Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb

Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2003
Main Authors: Андронова, Е.В., Баганов, Е.А., Далечин, А.Ю., Карманный, А.Ю.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Subjects:
Термофотовольтаика
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70598
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70598
record_format dspace
spelling Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Далечин, А.Ю.
Карманный, А.Ю.
2014-11-08T17:20:45Z
2014-11-08T17:20:45Z
2003
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70598
Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.
The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter.
Исследования выполнены при финансовой поддержке Фонда гражданских исследований и развития США для независимых государств бывшего Советского Союза (CRDF) по гранту UE2-2225/6561.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Термофотовольтаика
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
Using of InSb quantum dots in GaSb thermophotovoltaic cells
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
spellingShingle Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Далечин, А.Ю.
Карманный, А.Ю.
Термофотовольтаика
title_short Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
title_full Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
title_fullStr Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
title_full_unstemmed Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
title_sort использование квантовых точек insb в термофотовольтаических преобразователях на основе gasb
author Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Далечин, А.Ю.
Карманный, А.Ю.
author_facet Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А.
Далечин, А.Ю.
Карманный, А.Ю.
topic Термофотовольтаика
topic_facet Термофотовольтаика
publishDate 2003
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Using of InSb quantum dots in GaSb thermophotovoltaic cells
description Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ. The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70598
citation_txt Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT andronovaev ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb
AT baganovea ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb
AT dalečinaû ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb
AT karmannyiaû ispolʹzovaniekvantovyhtočekinsbvtermofotovolʹtaičeskihpreobrazovatelâhnaosnovegasb
AT andronovaev usingofinsbquantumdotsingasbthermophotovoltaiccells
AT baganovea usingofinsbquantumdotsingasbthermophotovoltaiccells
AT dalečinaû usingofinsbquantumdotsingasbthermophotovoltaiccells
AT karmannyiaû usingofinsbquantumdotsingasbthermophotovoltaiccells
first_indexed 2025-12-07T18:48:22Z
last_indexed 2025-12-07T18:48:22Z
_version_ 1850876417471938560

Similar Items