîíåíòà ðàñïðåдåëåíèÿ ïëîòíî-
ñòè зàðÿдà.
Сèëьíî ëîêàëèзîâàííыå íà ïðèмåñÿõ îñíîâ-
íыå ñîñòîÿíèÿ íîñèòåëåé îïèñыâàюòñÿ îãèбàю-
щåé âîëíîâîé фóíêцèåé
Ψν
i
(r)=Nvi
rνi∙exp[–r/(νiai*)],
ãдå i=e дëÿ ñâÿзàííîãî ñîñòîÿíèÿ ýëåêòðîíà íà дî-
íîðå è i=h дëÿ ñâÿзàííîãî ñîñòîÿíèÿ дыðêè íà àê-
цåïòîðå;
ai*, mi* — ýффåêòèâíыå бîðîâñêèé ðàдèóñ è мàññà
ñîîòâåòñòâóющåãî íîñèòåëÿ, ai*=ћ2ε0/
(e2mi*);
r — ðàдèóñ-âåêòîð;
Nνi — êîýффèцèåíò íîðмèðîâàíèÿ,
Nνi=[2/(νiai*)]νi/[(νiai*)1/2Г(νi+1)].
Вåëèчèíà νi — ýòî òàê íàзыâàåмыé ïàðàмåòð
êâàíòîâîãî дåфèцèòà, êîòîðыé îïðåдåëÿåòñÿ èз
ñîîòíîшåíèÿ ýíåðãèé:
νi
2=Ei
R/ED(A),
ãдå Ei
R — ýíåðãèÿ ñâÿзè íîñèòåëÿ íà ïðèмåñ-
íîм цåíòðå â ðàмêàõ âîдîðîдîïîдîбíîé мîдåëè
(Ei
R=e4mi*/(2ε02ћ2)), à ED(A) ÿâëÿåòñÿ ýêñïåðè-
мåíòàëьíî èзмåðåííым зíàчåíèåм ýíåðãèè èî-
íèзàцèè îñíîâíîãî ñîñòîÿíèÿ ñîîòâåòñòâóющå-
ãî íîñèòåëÿ.
Пðè ðàñчåòå фàêòîðà Хóàíãà—Рèñ дëÿ ïðî-
цåññà ðåêîмбèíàцèè íà èзîëèðîâàííîм цåíòðå
(дîíîðå èëè àêцåïòîðå) Фóðьå-êîмïîíåíòà ðàñ-
ïðåдåëåíèÿ ïëîòíîñòè зàðÿдà îïðåдåëÿåòñÿ фîð-
мóëîé
ρqi=Nρ∫exp(iqr)r2(νi–1)exp[–2r/(νiai*)]d3r,
ãдå Nρ — êîíñòàíòà íîðмèðîâàíèÿ, êîòîðóю íà-
õîдÿò ïðè óñëîâèè ρ0i=1.
Еñëè èзëóчàòåëьíàÿ ðåêîмбèíàцèÿ ïðîèñõî-
дèò íà ÄАП ñ óчàñòèåм êàê дîíîðà, òàê è àê-
цåïòîðà, òî Фóðьå-êîмïîíåíòà ðàñïðåдåëåíèÿ
îбщåé (ýëåêòðîí-дыðîчíîé) ïëîòíîñòè зàðÿдà
îïðåдåëÿåòñÿ фîðмóëîé
ρeh(q)=〈Ψe(re)Ψh(rh)∙|exp(iqrh)–
–exp(iqre)|∙Ψh(rh)Ψe(re)〉. (2)
Пðè òàêîм ðàñïðåдåëåíèè зàðÿдà зíàчåíèå
фàêòîðà Хóàíãà—Рèñ õàðàêòåðèзóåò ñòåïåíь
ýëåêòðîí-фîíîííîãî âзàèмîдåéñòâèÿ è ÿâëÿåò-
ñÿ фóíêцèåé ðàññòîÿíèÿ R мåждó дîíîðîм è àê-
цåïòîðîм â ÄАП:
( ) –S R e 1 1
LO
2
0
#
'π ω ε ε=
3
c m (3)
–
sin
qR
qR
q
2
dqe qh
qe qh2 2
0
# ρ ρ ρ ρ
+
3
; E# ,
ãдå ρqe, ρqh — Фóðьå-êîмïîíåíòà ïëîòíîñòè зà-
ðÿдà ýëåêòðîíîâ è дыðîê ñîîòâåòñòâåííî.
Рèñ. 1. Рàзëîжåíèå ýêñïåðèмåíòàëьíîãî ñïåêòðà ФЛ (1)
â îбëàñòè îò 1,3 дî 1,5 ýВ íà дâå ñîñòàâëÿющèå:
ÄАП (2) è Y-ïîëîñы (3) ñ èõ фîíîííымè ïîâòîðåíèÿмè
И
íò
åí
ñè
âí
îñ
òь
Ф
Л
,
îò
í.
å
д.
1,34 1,36 1,38 1,40 1,42 1,44 1,46 1,48 1,50
Эíåðãèÿ, ýВ
1
2
3
Y
4LO
3LO
2LO
1LO
НФЛ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2014, ¹ 4
47
ÒÅÕÍÎËÎÃÈЧÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
ISSN 2225-5818
В [8] ïîêàзàíî, чòî â ðåзóëьòàòå СВЧ-
îбðàбîòêè мîжåò ïðîèñõîдèòь ïåðåðàñïðåдåëå-
íèå ïðèмåñåé â êðèñòàëëàõ. В ýòîм ñëóчàå èз-
мåíåíèå фàêòîðà Хóàíãà—Рèñ мîжåò быòь îб-
óñëîâëåíî èзмåíåíèåм âзàèмîðàзмåщåíèÿ ïðè-
мåñåé â ïðèïîâåðõíîñòíîé, àíàëèзèðóåмîé, îб-
ëàñòè êðèñòàëëà. В чàñòíîñòè, óâåëèчåíèå ðàñ-
ñòîÿíèÿ íà íåñêîëьêî íàíîмåòðîâ мåждó дîíîð-
íымè è àêцåïòîðíымè цåíòðàмè â ÄАП â ïðå-
дåëàõ 5—20 íм ïðèâåдåò ê îщóòèмîмó âîзðàñ-
òàíèю фàêòîðà Хóàíãà—Рèñ.
В дàííîé ðàбîòå îïðåдåëåíî зíàчåíèå фàêòî-
ðà Хóàíãà—Рèñ дëÿ ÄАП (SÄАП) â зàâèñèмîñòè
îò ïðîдîëжèòåëьíîñòè СВЧ-îбëóчåíèÿ дëÿ îб-
ðàзцîâ CdTe:Cl ñ ðàзëèчíым ñîдåðжàíèåм õëî-
ðà: NCl=5∙1017 cм–3 è NCl=5∙1019 cм–3 (NCl — ñî-
дåðжàíèå Cl â èñõîдíîé íàâåñêå ïðè âыðàщèâà-
íèè, à íå ðåàëьíàÿ êîíцåíòðàцèÿ ëåãèðóющåé
ïðèмåñè â âыðàщåííыõ êðèñòàëëàõ).
В [10] óñòàíîâëåíî, чòî â èñõîдíыõ îбðàз-
цàõ CdTe:Cl ñ óâåëèчåíèåм NCl от 5∙1017 дî
5∙1019 cм–3 фàêòîð Хóàíãà—Рèñ óмåíьшàåòñÿ.
Фèзèчåñêîé ïðèчèíîé ýòîãî мîжåò быòь бîëь-
шàÿ íåîдíîðîдíîñòь ðàñïðåдåëåíèÿ è мåíьшåå
ðàññòîÿíèå мåждó дîíîðàмè è àêцåïòîðàмè â
êðèñòàëëàõ ñ бîëьшèм ñîдåðжàíèåм Cl.
Из ïðèâåдåííîé íà рис. 2 зàâèñèмîñòè âèд-
íî, чòî ñ óâåëèчåíèåм ïðîдîëжèòåëьíîñòè
СВЧ-îбëóчåíèÿ мîíîêðèñòàëëîâ CdTe:Cl фàê-
òîð Хóàíãà—Рèñ ðàñòåò, чòî ñâèдåòåëьñòâóåò îб
óâåëèчåíèè ðàññòîÿíèÿ мåждó ÄАП âñëåдñòâèå
óмåíьшåíèÿ èõ êîíцåíòðàцèè èëè âîзðàñòàíèÿ
îдíîðîдíîñòè ðàзмåщåíèÿ дîíîðíыõ è àêцåï-
òîðíыõ цåíòðîâ.
Äåòàëьíыé ñðàâíèòåëьíыé àíàëèз ñïåê-
òðîâ «êðàåâîé» ФЛ мîíîêðèñòàëëîâ CdTe:Cl
ñ NCl=5∙1017 cм–3 дî è ïîñëå СВЧ-îбðàбîòêè
(рис. 3) ïîêàзàë, чòî êðàåâàÿ ëюмèíåñцåíцèÿ
ñâÿзàíà ñ íàëèчèåм â êðèñòàëëàõ CdTe мåëêèõ
дîíîðîâ (СlTe) è мåëêèõ àêцåïòîðîâ (VCd), òîч-
íåå — ñ ïåðåõîдîм ýëåêòðîíîâ èз зîíы ïðîâî-
дèмîñòè íà мåëêèå àêцåïòîðíыå цåíòðы (ëè-
íèÿ (e-A)) è дîíîðíî-àêцåïòîðíымè ïåðåõîдà-
мè (ëèíèÿ (Ä-А)). В íèзêîýíåðãåòèчåñêîé îб-
ëàñòè ñïåêòðîâ «êðàåâîé» ФЛ íàбëюдàюòñÿ
LO-фîíîííыå ïîâòîðåíèÿ ýòèõ ïîëîñ.
Êàê âèдíî èз ðèñ. 3, ïîñëå СВЧ-îбðàбîòêè
ïðîдîëжèòåëьíîñòью 10 ñ íàбëюдàåòñÿ òóшå-
íèå èíòåíñèâíîñòè ïîëîñ фîòîëюмèíåñцåíцèè
(Ä-А) è (å-А), чòî ñâèдåòåëьñòâóåò îб óмåíьшå-
íèè êîíцåíòðàцèè àêцåïòîðíыõ цåíòðîâ VCd â
ïðèïîâåðõíîñòíîé îбëàñòè êðèñòàëëîâ. В ñïåê-
òðàõ ýêñèòîííîé ФЛ мîíîêðèñòàëëîâ CdTe:Cl
ëèíèÿ (A0,X) íàèбîëåå èíòåíñèâíàÿ (рис. 4),
îíà ñâÿзàíà ñ ýêñèòîíàмè, ëîêàëèзîâàííымè íà
íåéòðàëьíыõ àêцåïòîðàõ (CuCd). Лèíèю (D0,X)
èдåíòèфèцèðóюò êàê èзëóчåíèå ýêñèòîíîâ, ñâÿ-
зàííыõ íà дîíîðíыõ цåíòðàõ ClTe. Óâåëèчåíèå
èíòåíñèâíîñòè ФЛ ëèíèè W, îòâåчàющåé зà ñâÿ-
зàííыå ýêñèòîíы íà цåíòðàõ (VСd—СlTe), ïîñëå
СВЧ-îбðàбîòêè êðèñòàëëîâ (ðèñ. 4) ÿâëÿåòñÿ ðå-
зóëьòàòîм óâåëèчåíèÿ êîíцåíòðàцèè ñëîжíыõ
дåфåêòíыõ êîмïëåêñîâ (VСd—СlTe).
Рèñ. 2. Зàâèñèмîñòь фàêòîðà Хóàíãà—Рèñ îò ïðîдîë-
жèòåëьíîñòè СВЧ-îбðàбîòêè мîíîêðèñòàëëîâ CdTe:Cl
ñ NCl=5∙1017 ñм–3 (1) è NCl=5∙1019 ñм–3 (2)
SÄАП
1,7
1,6
1,5
1,4
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Вðåмÿ СВЧ-îбðàбîòêè, ñ
1
2
Рèñ. 3. Сïåêòðы «êðàåâîé» ФЛ мîíîêðèñòàëëîâ CdÒe:Cl
ñ NСl=5∙1017cм–3 дî (1) è ïîñëå СВЧ-îбðàбîòêè ïðîдîë-
жèòåëьíîñòью 10 c (2), 30 c (3), 180 c (4) [6]
И
íò
åí
ñè
âí
îñ
òь
Ф
Л
,
îò
í.
å
д.
1,50 1,51 1,52 1,53 1,54 1,55 1,56
Эíåðãèÿ, ýВ
1
4
2LO
1LO
(Ä-А)(å-А)1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
3
2
Рèñ. 4. Сïåêòðы ФЛ мîíîêðèñòàëëîâ CdÒe:Cl ñ
NСl=5∙1017 ñм–3 дî (1) è ïîñëå СВЧ-îбðàбîòêè ïðîдîë-
жèòåëьíîñòью 10 c (2)
И
íò
åí
ñè
âí
îñ
òь
Ф
Л
,
îò
í.
å
д.
1,584 1,586 1,588 1,590 1,592 1,594 1,596
Эíåðãèÿ, ýВ
12
W (D0, X)
(А0, Х)
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2014, ¹ 4
48
ÒÅÕÍÎËÎÃÈЧÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
ISSN 2225-5818
Пîдîбíîå èзмåíåíèå ëèíèé ФЛ мîжåò быòь
âызâàíî óâåëèчåíèåм âíóòðåííèõ мåõàíèчåñêèõ
íàïðÿжåíèé ïîд âîздåéñòâèåм СВЧ-îбðàбîòêè
[8], чòî мîжåò ïðèâåñòè ê óâåëèчåíèю êîíцåí-
òðàцèè бåзызëóчàòåëьíыõ цåíòðîâ è ñïàдó èíòåí-
ñèâíîñòè ëèíèé ФЛ (Ä-А) è (å-А) ïîñëå СВЧ-
îбðàбîòêè â òåчåíèå 10 ñ (êðèâàÿ 2 íà ðèñ. 3) è
ïîñëåдóющåé ðåëàêñàцèè ýòèõ íàïðÿжåíèé ïðè
óâåëèчåíèè дëèòåëьíîñòè îбðàбîòêè. Äëÿ ïîд-
òâåðждåíèÿ ïîдîбíîãî ïðåдïîëîжåíèÿ íåîбõî-
дèмы дàëьíåéшèå èññëåдîâàíèÿ.
Âыводы
Òàêèм îбðàзîм, óñòàíîâëåíî, чòî óâåëèчå-
íèå фàêòîðà Хóàíãà—Рèñ, õàðàêòåðèзóющåãî
ñòåïåíь ýëåêòðîí-фîíîííîãî âзàèмîдåéñòâèÿ â
дîíîðíî-àêцåïòîðíыõ ïàðàõ мîíîêðèñòàëëîâ
CdTe:Cl, âîзðàñòàåò ïî мåðå óâåëèчåíèÿ дëè-
òåëьíîñòè СВЧ-îбðàбîòêè, чòî ñâÿзàíî ñ ãîмîãå-
íèзàцèåé ðàñïðåдåëåíèÿ дîíîðíыõ è àêцåïòîð-
íыõ цåíòðîâ, à òàêжå ñ óâåëèчåíèåм ðàññòîÿíèÿ
мåждó дîíîðîм è àêцåïòîðîм. СВЧ-îбðàбîòêà
â òåчåíèå 10 ñ îбðàзцîâ ñ ñîдåðжàíèåм Cl â èñ-
ходной шихте 5∙1017 ñм–3 âызыâàåò âîзðàñòàíèå
âíóòðåííèõ мåõàíèчåñêèõ íàïðÿжåíèé â êðè-
ñòàëëå, чòî â ñâîю îчåðåдь ïðèâîдèò ê óмåíь-
шåíèю êîíцåíòðàцèè èзîëèðîâàííыõ âàêàíñèé
êàдмèÿ VCd âñëåдñòâèå фîðмèðîâàíèÿ дåфåêò-
íыõ цåíòðîâ (VСd—СlTe), íà êîòîðыõ ñâÿзыâà-
юòñÿ ýêñèòîíы.
ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ ИСÒОЧНИÊИ
1. Êîðбóòÿê Ä. В. , Мåëьíèчóê С. В., Êîðбóò Є. В.,
Бîðèñюê М. М. Òåëóðèд êàдмію: дîмішêîâî-дåфåêòíі ñòàíè
òà дåòåêòîðíі âëàñòèâîñòі.— Êèїâ: «Іâàí Фåдîðîâ», 2000.
2. Êóëьчèцêèé Н. А., Нàóмîâ А. В. Обзîð мèðîâыõ
ðыíêîâ êàдмèÿ, òåëëóðà è ñîåдèíåíèé íà èõ îñíîâå //
Цâåòíàÿ мåòàëëóðãèÿ.— 2010.— ¹ 2.— C. 31—44.
3. Del Sordo S., Abbene L., Caroli E. et al. (Review)
Progress in the development of CdTe and CdZnTe
semiconductor radiation detectors for astrophysical and
medical applications // Sensors.— 2009.— Vol. 9.—
P. 3491—3526. DOI:10.3390/s90503491
4. Ржàíîâ А. В., Гåðàñèмåíêî Н. Н., Вàñèëьåâ С. В.,
Обîдíèêîâ В. И. СВЧ íàãðåâ êàê мåòîд òåðмîîбðàбîò-
êè ïîëóïðîâîдíèêîâ // Пèñьмà â ЖÒФ.— 1981.— Ò. 7,
Выï. 20.— С. 1221—1223
5. Вèííèê Е. В., Гóðîшåâ В. И., Пðîõîðîâèч А. В.,
Шåâåëьåâ М. В. Иñïîëьзîâàíèå мîщíîãî СВЧ-èзëóчåíèÿ
дëÿ быñòðîãî îòжèãà àðñåíèдà ãàëëèÿ // Оïòîýëåêòðîíèêà
è ïîëóïðîâîдíèêîâàÿ òåõíèêà.— 1989.— Выï. 15.—
С. 48—50.
6. Êðышòàб Ò. Г., Сåмåíîâà Г. Н., Лèòâèí П. М. è дð.
Нåмîíîòîííîñòь ïðîцåññîâ ñòðóêòóðíîé ðåëàêñàцèè ïðè
СВЧ-îбðàбîòêå àðñåíèдà ãàëëèÿ // Оïòîýëåêòðîíèêà
è ïîëóïðîâîдíèêîâàÿ òåõíèêà.— 1996.— Выï. 31.—
С. 140—145.
7. Yao-Jen Lee, Ta-Chun Cho, Shang-Shiun Chuang et al.
Low-temperature microwave annealing processes for future IC
fabrication — a review // IEEE Transactions on electron
devices.— 2014.— Vol. 61, N 3.— P. 651—665.
8. Atanassova E. D., Belyaev A. E., Konakova R. V. et
al. Effect of active actions on the properties of semiconductor
materials and structures.— Kharkiv : NTC “Institute for
Single Crystals”, 2007.
9. Soltani M., Certier M., Evrard R., Kartheuser E.
Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony
acceptors // J. Appl. Phys.— 1995.— Vol. 78, N 9.—
P. 5626—5632.
10. Êîðбóòÿê Ä.В., Лîцьêî А.П., Вàõíÿê Н.Ä.è дð.
Вëèÿíèå СВЧ-îбëóчåíèÿ íà фîòîëюмèíåñцåíцèю ñâÿзàííыõ
ýêñèòîíîâ â мîíîêðèñòàëëàõ CdTe:Cl // ФÒП.— 2011.—
T. 45, âыï. 9.— C. 1175—1181.
Дата поступления рукописи
в редакцию 15.05 2014 г.
С. І. БУДЗУЛЯК, Д. В. КОРБУТЯК, О. П. ЛОЦЬКО, Н. Д. ВАХНЯК, С. М. КАЛИТЧУК,
Л. А. ДЕМЧИНА, Р. В. КОНАКОВА, В. В. ШИНКАРЕНКО, А. В. МЕЛЬНИЧУК*
Óêðàїíà, м. Êèїâ, Іíñòèòóò фізèêè íàïіâïðîâідíèêіâ ім. В. Є. Лàшêàðьîâà НАН Óêðàїíè;
*Ніжèíñьêèé дåðжàâíèé óíіâåðñèòåò імåíі Мèêîëè Гîãîëÿ
E-mail: kdv45@isp.kiev.ua, shynkarenko@isp.kiev.ua
ОСОБЛИВОСÒІ ÒРАНСФОРМАЦІЇ ÄОМІШÊОВО-ÄЕФЕÊÒНОГО
ÊОМПЛЕÊСÓ В CdTe:Cl ПІÄ ÄІЄЮ НВЧ-ОПРОМІНЕННЯ
Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання
на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані
мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зраз-
ках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd—СlTe), на яких зв'язуються
екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозво-
лили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга—Рис) в залежності від часу
опромінення.
Ключові слова: телурид кадмію, фотолюмінесценція, мікрохвильове випромінювання.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2014, ¹ 4
49
ÒÅÕÍÎËÎÃÈЧÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
ISSN 2225-5818
S. I. BUDZULYAK, D. V. KORBUTYAK, A. P. LOTS'KO,
N. D. VAKHNYAK, S. M. KALITCHUK, L. A. DEMCHINA,
R. V. KONAKOVA, V. V. SHINKARENKO, A. V. MEL'NICHUK*
Ukraine, Kiev, V. E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS;
*Nikolai Gogol Nezhinskii State University
E-mail: kdv45@isp.kiev.ua, shynkarenko@isp.kiev.ua
FEATURES OF TRANSFORMATION OF IMPURITY-DEFECT COMPLEXES
IN CdTe:Cl UNDER THE INFLUENCE OF MICROWAVE RADIATION
High-resistance cadmium telluride single crystals are promising material for production of ionizing radiation
detectors. To increase crystal resistance, they are doped with chlorine. The detector quality depends on uni-
formity of chlorine impurity distribution over crystal.
It is known that low-dose microwave irradiation can homogenize impurity distribution in a specimen. In the
present work, we made an attempt to improve the detector material quality by using such post-technological
treatment, as well as to study state variation for impurity-defect complexes. To this end, the effect of micro-
wave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated
using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of СlTe donor centers by microwave irra-
diation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate
formation of (VСd–СlTe) defect centers at which excitons are bound.
Detailed investigations of the band form for donor-acceptor pairs (DAPs) in СdTe:Cl single crystals made
it possible to determine the Huang—Rhys factor (that characterizes electron-phonon interaction in CdTe:Cl
DAPs) as a function of microwave treatment duration. It is shown for single crystals with NCl = 5⋅1017 cm–3
and 5⋅1019 cm–3 that the Huang—Rhys factor grows with microwave irradiation dose. This is related to both
homogenization of donor and acceptor centers distribution and increase of donor—acceptor spacing. It is
shown that microwave irradiation of CdTe:Cl single crystals results in concentration reduction for separate
cadmium vacancies VCd because of formation of (VСd—СlTe) defect centers at which excitons are bound.
Keywords: cadmium telluride, photoluminescence, microwave radiation.
REFERENCES
1. Korbutyak D. V., Mel'nichuk S. V., Korbut Ye. V.,
Borisyuk M.M. [Cadmium Telluride: impurity-defect states
and detector properties]. Kiev, Ivan Fedorov, 2000, 198 p.
2. Kul'chitskii N. A., Naumov A. V. Tsvetnaya metallur-
giya, 2010, no 2, pp. 31-44. (in Russian)
3. Stefano Del Sordo, Leonardo Abbene, Ezio Caroli,
Anna Maria Mancini, Andrea Zappettini, Pietro Ubertini.
(Review) Progress in the development of CdTe and CdZnTe
semiconductor radiation detectors for astrophysical and
medical applications. Sensors, 2009, vol. 9, pp. 3491-3526.
DOI:10.3390/s90503491
4. Rzhanov A. V., Gerasimenko N. N., Vasil'ev S. V.,
Obodnikov V. I. Pis'ma v ZhTF, 1981, vol. 7, iss. 20,
pp. 1221-1223. (in Russian)
5. Vinnik E. V., Guroshev V. I., Prokhorovich A. V.,
Shevel'ev M. V. Optoelektronika i poluprovodnikovaya
tekhnika, 1989, iss. 15, pp. 48-50. (in Russian)
6. Kryshtab T. G., Semenova G. N., Litvin P. M., Konakova
R. V., Prokopenko I. V., Mazin M. A. Optoelektronika i
poluprovodnikovaya tekhnika, 1996, iss. 31, pp. 140-145.
(in Russian)
7. Yao-Jen Lee, Ta-Chun Cho, Shang-Shiun Chuang,
Fu-Kuo Hsueh, Yu-Lun Lu, Po-Jung Sung, Hsiu-Chih Chen,
Michael I. Current, Tseung-Yuen Tseng, Tien-Sheng Chao,
Chenming Hu, Fu-Liang Yang. Low-temperature microwave
annealing processes for future IC fabrication – a review.
IEEE Transactions on electron devices, 2014, vol. 61, no 3,
pp. 651-665.
8. Atanassova E. D., Belyaev A. E., Konakova R. V.,
Lytvyn P. M., Milenin V. V., Mitin V. F., Shynkarenko V. V.
Effect of active actions on the properties of semiconductor
materials and structures. Kharkiv, NTC “Institute for Single
Crystals”, 2007, 216 ð.
9. Soltani M., Certier M., Evrard R., Kartheuser E.
Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony
acceptors. J. Appl. Phys, 1995, vol. 78, no 9, pp. 5626-5632.
10. Korbutyak D. V., Lotsko A. P., Vakhnyak N. D.,
Demchuna L. A., Konakova R. V., Milenin V. V., Red’ko
R. A. Effect of microwave irradiation on the photoluminescence
of bound excitons in CdTe:Cl single crystals. Semiconductors,
2011, vol. 49, iss. 9, pp. 1133-1139. DOI: 10.1134/
S1063782611090119
DOI: 10.15222/TKEA2014.2.45
UDC 53.097, 535.241.5
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70571 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:05:24Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Будзуляк, С.И. Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. 2014-11-08T13:37:54Z 2014-11-08T13:37:54Z 2014 Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.45 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70571 53.097, 535.241.5 Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd—СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга—Рис) от времени облучения. Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd—СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга—Рис) в залежності від часу опромінення. The effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of СlTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VСd–СlTe) defect centers at which excitons are bound. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения Особливості трансформації домішково-дефектного комплексу в CdTe:Cl під дією НВЧ-опромінення Features of transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl under the influence of microwave radiation Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения Будзуляк, С.И. Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. Технологические процессы и оборудование |
| title | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_alt | Особливості трансформації домішково-дефектного комплексу в CdTe:Cl під дією НВЧ-опромінення Features of transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl under the influence of microwave radiation |
| title_full | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_fullStr | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_full_unstemmed | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_short | Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения |
| title_sort | особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в cdte:cl под воздействием свч-облучения |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70571 |
| work_keys_str_mv | AT budzulâksi osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT korbutâkdv osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT locʹkoap osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT vahnâknd osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT kalitčuksm osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT demčinala osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT konakovarv osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT šinkarenkovv osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT melʹničukav osobennostitransformaciiprimesnodefektnyhkompleksovvcdteclpodvozdeistviemsvčoblučeniâ AT budzulâksi osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT korbutâkdv osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT locʹkoap osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT vahnâknd osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT kalitčuksm osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT demčinala osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT konakovarv osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT šinkarenkovv osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT melʹničukav osoblivostítransformacíídomíškovodefektnogokompleksuvcdteclpíddíêûnvčopromínennâ AT budzulâksi featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT korbutâkdv featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT locʹkoap featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT vahnâknd featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT kalitčuksm featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT demčinala featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT konakovarv featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT šinkarenkovv featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation AT melʹničukav featuresoftransformationofimpuritydefectcomplexesincdteclundertheinfluenceofmicrowaveradiation |