Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне
Впервые предложена и численно реализована методика моделирования оптимальных схем лазерных фотоионизационных технологий контроля и очистки вещества на атомном уровне (на примере анализа примесей Al в образце Ge). Схема лазерного фотоионизационного разделения включает на первом этапе возбуждение атом...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70595 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне / С.В. Амбросов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 38-41. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70595 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Амбросов, С.В. 2014-11-08T17:15:23Z 2014-11-08T17:15:23Z 2003 Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне / С.В. Амбросов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 38-41. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70595 Впервые предложена и численно реализована методика моделирования оптимальных схем лазерных фотоионизационных технологий контроля и очистки вещества на атомном уровне (на примере анализа примесей Al в образце Ge). Схема лазерного фотоионизационного разделения включает на первом этапе возбуждение атомов примесей в образце посредством резонансного лазерного излучения, на втором этапе — перевод атомов в высоковозбужденные ридберговские состояния и затем ионизацию электрическим полем. Разработанный подход позволяет выбирать как оптимизированные значения ключевых физических параметров схем разделения, так и наиболее оптимальный вариант схемы в целом. It is proposed and realized a new approach to numerical modeling of optimal schemes for the laser photoionization technologies of control and refinement on atomic level (on example of analysis of the Al admixtures in the Ge sample). The separation laser photoionization scheme includes an excitement of atoms of the admixture in a sample by resonant laser radiation as a first step, a transfer of atoms into high-excited Rydberg states as a second step and then ionization of excited atoms by electric field. Proposed approach allows choosing the optimized values of key physical parameters for the separation scheme and the most optimal variant of a scheme in a whole. It provides an effectiveness and optimality of technology. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне Numeral modelling of laser photoionization technologies for refinement of substance on atomic level Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| spellingShingle |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне Амбросов, С.В. Технология производства |
| title_short |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_full |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_fullStr |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_full_unstemmed |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| title_sort |
численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне |
| author |
Амбросов, С.В. |
| author_facet |
Амбросов, С.В. |
| topic |
Технология производства |
| topic_facet |
Технология производства |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Numeral modelling of laser photoionization technologies for refinement of substance on atomic level |
| description |
Впервые предложена и численно реализована методика моделирования оптимальных схем лазерных фотоионизационных технологий контроля и очистки вещества на атомном уровне (на примере анализа примесей Al в образце Ge). Схема лазерного фотоионизационного разделения включает на первом этапе возбуждение атомов примесей в образце посредством резонансного лазерного излучения, на втором этапе — перевод атомов в высоковозбужденные ридберговские состояния и затем ионизацию электрическим полем. Разработанный подход позволяет выбирать как оптимизированные значения ключевых физических параметров схем разделения, так и наиболее оптимальный вариант схемы в целом.
It is proposed and realized a new approach to numerical modeling of optimal schemes for the laser photoionization technologies of control and refinement on atomic level (on example of analysis of the Al admixtures in the Ge sample). The separation laser photoionization scheme includes an excitement of atoms of the admixture in a sample by resonant laser radiation as a first step, a transfer of atoms into high-excited Rydberg states as a second step and then ionization of excited atoms by electric field. Proposed approach allows choosing the optimized values of key physical parameters for the separation scheme and the most optimal variant of a scheme in a whole. It provides an effectiveness and optimality of technology.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70595 |
| citation_txt |
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне / С.В. Амбросов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 38-41. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ambrosovsv čislennoemodelirovanielazernyhfotoionizacionnyhtehnologiiočistkiveŝestvanaatomnomurovne AT ambrosovsv numeralmodellingoflaserphotoionizationtechnologiesforrefinementofsubstanceonatomiclevel |
| first_indexed |
2025-12-07T13:21:59Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:21:59Z |
| _version_ |
1850855883775410176 |