Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO₂ — Ta₂O₅ не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Расчет показал,...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70589 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС / В.А. Пилипенко, В.Н. Пономарь, Т.В. Петлицкая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 19-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862656555116134400 |
|---|---|
| author | Пилипенко, В.А. Пономарь, В.Н. Петлицкая, Т.В. |
| author_facet | Пилипенко, В.А. Пономарь, В.Н. Петлицкая, Т.В. |
| citation_txt | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС / В.А. Пилипенко, В.Н. Пономарь, Т.В. Петлицкая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 19-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO₂ — Ta₂O₅ не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Расчет показал, что при соотношении толщины пленок Ta₂O₅ и SiO₂ как 1:10 радиус кривизны пластины со сформированными диэлектриками стремится к бесконечности, а сама кривизна – к нулю. Рассчитаны упругие постоянные для пленки Ta₂O₅.
Owing to rise in VLSIC integration, searching for new materials for VLSIC capacitor becomes significant. There was proposed a version of combined capacitor dielectric for VLSIC capacitors on basis of tantalum pentaoxide. Pentaoxide of tantalum has a very high permittivity and good technological compatibility with silicon oxide. The peculiarity of two-layer combined dielectric SiO₂—Ta₂O₅ is that the polarity of voltages development in the systems Si—SiO₂ and Si—Ta₂O₅ has different values. To find an optimal combination of layers when the system does not experience mechanical elastic deformation, there was built a model of elastic stresses in the system Si—SiO₂—Ta₂O₅. The calculations showed, when width of Ta₂O₅ and SiO₂ are in the ratio 1:10, wafer radius of curvature with formed dielectrics approaches infinity, the curvature itself – zero. Besides that, based on experimental data and by means of mathematical mode, there were calculated elastic constants for Ta₂O₅ film.
|
| first_indexed | 2025-12-02T04:48:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70589 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T04:48:36Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Пилипенко, В.А. Пономарь, В.Н. Петлицкая, Т.В. 2014-11-08T17:06:09Z 2014-11-08T17:06:09Z 2003 Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС / В.А. Пилипенко, В.Н. Пономарь, Т.В. Петлицкая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 19-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70589 Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO₂ — Ta₂O₅ не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Расчет показал, что при соотношении толщины пленок Ta₂O₅ и SiO₂ как 1:10 радиус кривизны пластины со сформированными диэлектриками стремится к бесконечности, а сама кривизна – к нулю. Рассчитаны упругие постоянные для пленки Ta₂O₅. Owing to rise in VLSIC integration, searching for new materials for VLSIC capacitor becomes significant. There was proposed a version of combined capacitor dielectric for VLSIC capacitors on basis of tantalum pentaoxide. Pentaoxide of tantalum has a very high permittivity and good technological compatibility with silicon oxide. The peculiarity of two-layer combined dielectric SiO₂—Ta₂O₅ is that the polarity of voltages development in the systems Si—SiO₂ and Si—Ta₂O₅ has different values. To find an optimal combination of layers when the system does not experience mechanical elastic deformation, there was built a model of elastic stresses in the system Si—SiO₂—Ta₂O₅. The calculations showed, when width of Ta₂O₅ and SiO₂ are in the ratio 1:10, wafer radius of curvature with formed dielectrics approaches infinity, the curvature itself – zero. Besides that, based on experimental data and by means of mathematical mode, there were calculated elastic constants for Ta₂O₅ film. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Проектирование. Конструирование Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС Consideration of mechanical stresses in combined insulators for LSIC capacitors Article published earlier |
| spellingShingle | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС Пилипенко, В.А. Пономарь, В.Н. Петлицкая, Т.В. Проектирование. Конструирование |
| title | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_alt | Consideration of mechanical stresses in combined insulators for LSIC capacitors |
| title_full | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_fullStr | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_full_unstemmed | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_short | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_sort | учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов сбис |
| topic | Проектирование. Конструирование |
| topic_facet | Проектирование. Конструирование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70589 |
| work_keys_str_mv | AT pilipenkova učetmehaničeskihnaprâženiivkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis AT ponomarʹvn učetmehaničeskihnaprâženiivkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis AT petlickaâtv učetmehaničeskihnaprâženiivkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis AT pilipenkova considerationofmechanicalstressesincombinedinsulatorsforlsiccapacitors AT ponomarʹvn considerationofmechanicalstressesincombinedinsulatorsforlsiccapacitors AT petlickaâtv considerationofmechanicalstressesincombinedinsulatorsforlsiccapacitors |