Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2003
• Автори: Клюканов, А.А., Сенокосов, Э.А., Богинский, Д.Е., Сорочан, В.В., Фещенко, Л.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Теми: Датчики
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70599
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок / А.А. Клюканов, Э.А. Сенокосов, Д.Е. Богинский, В.В. Сорочан, Л.В. Фещенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 49-51. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) с четырьмя квадратно расположенными по его краям электрическими контактами. Найдена аналитическая связь выходного напряжения такого фотоприемника с величиной тока, интенсивностью и координатами локальной засветки. Подтверждена возможность разработки на основе низкоомных фотопроводников нового класса позиционно-чувствительных приборов. The outcomes of theoretical accounts of a cumulative distribution function of dark and of light potentials on a surface of a conducting semiconducting disk with a current and four electrical contacts which located squarly on its edges, is shown. The analytical dependence of output voltage of such photoreceiver from magnitude of a current, intensity and coordinates of a local exposure is found.