Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70598 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862724720308256768 |
|---|---|
| author | Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. |
| author_facet | Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. |
| citation_txt | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.
The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:48:22Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70598 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:48:22Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. 2014-11-08T17:20:45Z 2014-11-08T17:20:45Z 2003 Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70598 Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ. The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter. Исследования выполнены при финансовой поддержке Фонда гражданских исследований и развития США для независимых государств бывшего Советского Союза (CRDF) по гранту UE2-2225/6561. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Термофотовольтаика Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb Using of InSb quantum dots in GaSb thermophotovoltaic cells Article published earlier |
| spellingShingle | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. Термофотовольтаика |
| title | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_alt | Using of InSb quantum dots in GaSb thermophotovoltaic cells |
| title_full | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_fullStr | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_full_unstemmed | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_short | Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb |
| title_sort | использование квантовых точек insb в термофотовольтаических преобразователях на основе gasb |
| topic | Термофотовольтаика |
| topic_facet | Термофотовольтаика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70598 |
| work_keys_str_mv | AT andronovaev ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb AT baganovea ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb AT dalečinaû ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb AT karmannyiaû ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb AT andronovaev usingofinsbquantumdotsingasbthermophotovoltaiccells AT baganovea usingofinsbquantumdotsingasbthermophotovoltaiccells AT dalečinaû usingofinsbquantumdotsingasbthermophotovoltaiccells AT karmannyiaû usingofinsbquantumdotsingasbthermophotovoltaiccells |