Нанометровые электронные приборы. Перспективные версии
Рассмотрены основные подходы и закономерности формирования и управления системой нанометровых атомарных кластеров как основной составляющей наноприборов. Предложена модель нанометрового электронного прибора (ЭП) на кластерной основе c возможностью локализации атомов натрия внутри полиэдрической Si-к...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70587 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Нанометровые электронные приборы. Перспективные версии / В.А. Дроздов, М.А. Дроздов, В.В. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Рассмотрены основные подходы и закономерности формирования и управления системой нанометровых атомарных кластеров как основной составляющей наноприборов. Предложена модель нанометрового электронного прибора (ЭП) на кластерной основе c возможностью локализации атомов натрия внутри полиэдрической Si-конфигурации. Работа с полупроводниковыми клатратами представляет собой альтернативную методику, которая может быть использована специалистами-нанотехнологами для изменения электрофизических параметров нм-ЭП.
We present the general approaches of formation and management by systems of nanometer atomic clusters as the basic nanometer devices. The nanometer model of the electronic device (ED) is offered. The structure of the nm-ED is follows: Na-atom is inside polyhedral of Si-configuration. In this paper we stress that the work with Si-clathrate is alternative technique, which can be used by the experts – nanotechnologies for change of electro physical parameters nm-ED.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |